VITO RAINERI

Type

• Persona (Classe)

Label

• VITO RAINERI (literal)
• VITO RAINERI (literal)

Partecipa a commessa

• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. VITO RAINERI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. VITO RAINERI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)

Persona in rapporto

• Rapporto con CNR di DOTT. VITO RAINERI (Rapporto con CNR)

Autore CNR di

• Scanning Probe Microscopy on heterogeneous CaCu(3)Ti(4)O(12) thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• CaCu(3)Ti(4)O(12) single crystals: insights on growth and nanoscopic investigation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Highly Efficient Low Reverse Biased 4H-SiC Schottky Photodiodes for UV-Light Detection (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale electro-structural characterisation of ohmic contacts formed on p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical properties of the graphene/4H-SiC(0001) interface probed by scanning current spectroscopy (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
• Toward an ideal Schottky barrier on 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale current transport through Schottky contacts on wide bandgap semiconductors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Scanning tip measurement for identification of point defects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Near-surface processing on AlGaN/GaN heterostructures: a nanoscale electrical and structural characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Interdigit 4H-SiC Vertical Schottky Diode for Betavoltaic Applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Size effects on the electrical activation of low-energy implanted B in Si (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures studied by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between leakage current and ion-irradiation induced defects in 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy: quantitative profiling down to nanostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Breakdown Kinetics at nanometer Scale of Innovative MOS Devices by Conductive Atomic Force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical behaviour of detective AlGaN/GaN heterostructures grown on misoriented (8°-off-axis) 4H-SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion beam induced defects in graphene: Raman spectroscopy and DFT calculations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microscopic study of electrical properties of CrSi(2) nanocrystals in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure of Au nanoclusters formed in and on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Clustering of gold on 6H-SiC and local nanoscale electrical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ohmic Contact to SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• CaCu3Ti4O12, a novel material for capacitive applications: thin film growth and characterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Current Transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts to GaN and AlGaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale modification of graphene transport properties by ion irradiation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Electron transport and dielectric breakdown kinetics in Pr2O3 high k films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Mesoscopic Transport Properties in Exfoliated Graphene on SiO2/Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of graphene-SiC interface by nanoscale electrical characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Buried nano - Structured layers in high temperature - Pressure treated Si : He (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Conductive Atomic Force Microscopy studies on the reliability of thermally oxidized SiO2/4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two Dimensional Imaging of the Laterally Inhomogeneous Au/4H-SiC Schottky Barrier by Conductive Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning Capacitance Microscopy in Microelectronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale structural characterization of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• On the Aging Effects of 4H-SiC Schottky Photodiodes Under High Intensity Mercury Lamp Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale capacitive behaviour of ion irradiated graphene on silicon oxide substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical behaviour of GaN and AlGaN materials after high temperature annealing and thermal oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Uniformity of Epitaxial Graphene on On-axis and Off-axis SiC Probed by Raman Spectroscopy and Nanoscale Current Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electron transport properties of calix[4]arene based systems in a metal-molecule-metal junction (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Role of surface nanovoids on interstitial trapping in He implanted crystalline Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• He implantation in Si for B diffusion control (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• He induced nanovoids for point-defect engineering in B-implanted crystalline Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Thermodynamic Properties of Supported and Embedded Metallic Nanocrystals: Gold on/in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Advanced characterisation of materials and devices (Curatela) (Prodotto della ricerca)
• Carrier transport in advanced semiconductor materials (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Electrical Properties of Self-Assembled Nano-Schottky Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Size-dependent Schottky barrier height in self-assembled gold nanoparticles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Thermal oxidation of Si (001) single crystal implanted with Ge ions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Transport properties of graphene with nanoscale lateral resolution (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
• Effect of surrounding environment on atomic structure and equilibrium shape of growing nanocrystals: gold in/on SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size effects on the electrical activation of low-energy implanted B in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy: Quantitative carrier profiling down to nanostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• He implantation to control B diffusion in crystalline and preamorphized Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Kinetic mechanism of the thermal-induced self-organization of Au/Si nanodroplets on Si(100): Size and roughness evolution (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• New materials with Ultra high k dielectric constant fOr Tomorrow wireless electronics (NUOTO) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Direct observation of two-dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Charge Transport in Microelectronics Materials at Nanoscale by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky Barrier Height in self-Assembled gold nanoparticles on 6H-SIC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• SPM techniques for carrier profiling at advanced technology nodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reorientable dipolar CuCa antisite and anomalous screening in CaCu3Ti4O12 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Fundamentals and Technology of Multifunctional Oxide Thin Film (Curatela) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1501)
