FABRIZIO ROCCAFORTE

Type

• Persona (Classe)

Label

• FABRIZIO ROCCAFORTE (literal)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (literal)

Gestore di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Partecipa a commessa

• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. FABRIZIO ROCCAFORTE nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. FABRIZIO ROCCAFORTE nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)

Persona in rapporto

• Rapporto con CNR di DOTT. FABRIZIO ROCCAFORTE (Rapporto con CNR)

Autore CNR di

• Kinetic mechanism of the thermal-induced self-organization of Au/Si nanodroplets on Si(100): Size and roughness evolution (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of high-temperature GaN annealed surface on the electrical properties of Ni/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Conduction mechanisms in epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructure (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Recent advances on passivation processes for SiC and GaN power devices (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
• cooperation project GALILEO between IMM-Catania and LMP-Tours (France), entitled “Nanostructured processes for wide-band gap semiconductors”, funded by the Italian-French University (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Comparison between Ta- and Ti-based Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Large area silicon carbide substrates and heteroepitaxial GaN for power devices applications (LAST - POWER) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electro-optical response of ion-irradiated 4H-SiC Schottky ultraviolet photodetectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Temperature dependence of the specific resistance in Ti/Al/Ni/Au contacts on n-type GaN (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• High spatial and energy resolution characterization of lateral inhomogeneous Schottky barriers by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• A nanoscale look in the channel of 4H-SiC lateral MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Progetto Nazionale PON - Ambition Power (PON01_00700) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio (Manufatti, prototipi d'arte e relativi progetti) (Prodotto della ricerca)
• From Schottky to Ohmic graphene contacts to AlGaN/GaN heterostructures: role of the AlGaN layer microstructure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky barrier height in self-assembled gold nanoparticles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Transport localization in heterogeneous Schottky barriers of quantum-defined metal films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Self-Assembled Nano-Schottky Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Challenges for energy efficient wide band gap semiconductors power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Tailoring the Ti/4H-SiC Schottky barrier by ion irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of TiW/Au thin films as metallization stack for high temperature and harsh environment devices on 6H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal treatments on the structural and electrical properties of Ni/Ti bilayers Schottky contacts on 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ohmic Contact to SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Current Transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts to GaN and AlGaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Defects in He+ irradiated 6H-SiC probed by DLTS and LTPL measurements (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between leakage current and ion-irradiation induced defects in 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning probe microscopy investigation of the mechanisms limiting electronic transport in substrate-supported graphene (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical characteristics of Pt/3C-SiC Schottky contacts upon thermal annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effects of epitaxial layer growth parameters on the defect density and on the electrical characteristics of Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of surrounding environment on atomic structure and equilibrium shape of growing nanocrystals: gold in/on SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky-Ohmic Transition in Nickel Sllicide/SiC System: Is it Really a Solved Problem? (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Highly reproducible ideal SiC Schottky rectifiers: effects of surface preparation and thermal annealing on the Ni/6H-SiC barrier height (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• High permittivity cerium oxide thin films on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical characterization of nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Quantitative high-resolution two-dimensional profiling of sic by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale electrical and structural modification induced by rapid thermal oxidation of AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Binary and complex oxide thin films for microelectronic applications: An insight into their growth and advanced nanoscopic investigation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electro-structural evolution and Schottky barrier height in annealed Au/Ni contacts onto p-GaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Schottky Barrier Inhomogeneities in Nickel Silicide Transrotational Contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Temperature and Light Induced Effects on the Capacitance of 4H-SiC Schottky Photodiodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Clustering of gold on 6H-SiC and local nanoscale electrical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Micro-Raman characterization of graphene grown on SiC(000-1) (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Impact of surface processing on the electrical properties of p-type implanted 4H-SiC for power devices (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Comparison of Si, Sapphire, SiC, and GaN Substrates for HEMT Epitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of SiC interfaces and devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Limiting mechanism of inversion channel mobility in Al-implanted lateral 4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• From SiC to other related materials (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
• Optical properties of 3C and 4H SiC for the fabrication of UV detectors with superior performances (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
• Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Critical issues for interfaces to p-type SiC and GaN in power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical behaviour of detective AlGaN/GaN heterostructures grown on misoriented (8°-off-axis) 4H-SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electronic properties of epitaxial graphene residing on SiC facets probed by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition of hafnium oxide on semiconductor substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale structural and electrical evolution of Ta- and Ti-based contacts on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of interfaces at gate dielectrics on compound semiconductors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Nanoscale transport properties at silicon carbide interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical properties of CeO2 thin films deposited on AlGaN/GaN heterostructure (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Two Dimensional Imaging of the Laterally Inhomogeneous Au/4H-SiC Schottky Barrier by Conductive Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning Capacitance Microscopy in Microelectronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Atomic Force Microscopy Study of the Kinetic Roughening in Nanostructured Gold Films on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Toward an ideal Schottky barrier on 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale current transport through Schottky contacts on wide bandgap semiconductors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Highly Efficient Low Reverse Biased 4H-SiC Schottky Photodiodes for UV-Light Detection (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale reliability aspects of insulator onto wide band gap compounds (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activation and carrier compensation in Si and Mg implanted GaN by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Ni/GaN Schottky Contacts on High-temperature Annealed GaN Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Au/Si nanodroplets towards Si nanowires formation: characterization of the thermal-induced self-organization mechanism (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Annealing temperature dependence of the electrically active profiles and surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Correlation between microstructure and temperature dependent electrical behavior of annealed Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Optimisation of epitaxial layer growth by Schottky diodes electrical characterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Barrier