ROBERTO FORNARI
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- Rapporto con CNR di DOTT. ROBERTO FORNARI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Characterization of GaN/InGaN hetero-structures by Raman spectroscopy, PL and CL (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Recent improvements in detection performances of radiation detectors based on bulk semi-insulating inp (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Vapor Phase Epitaxial growth and properties of III-nitride materials (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Role of electron technology in radiation detector based on semi-insulating InP in development of detector array (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of thermal annealing on gan epilayers deposited on (0001) sapphire (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Compositional and optical uniformity of InGaN layers deposited on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nitride-based hetero-structures for opto-electronic devices in the UV-Vis ran (Altre pubblicazioni) (Prodotto della ricerca)
- A study of indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Correlation of crystal defects and galvanomagnetic parameters of semi-insulating inp with performance of radiation detectors fabricated from characterised materials (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Determination of traces of Iron in Indium Phosphide by electro-thermal atomic absorption spectroscopy combined with solvent extraction (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Properties of InGaN layers grown by atmospheric pressure MOVPE (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- The growth from the melt and its application to production of semiconductor single crystals (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Assessment of the short and long range homogeneity of MOVPE-grown InGan epilayers (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- A study of In incorporation in InGaN layers grown by atmospheric pressure MOVPE (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
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