• Comparison between chemical and electrical profiles in Al+ or N+ implanted and annealed 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Localization of He induced nanovoids in buried Si1-xGex thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Reorientable dipolar Cu-Ca antisite and anomalous screening in CaCu3Ti4O12 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale imaging and metrology of devices and innovative materials (Curatela) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Sintesi di grafene su substrati SiC off axis (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Interaction between dislocations and He-implantation-induced voids in GaN epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Praseodymium based dielectrics: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) growth, characterization and applications (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Dual metal SiC Schottky rectifiers with low power dissipation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Submicron confinement effect on electrical activation of B implanted in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky-Ohmic Transition in Nickel Sllicide/SiC System: Is it Really a Solved Problem? (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Richardson's constant in inhomogeneous silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• A simple route to the synthesis of Pr2O3 high-k thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Nanoscale imaging of CaCu3Ti4O12 dielectric properties: the role of surface defects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional interstitial diffusion in silicon monitored by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Near-field photocurrent measurements on boron-implanted silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two dimensional boron diffusion determination by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Quantitative high-resolution two-dimensional profiling of sic by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical characterization of nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional effects on ultralow energy B implants in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reliability of thermally oxidized SiO2/4H-SiC by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Interstitial diffusion influence upon two-dimensional boron profiles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High responsivity 4H-SiC Schottky UV photodiodes based on the pinch-off surface effect (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Defects and electrical behavior in 1 MeV Si+-ion-irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of the morphology and electrical characteristics of FeSi2 quantum dots on silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of two-dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline silicon at 800 degrees C and at room temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Environment influence on Ti diffusion and layer degradation of a SiC/Ni2Si/TiW/Au contact structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between nanoscale and macroscopic properties of ohmic and Schottky contacts on n-type GaN (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Simulation of scanning capacitance microscopy measurements on ultranarrow doping profiles in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical characterization of n(+)-type ion-implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-organization of Au nanoclusters on the SiO2 surface induced by 200 keV-Ar+ irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-interstitial diffusion and clustering with impurities in crystalline silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature Stability of Breakdown Voltage on SiC Power Schottky Diodes with Different Barrier Heights (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Assessing the performance of two-dimensional dopant profiling techniques (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Anchoring molecular magnets on the Si(100) surface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Tailoring the Ti/4H-SiC Schottky barrier by ion irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of TiW/Au thin films as metallization stack for high temperature and harsh environment devices on 6H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Transport localization in heterogeneous Schottky barriers of quantum-defined metal films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Metal-organic chemical vapour deposition of Nd-2/3 Cu3Ti4O12 films (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Conductive atomic force microscopy and Scanning impedance microscopy for the imaging of electrical domain in CaCu3Ti4O12 perovskite oxide (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Probing heterogeneity in ptcr-BaTiO3 thermistors by local probe electrical measurements (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Breakdown kinetics of Pr2O3 films by conductive-atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Probing dielectric ceramics surface at sub-micrometer scale (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Self-organization of gold nanoclusters on hexagonal SiC and SiO2 surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• From micro- to nanotransport properties in Pr2O3-based thin layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of deposition temperature on the microstructural and electrical properties of praseodymium oxide-based films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Praseodymium silicate as a high-k dielectric candidate: An insight into the Pr2O3-film/Si-substrate interface fabricated through a metal-organic chemical vapor deposition process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal treatments on the structural and electrical properties of Ni/Ti bilayers Schottky contacts on 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Kinetic mechanisms of the in situ electron beam-induced self-organization of gold nanoclusters in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical behavior of AlGaN/GaN heterostuctures upon high-temperature selective oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Normal and abnormal grain growth in nanostructured gold film (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Detection of heterogeneities in single-crystal CaCu3Ti4O12 using Conductive Atomic Force Microscopy (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale capacitive behaviour of ion irradiated graphene on silicon oxide substrate (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Native point defects in CaCu3Ti4O12 (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Electrical properties of the graphene/4H-SiC (0001) interface probed by scanning current spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• B activation enhancement in submicron confined implants in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Perovskite CaCu3Ti4O12 thin films for capacitive applications: From the growth to the nanoscopic imaging of the permittivity (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Hydrosilation of 1-alkyne at nearly flat, terraced, homogeneously hydrogen-terminated silicon(100) surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Scanning capacitance microscopy on ultranarrow doping profiles in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved reproducibility in scanning capacitance microscopy for quantitative 2D carrier profiling on silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• New insight on the interaction and diffusion properties of ion beam injected self-interstitials in crystalline silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Highly reproducible ideal SiC Schottky rectifiers: effects of surface preparation and thermal annealing on the Ni/6H-SiC barrier height (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ion irradiation and defect formation in single layer graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Dielectric properties of Pr2O3 high-k films grown by metalorganic chemical vapor deposition on silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of high-temperature GaN annealed surface on the electrical properties of Ni/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical properties of MOCVD praseodymium oxide based MOS structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Structural and compositional investigation of high k praseodymium oxide films deposited by MOCVD (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of substrate dielectric permittivity on local capacitive behavior in graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Screening Length and Quantum Capacitance in Graphene by Scanning Probe Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Irradiation damage in graphene on SiO2 probed by local mobility measurements (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Direct imaging of the core-shell effect in positive temperature coefficient of resistance-BaTiO3 ceramics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electro-optical response of ion-irradiated 4H-SiC Schottky ultraviolet photodetectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Defects induced anomalous breakdown kinetics in Pr2O3 by micro- and nano-characterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale imaging of permittivity in giant-kappa CaCu3Ti4O12 grains (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of high temperature annealing on MOCVD grown CaCu3Ti4O12 films on LaAlO3 substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Scanning capacitance microscopy of semiconductors for process and device characterisation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Role