inhomogeneity and electrical properties of Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Micro and nanoscale electrical characterization of large-area graphene transferred to functional substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Photocurrent gain in 4H-SiC interdigit Schottky UV detectors with a thermally grown oxide layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Charge Transport in Microelectronics Materials at Nanoscale by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky Barrier Height in self-Assembled gold nanoparticles on 6H-SIC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Acceptor, compensation, and mobility profiles in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Fowler-Nordheim tunneling at SiO2/4H-SiC interfaces in metal-oxide-semiconductor field effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Quantitative determination of depth carrier profiles in ion-implanted Gallium Nitride (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High efficiency 4H-SiC Schottky UV-photodiodes using self-aligned semitransparent contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electronic transport at monolayer-bilayer junctions in epitaxial graphene on SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Energy efficiency Through Novel AlGaN/GaN heterostructures (ETNA) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Microstructure and current transport in Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to n-type AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• GaN High Electron Mobility Transistors: a competitor for SiC Transistors? (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
• Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Schottky-Ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: the effect of non uniform Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Silicon carbide: Defects and devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion-beam induced modifications of titanium Schottky barrier on 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical characterization of inhomogeneous Ni2Si/SiC Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Comparative study of gate oxide in 4H-SiC lateral MOSFETs subjected to post-deposition-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Silicon carbide pinch rectifiers using a dual-metal Ti/Ni2Si Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: is it really a solved problem? (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure of Au nanoclusters formed in and on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Origin of the current transport anisotropy in epitaxial graphene grown on vicinal 4H-SiC (0001) surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Electrical and structural properties of AIGaN/GaN heterostructures grown onto 8° -off-axis 4H-SiC epilayers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Reduction of the power dissipation in silicon carbide Schottky rectifiers by a dual-metal planar structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Poole-Frenkel emission in epitaxial nickel oxide on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale Probing of Interfaces in GaN for Devices Applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Current transport in graphene/AlGaN/GaN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• 4H-SiC Schottky Photodiodes for Ultraviolet Light Detection (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical and reliability investigation of AlGaN/GaN HEMTs grown on 8° off-axis 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Interdigit 4H-SiC vertical Schottky diode for beta-voltaic applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• High resolution study of structural and electronic properties of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Carrier transport in annealed inhomogeneous Au/Ni/p-GaN interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Processing for SiC devices: new trends in metallization (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
• Silicon Carbide: Defects and Devices (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
• SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Electrical nanocharacterization of epitaxial graphene/silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Near-surface processing on AlGaN/GaN heterostructures: a nanoscale electrical and structural characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of processing conditions on the behaviour of 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Challenges for energy efficient wide band gap semiconductors power devices (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
• Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale electro-structural characterisation of ohmic contacts formed on p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-organization of Au nanoclusters on the SiO2 surface induced by 200 keV-Ar+ irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-assembled metal nanostructures in semiconductor structures (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Interdigit 4H-SiC Vertical Schottky Diode for Betavoltaic Applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-organization of gold nanoclusters on hexagonal SiC and SiO2 surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoimaging in SiC and Related Materials: Beyond Surface Morphology to Charge Transport and Physical Parameters Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High density Wide band gap (WBG) Diode: structure and process (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
• Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Kinetic mechanisms of the in situ electron beam-induced self-organization of gold nanoclusters in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical behavior of AlGaN/GaN heterostuctures upon high-temperature selective oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Normal and abnormal grain growth in nanostructured gold film (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Comparative study of the current transport mechanisms in Ni2Si Ohmic contacts on n- and p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical characteristics of Schottky contacts on Ge-doped 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ti/Al ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures with different defect density (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current transport in graphene/AlGaN/GaN vertical heterostructures probed at nanoscale (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microscopic mechanisms of graphene electrolytic delamination from metal substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Promoting and structuring a multidisciplinary academic-industrial network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates (MANSiC) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• High responsivity 4H-SiC Schottky UV photodiodes based on the pinch-off surface effect (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Defects and electrical behavior in 1 MeV Si+-ion-irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between nanoscale and macroscopic properties of ohmic and Schottky contacts on n-type GaN (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Temperature dependence of the c-axis drift mobility in 4H-SIC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of structural and electrical properties of Au/Ni contacts onto p-GaN after annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure and transport properties in alloyed Ohmic contacts to p-type SiC and GaN for power devices applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of different post-implantation annealing conditions on the electrical properties of interfaces to p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Defect evolution in ion irradiated 6H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Thermodynamic Properties of Supported and Embedded Metallic Nanocrystals: Gold on/in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Temperature Stability of Breakdown Voltage on SiC Power Schottky Diodes with Different Barrier Heights (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Drift mobility in 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of annealing temperature on the degree of inhomogeneity of nickel-silicide/SiC Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
• Richardson's constant in inhomogeneous silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Interaction between dislocations and He-implantation-induced voids in GaN epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Dual metal SiC Schottky rectifiers with low power dissipation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Process for manufacturing a schottky contact on a semiconductor substrate (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical behaviour of GaN and AlGaN materials after high temperature annealing and thermal oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• On the Aging Effects of 4H-SiC Schottky Photodiodes Under High Intensity Mercury Lamp Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Annealing behavior of Ta-based contacts on AlGaN/GAN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)