of C in the formation and kinetics of nanovoids induced by He+ implantation in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Symposium on Carbon Nanotubes and Graphene - Low Dimensional Carbon Structures held at the E-MRS 2009 Spring Meeting Strasbourg, FRANCE, JUN 08-12, 2009 (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical characteristics of Pt/3C-SiC Schottky contacts upon thermal annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of graphene/4H-SiC(0001) interface on electrostatic properties in graphene (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activation and carrier compensation in Si and Mg implanted GaN by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Chemical stability of CaCu3Ti4O12 thin films grown by MOCVD on different substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Optical, morphological and spectroscopic characterization of graphene on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• High spatial and energy resolution characterization of lateral inhomogeneous Schottky barriers by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature dependence of the specific resistance in Ti/Al/Ni/Au contacts on n-type GaN (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• The graphene / SiC interface and local transport properties (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Breakdown kinetics at nanometer scale of innovative MOS devices by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Properties of Pr-based high k dielectric films obtained by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Thin films advanced dielectrics for high frequency applications: deposition, (nano)characterization and device fabrication (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Promoting and structuring a multidisciplinary academic-industrial network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates (MANSiC) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical and structural properties of AIGaN/GaN heterostructures grown onto 8° -off-axis 4H-SiC epilayers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Schottky-Ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: the effect of non uniform Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Experimental aspects and modeling for quantitative measurements in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of the thermal annealing processes on praseodymium oxide based films grown on silicon substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical characterization of inhomogeneous Ni2Si/SiC Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Silicon carbide: Defects and devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion-beam induced modifications of titanium Schottky barrier on 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: is it really a solved problem? (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Silicon carbide pinch rectifiers using a dual-metal Ti/Ni2Si Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Boron interaction with extended defects induced by He-H co-implantation in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Impact of hydrogen implantation on helium implantation induced defects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current transport by defects in Pr2O3 high k films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy two-dimensional carrier profiling for ultra-shallow junction characterization in deep submicron technology (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Reduction of the power dissipation in silicon carbide Schottky rectifiers by a dual-metal planar structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Process for manufacturing a schottky contact on a semiconductor substrate (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• Method for manufacturing electronic devices in semiconductor substrates provided with gettering sites (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• The early oxynitridation stages of hydrogen-terminated (100) silicon after exposure to N-2 : N2O. III. Initial conditions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two dimensional interstitial diffusion in mesoscopic structures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Colossal permittivity in advanced functional heterogeneous materials: the relevance of the local measurements at submicron scale (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
• Calcium Copper-Titanate Thin Film Growth: Tailoring of the Operational Conditions through Nanocharacterization and Substrate Nature Effects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Barrier inhomogeneity and electrical properties of Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• 4H-SiC Schottky Photodiode Based Demonstrator Board for UV-Index Monitoring (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Localized electrical characterization of the giant permittivity effect in CaCu3Ti4O12 ceramics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Strengths and limitations of the vacancy engineering approach for the control of dopant diffusion and activation in silicon (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Lateral uniformity of the transport properties of graphene/4H-SiC (0001) interface by nanoscale current measurements (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Graphene: Synthesis and nanoscale characterization of electronic properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High efficiency 4H-SiC Schottky UV-photodiodes using self-aligned semitransparent contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Quantitative determination of depth carrier profiles in ion-implanted Gallium Nitride (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Acceptor, compensation, and mobility profiles in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Photocurrent gain in 4H-SiC interdigit Schottky UV detectors with a thermally grown oxide layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Local electrical properties of the 4H-SiC(0001)/graphene interface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure and current transport in Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to n-type AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Praseodymium based high-k dielectrics grown on Si and SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Graphene on SiC wafers for high performant RF transistors (GRAPHIC-RF) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoimaging in SiC and Related Materials: Beyond Surface Morphology to Charge Transport and Physical Parameters Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High capacitance density by CaCu3Ti4O12 thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Au/Si nanodroplets towards Si nanowires formation: characterization of the thermal-induced self-organization mechanism (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Annealing temperature dependence of the electrically active profiles and surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Lateral homogeneity of the electronic properties in pristine and ion-irradiated graphene probed by scanning capacitance spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Limiting mechanism of inversion channel mobility in Al-implanted lateral 4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electronic properties of graphene probed at the nanoscale (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-assembled metal nanostructures in semiconductor structures (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Ni/GaN Schottky Contacts on High-temperature Annealed GaN Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Role of graphene/substrate interface on the local transport properties of the two-dimensional electron gas (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Native point defects in CaCu3Ti4O12 (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio (Manufatti, prototipi d'arte e relativi progetti) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Thermal oxidation of As and Ge implanted Si(100) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Dielectric thickness dependence of capacitive behavior in graphene deposited on silicon dioxide (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Atomic Force Microscopy Study of the Kinetic Roughening in Nanostructured Gold Films on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale transport properties at silicon carbide interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Diffusion and activation of ultra shallow boron implants in silicon in proximity of voids (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)

Coautore

• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ANTONIO TERRASI (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• GIUSEPPE GRECO (Persona)
• ALBERTO CARNERA (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA SCIUTO (Unità di personale esterno)
• ALESSIA MARIA FRAZZETTO (Persona)
• Carmelo Vecchio (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• MARIA MICHELA GIANGREGORIO (Unità di personale esterno)
• SUSHANT SUDAM SONDE (Persona)
• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• FABIO SANTO IACONA (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE SPOTO (Persona)
• SETTIMIO MOBILIO (Unità di personale esterno)
• DAVIDE DE SALVADOR (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO PRIOLO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO PRIOLO (Unità di personale esterno)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• DANIELE D'ANGELO (Unità di personale esterno)
• ROSINA CELESTE PONTERIO (Persona)
• ELENA BRUNO (Unità di personale esterno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
• ANDREA CANINO (Persona)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• ANTONELLA SCIUTO (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• MING HUNG WENG (Unità di personale esterno)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• STEFANO COLONNA (Unità di personale interno)
• PIETRO DAVIDE DELUGAS (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• ROBERTA GRAZIA TORO (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ANTONIO CRICENTI (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FRANCESCO ALIOTTA (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• EMANUELA BRUNO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE MIRABELLA (Persona)
• MARINA BERTI (Unità di personale esterno)
• RICCARDO DE BASTIANI (Unità di personale esterno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Unità di personale esterno)
• PIETRO DAVIDE DELUGAS (Unità di personale esterno)
• PAOLA ALIPPI (Unità di personale interno)
• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• GABRIELE BISOGNIN (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE LOMBARDO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• ANTONIO TERRASI (Unità di personale esterno)