Coautore

• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Persona)
• GIUSEPPE GRECO (Persona)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale interno)
• Gabriele Fisichella (Unità di personale esterno)
• ALESSIA MARIA FRAZZETTO (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• ANDREA CANINO (Persona)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• MING HUNG WENG (Unità di personale esterno)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Persona)
• RICCARDO DE BASTIANI (Unità di personale esterno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA SCIUTO (Unità di personale esterno)
• CRISTINA TUDISCO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• ANTONELLA SCIUTO (Persona)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Unità di personale esterno)
• MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Responsabile di

• Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni (MD.P05.003) (Commessa)

Nome

• FABRIZIO (literal)

Cognome

• ROCCAFORTE (literal)

Afferisce a

• Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM) (Istituto)

Ha pubblicazioni con

• Ferdinando Iucolano (Persona)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• VITO RAINERI (Persona)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• LUCIA CALCAGNO (Unità di personale esterno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA SCIUTO (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Autore CNR

• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical characteristics of Pt/3C-SiC Schottky contacts upon thermal annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Richardson's constant in inhomogeneous silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Dual metal SiC Schottky rectifiers with low power dissipation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Interaction between dislocations and He-implantation-induced voids in GaN epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of annealing temperature on the degree of inhomogeneity of nickel-silicide/SiC Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Drift mobility in 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature Stability of Breakdown Voltage on SiC Power Schottky Diodes with Different Barrier Heights (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Defect evolution in ion irradiated 6H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature dependence of the c-axis drift mobility in 4H-SIC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Defects and electrical behavior in 1 MeV Si+-ion-irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High responsivity 4H-SiC Schottky UV photodiodes based on the pinch-off surface effect (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical behavior of AlGaN/GaN heterostuctures upon high-temperature selective oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Normal and abnormal grain growth in nanostructured gold film (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Kinetic mechanisms of the in situ electron beam-induced self-organization of gold nanoclusters in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Interdigit 4H-SiC Vertical Schottky Diode for Betavoltaic Applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale electro-structural characterisation of ohmic contacts formed on p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Near-surface processing on AlGaN/GaN heterostructures: a nanoscale electrical and structural characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Quantitative high-resolution two-dimensional profiling of sic by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical characterization of nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Highly reproducible ideal SiC Schottky rectifiers: effects of surface preparation and thermal annealing on the Ni/6H-SiC barrier height (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of epitaxial layer growth parameters on the defect density and on the electrical characteristics of Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Defects in He+ irradiated 6H-SiC probed by DLTS and LTPL measurements (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal treatments on the structural and electrical properties of Ni/Ti bilayers Schottky contacts on 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of TiW/Au thin films as metallization stack for high temperature and harsh environment devices on 6H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Tailoring the Ti/4H-SiC Schottky barrier by ion irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Transport localization in heterogeneous Schottky barriers of quantum-defined metal films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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• High spatial and energy resolution characterization of lateral inhomogeneous Schottky barriers by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electro-optical response of ion-irradiated 4H-SiC Schottky ultraviolet photodetectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of high-temperature GaN annealed surface on the electrical properties of Ni/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• On the Aging Effects of 4H-SiC Schottky Photodiodes Under High Intensity Mercury Lamp Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical behaviour of GaN and AlGaN materials after high temperature annealing and thermal oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reduction of the power dissipation in silicon carbide Schottky rectifiers by a dual-metal planar structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Silicon carbide pinch rectifiers using a dual-metal Ti/Ni2Si Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: is it really a solved problem? (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Silicon carbide: Defects and devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion-beam induced modifications of titanium Schottky barrier on 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical characterization of inhomogeneous Ni2Si/SiC Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky-Ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: the effect of non uniform Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure and current transport in Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to n-type AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High efficiency 4H-SiC Schottky UV-photodiodes using self-aligned semitransparent contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Quantitative determination of depth carrier profiles in ion-implanted Gallium Nitride (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Acceptor, compensation, and mobility profiles in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Photocurrent gain in 4H-SiC interdigit Schottky UV detectors with a thermally grown oxide layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Barrier inhomogeneity and electrical properties of Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Toward an ideal Schottky barrier on 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale current transport through Schottky contacts on wide bandgap semiconductors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Highly Efficient Low Reverse Biased 4H-SiC Schottky Photodiodes for UV-Light Detection (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Atomic Force Microscopy Study of the Kinetic Roughening in Nanostructured Gold Films on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale transport properties at silicon carbide interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Limiting mechanism of inversion channel mobility in Al-implanted lateral 4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Charge Transport in Microelectronics Materials at Nanoscale by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky Barrier Height in self-Assembled gold nanoparticles on 6H-SIC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two Dimensional Imaging of the Laterally Inhomogeneous Au/4H-SiC Schottky Barrier by Conductive Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning Capacitance Microscopy in Microelectronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical behaviour of detective AlGaN/GaN heterostructures grown on misoriented (8°-off-axis) 4H-SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current Transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts to GaN and AlGaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ohmic Contact to SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Optical properties of 3C and 4H SiC for the fabrication of UV detectors with superior performances (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
• From SiC to other related materials (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
• Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Processing for SiC devices: new trends in metallization (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
• Silicon Carbide: Defects and Devices (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
• Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio (Manufatti, prototipi d'arte e relativi progetti) (Prodotto della ricerca)
• Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Process for manufacturing a schottky contact on a semiconductor substrate (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• cooperation project GALILEO between IMM-Catania and LMP-Tours (France), entitled “Nanostructured processes for wide-band gap semiconductors”, funded by the Italian-French University (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Large area silicon carbide substrates and heteroepitaxial GaN for power devices applications (LAST - POWER) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effect of surrounding environment on atomic structure and equilibrium shape of growing nanocrystals: gold in/on SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Self-Assembled Nano-Schottky Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Kinetic mechanism of the thermal-induced self-organization of Au/Si nanodroplets on Si(100): Size and roughness evolution (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activation and carrier compensation in Si and Mg implanted GaN by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Clustering of gold on 6H-SiC and local nanoscale electrical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky barrier height in self-assembled gold nanoparticles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky Barrier Inhomogeneities in Nickel Silicide Transrotational Contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Annealing behavior of Ta-based contacts on AlGaN/GAN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Poole-Frenkel emission in epitaxial nickel oxide on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-organization of gold nanoclusters on hexagonal SiC and SiO2 surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Self-organization of Au nanoclusters on the SiO2 surface induced by 200 keV-Ar+ irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure of Au nanoclusters formed in and on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between nanoscale and macroscopic properties of ohmic and Schottky contacts on n-type GaN (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of different post-implantation annealing conditions on the electrical properties of interfaces to p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of structural and electrical properties of Au/Ni contacts onto p-GaN after annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure and transport properties in alloyed Ohmic contacts to p-type SiC and GaN for power devices applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electronic transport at monolayer-bilayer junctions in epitaxial graphene on SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Thermodynamic Properties of Supported and Embedded Metallic Nanocrystals: Gold on/in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Critical issues for interfaces to p-type SiC and GaN in power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature and Light Induced Effects on the Capacitance of 4H-SiC Schottky Photodiodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Micro and nanoscale electrical characterization of large-area graphene transferred to functional substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Schottky-Ohmic Transition in Nickel Sllicide/SiC System: Is it Really a Solved Problem? (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• A nanoscale look in the channel of 4H-SiC lateral MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Progetto Nazionale PON - Ambition Power (PON01_00700) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoimaging in SiC and Related Materials: Beyond Surface Morphology to Charge Transport and Physical Parameters Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-assembled metal nanostructures in semiconductor structures (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between leakage current and ion-irradiation induced defects in 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Promoting and structuring a multidisciplinary academic-industrial network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates (MANSiC) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Nanoscale structural and electrical evolution of Ta- and Ti-based contacts on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Binary and complex oxide thin films for microelectronic applications: An insight into their growth and advanced nanoscopic investigation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• High permittivity cerium oxide thin films on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical and structural properties of AIGaN/GaN heterostructures grown onto 8° -off-axis 4H-SiC epilayers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Electro-structural