Nome

• VITO (literal)

Cognome

• RAINERI (literal)

Afferisce a

• Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM) (Istituto)

Ha pubblicazioni con

• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA SCIUTO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• LUCIA CALCAGNO (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Unità di personale interno)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• SALVATORE LOMBARDO (Unità di personale interno)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR

• Scanning capacitance microscopy of semiconductors for process and device characterisation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Symposium on Carbon Nanotubes and Graphene - Low Dimensional Carbon Structures held at the E-MRS 2009 Spring Meeting Strasbourg, FRANCE, JUN 08-12, 2009 (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical characteristics of Pt/3C-SiC Schottky contacts upon thermal annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Structural and compositional investigation of high k praseodymium oxide films deposited by MOCVD (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Native point defects in CaCu3Ti4O12 (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Detection of heterogeneities in single-crystal CaCu3Ti4O12 using Conductive Atomic Force Microscopy (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale capacitive behaviour of ion irradiated graphene on silicon oxide substrate (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Thin films advanced dielectrics for high frequency applications: deposition, (nano)characterization and device fabrication (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Native point defects in CaCu3Ti4O12 (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Two dimensional boron diffusion determination by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional interstitial diffusion in silicon monitored by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• A simple route to the synthesis of Pr2O3 high-k thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Richardson's constant in inhomogeneous silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Dual metal SiC Schottky rectifiers with low power dissipation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Interaction between dislocations and He-implantation-induced voids in GaN epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Submicron confinement effect on electrical activation of B implanted in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• From micro- to nanotransport properties in Pr2O3-based thin layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Breakdown kinetics of Pr2O3 films by conductive-atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Praseodymium silicate as a high-k dielectric candidate: An insight into the Pr2O3-film/Si-substrate interface fabricated through a metal-organic chemical vapor deposition process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of deposition temperature on the microstructural and electrical properties of praseodymium oxide-based films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Anchoring molecular magnets on the Si(100) surface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Assessing the performance of two-dimensional dopant profiling techniques (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Temperature Stability of Breakdown Voltage on SiC Power Schottky Diodes with Different Barrier Heights (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Environment influence on Ti diffusion and layer degradation of a SiC/Ni2Si/TiW/Au contact structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of the morphology and electrical characteristics of FeSi2 quantum dots on silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of two-dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline silicon at 800 degrees C and at room temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-interstitial diffusion and clustering with impurities in crystalline silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Simulation of scanning capacitance microscopy measurements on ultranarrow doping profiles in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical characterization of n(+)-type ion-implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reliability of thermally oxidized SiO2/4H-SiC by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Defects and electrical behavior in 1 MeV Si+-ion-irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High responsivity 4H-SiC Schottky UV photodiodes based on the pinch-off surface effect (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Defects induced anomalous breakdown kinetics in Pr2O3 by micro- and nano-characterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Perovskite CaCu3Ti4O12 thin films for capacitive applications: From the growth to the nanoscopic imaging of the permittivity (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ion irradiation and defect formation in single layer graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical behavior of AlGaN/GaN heterostuctures upon high-temperature selective oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Normal and abnormal grain growth in nanostructured gold film (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Kinetic mechanisms of the in situ electron beam-induced self-organization of gold nanoclusters in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical properties of the graphene/4H-SiC (0001) interface probed by scanning current spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of graphene-SiC interface by nanoscale electrical characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microscopic study of electrical properties of CrSi(2) nanocrystals in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Interdigit 4H-SiC Vertical Schottky Diode for Betavoltaic Applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning tip measurement for identification of point defects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning Probe Microscopy on heterogeneous CaCu(3)Ti(4)O(12) thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• CaCu(3)Ti(4)O(12) single crystals: insights on growth and nanoscopic investigation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale electro-structural characterisation of ohmic contacts formed on p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Near-surface processing on AlGaN/GaN heterostructures: a nanoscale electrical and structural characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional effects on ultralow energy B implants in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Interstitial diffusion influence upon two-dimensional boron profiles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Near-field photocurrent measurements on boron-implanted silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Quantitative high-resolution two-dimensional profiling of sic by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical characterization of nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• New insight on the interaction and diffusion properties of ion beam injected self-interstitials in crystalline silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Scanning capacitance microscopy on ultranarrow doping profiles in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved reproducibility in scanning capacitance microscopy for quantitative 2D carrier profiling on silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Dielectric properties of Pr2O3 high-k films grown by metalorganic chemical vapor deposition on silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Highly reproducible ideal SiC Schottky rectifiers: effects of surface preparation and thermal annealing on the Ni/6H-SiC barrier height (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• B activation enhancement in submicron confined implants in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Hydrosilation of 1-alkyne at nearly flat, terraced, homogeneously hydrogen-terminated silicon(100) surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of thermal treatments on the structural and electrical properties of Ni/Ti bilayers Schottky contacts on 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of TiW/Au thin films as metallization stack for high temperature and harsh environment devices on 6H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Tailoring the Ti/4H-SiC Schottky barrier by ion irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Transport localization in heterogeneous Schottky barriers of quantum-defined metal films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature dependence of the specific resistance in Ti/Al/Ni/Au contacts on n-type GaN (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Breakdown kinetics at nanometer scale of innovative MOS devices by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High spatial and energy resolution characterization of lateral inhomogeneous Schottky barriers by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Chemical stability of CaCu3Ti4O12 thin films grown by MOCVD on different substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electro-optical response of ion-irradiated 4H-SiC Schottky ultraviolet photodetectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale imaging of permittivity in giant-kappa CaCu3Ti4O12 grains (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of high temperature annealing on MOCVD grown CaCu3Ti4O12 films on LaAlO3 substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of high-temperature GaN annealed surface on the electrical properties of Ni/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Direct imaging of the core-shell effect in positive temperature coefficient of resistance-BaTiO3 ceramics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Screening Length and Quantum Capacitance in Graphene by Scanning Probe Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Irradiation damage in graphene on SiO2 probed by local mobility measurements (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• On the Aging Effects of 4H-SiC Schottky Photodiodes Under High Intensity Mercury Lamp Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale capacitive behaviour of ion irradiated graphene on silicon oxide substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical behaviour of GaN and AlGaN materials after high temperature annealing and thermal oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Uniformity of Epitaxial Graphene on On-axis and Off-axis SiC Probed by Raman Spectroscopy and Nanoscale Current Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion beam induced defects in graphene: Raman spectroscopy and DFT calculations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale structural characterization of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Mesoscopic Transport Properties in Exfoliated Graphene on SiO2/Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reduction of the power dissipation in silicon carbide Schottky rectifiers by a dual-metal planar structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• The early oxynitridation stages of hydrogen-terminated (100) silicon after exposure to N-2 : N2O. III. Initial conditions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Silicon carbide pinch rectifiers using a dual-metal Ti/Ni2Si Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: is it really a solved problem? (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current transport by defects in Pr2O3 high k films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Boron interaction with extended defects induced by He-H co-implantation in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Impact of hydrogen implantation on helium implantation induced defects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy two-dimensional carrier profiling for ultra-shallow junction characterization in deep submicron technology (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Silicon carbide: Defects and devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion-beam induced modifications of titanium Schottky barrier on 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical characterization of inhomogeneous Ni2Si/SiC Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of the thermal annealing processes on praseodymium oxide based films grown on silicon substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Experimental aspects and modeling for quantitative measurements in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky-Ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: the effect of non uniform Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Praseodymium based high-k dielectrics grown on Si and SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure and current transport in Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to n-type AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High efficiency 4H-SiC