evolution and Schottky barrier height in annealed Au/Ni contacts onto p-GaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Correlation between microstructure and temperature dependent electrical behavior of annealed Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Comparison between Ta- and Ti-based Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Conduction mechanisms in epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructure (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Recent advances on passivation processes for SiC and GaN power devices (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Optimisation of epitaxial layer growth by Schottky diodes electrical characterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Au/Si nanodroplets towards Si nanowires formation: characterization of the thermal-induced self-organization mechanism (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Annealing temperature dependence of the electrically active profiles and surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Ni/GaN Schottky Contacts on High-temperature Annealed GaN Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning probe microscopy investigation of the mechanisms limiting electronic transport in substrate-supported graphene (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of processing conditions on the behaviour of 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Challenges for energy efficient wide band gap semiconductors power devices (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
• Nanoscale electrical and structural modification induced by rapid thermal oxidation of AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• GaN High Electron Mobility Transistors: a competitor for SiC Transistors? (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
• Comparative study of gate oxide in 4H-SiC lateral MOSFETs subjected to post-deposition-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Electrical properties of CeO2 thin films deposited on AlGaN/GaN heterostructure (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Nanoscale characterization of interfaces at gate dielectrics on compound semiconductors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Origin of the current transport anisotropy in epitaxial graphene grown on vicinal 4H-SiC (0001) surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale reliability aspects of insulator onto wide band gap compounds (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition of hafnium oxide on semiconductor substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Electronic properties of epitaxial graphene residing on SiC facets probed by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Challenges for energy efficient wide band gap semiconductors power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• From Schottky to Ohmic graphene contacts to AlGaN/GaN heterostructures: role of the AlGaN layer microstructure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
• Fowler-Nordheim tunneling at SiO2/4H-SiC interfaces in metal-oxide-semiconductor field effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical nanocharacterization of epitaxial graphene/silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• High resolution study of structural and electronic properties of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Carrier transport in annealed inhomogeneous Au/Ni/p-GaN interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Electrical and reliability investigation of AlGaN/GaN HEMTs grown on 8° off-axis 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Interdigit 4H-SiC vertical Schottky diode for beta-voltaic applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• 4H-SiC Schottky Photodiodes for Ultraviolet Light Detection (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale Probing of Interfaces in GaN for Devices Applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Current transport in graphene/AlGaN/GaN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current transport in graphene/AlGaN/GaN vertical heterostructures probed at nanoscale (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microscopic mechanisms of graphene electrolytic delamination from metal substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ti/Al ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures with different defect density (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Comparative study of the current transport mechanisms in Ni2Si Ohmic contacts on n- and p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical characteristics of Schottky contacts on Ge-doped 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Energy efficiency Through Novel AlGaN/GaN heterostructures (ETNA) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Nanoscale characterization of SiC interfaces and devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of surface processing on the electrical properties of p-type implanted 4H-SiC for power devices (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Comparison of Si, Sapphire, SiC, and GaN Substrates for HEMT Epitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Micro-Raman characterization of graphene grown on SiC(000-1) (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• High density Wide band gap (WBG) Diode: structure and process (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)

Coautore

• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• ANTONELLA SCIUTO (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Unità di personale esterno)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA SCIUTO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• MING HUNG WENG (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• RICCARDO DE BASTIANI (Unità di personale esterno)
• ALESSIA MARIA FRAZZETTO (Persona)
• GIUSEPPE GRECO (Persona)
• Gabriele Fisichella (Unità di personale esterno)
• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)
• ANDREA CANINO (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale interno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22802
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)
• CRISTINA TUDISCO (Unità di personale esterno)

Ha pubblicazioni con

• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA SCIUTO (Unità di personale esterno)
• LUCIA CALCAGNO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)

Partecipazione di

• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. FABRIZIO ROCCAFORTE nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. FABRIZIO ROCCAFORTE nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)

Ha afferente

• Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM) (Istituto)

Responsabile

• Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni (MD.P05.003) (Commessa)

Gestore

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Rapporto con persona

• Rapporto con CNR di DOTT. FABRIZIO ROCCAFORTE (Rapporto con CNR)