Schottky UV-photodiodes using self-aligned semitransparent contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Quantitative determination of depth carrier profiles in ion-implanted Gallium Nitride (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Acceptor, compensation, and mobility profiles in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Photocurrent gain in 4H-SiC interdigit Schottky UV detectors with a thermally grown oxide layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Barrier inhomogeneity and electrical properties of Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Localized electrical characterization of the giant permittivity effect in CaCu3Ti4O12 ceramics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two dimensional interstitial diffusion in mesoscopic structures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Diffusion and activation of ultra shallow boron implants in silicon in proximity of voids (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Toward an ideal Schottky barrier on 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale current transport through Schottky contacts on wide bandgap semiconductors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Highly Efficient Low Reverse Biased 4H-SiC Schottky Photodiodes for UV-Light Detection (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Atomic Force Microscopy Study of the Kinetic Roughening in Nanostructured Gold Films on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Dielectric thickness dependence of capacitive behavior in graphene deposited on silicon dioxide (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale transport properties at silicon carbide interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Role of graphene/substrate interface on the local transport properties of the two-dimensional electron gas (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Lateral homogeneity of the electronic properties in pristine and ion-irradiated graphene probed by scanning capacitance spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Limiting mechanism of inversion channel mobility in Al-implanted lateral 4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Charge Transport in Microelectronics Materials at Nanoscale by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky Barrier Height in self-Assembled gold nanoparticles on 6H-SIC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• SPM techniques for carrier profiling at advanced technology nodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Conductive Atomic Force Microscopy studies on the reliability of thermally oxidized SiO2/4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Buried nano - Structured layers in high temperature - Pressure treated Si : He (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two Dimensional Imaging of the Laterally Inhomogeneous Au/4H-SiC Schottky Barrier by Conductive Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning Capacitance Microscopy in Microelectronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy: quantitative profiling down to nanostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Size effects on the electrical activation of low-energy implanted B in Si (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures studied by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Breakdown Kinetics at nanometer Scale of Innovative MOS Devices by Conductive Atomic Force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical behaviour of detective AlGaN/GaN heterostructures grown on misoriented (8°-off-axis) 4H-SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reorientable dipolar CuCa antisite and anomalous screening in CaCu3Ti4O12 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current Transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts to GaN and AlGaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electron transport and dielectric breakdown kinetics in Pr2O3 high k films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ohmic Contact to SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• CaCu3Ti4O12, a novel material for capacitive applications: thin film growth and characterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical properties of MOCVD praseodymium oxide based MOS structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Metal-organic chemical vapour deposition of Nd-2/3 Cu3Ti4O12 films (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Probing heterogeneity in ptcr-BaTiO3 thermistors by local probe electrical measurements (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Probing dielectric ceramics surface at sub-micrometer scale (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Conductive atomic force microscopy and Scanning impedance microscopy for the imaging of electrical domain in CaCu3Ti4O12 perovskite oxide (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• The graphene / SiC interface and local transport properties (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Electrical properties of the graphene/4H-SiC(0001) interface probed by scanning current spectroscopy (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
• Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Carrier transport in advanced semiconductor materials (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Advanced characterisation of materials and devices (Curatela) (Prodotto della ricerca)
• Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio (Manufatti, prototipi d'arte e relativi progetti) (Prodotto della ricerca)
• Graphene on SiC wafers for high performant RF transistors (GRAPHIC-RF) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Praseodymium based dielectrics: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) growth, characterization and applications (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Fundamentals and Technology of Multifunctional Oxide Thin Film (Curatela) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1501)
• Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Sintesi di grafene su substrati SiC off axis (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Method for manufacturing electronic devices in semiconductor substrates provided with gettering sites (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• Process for manufacturing a schottky contact on a semiconductor substrate (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale imaging and metrology of devices and innovative materials (Curatela) (Prodotto della ricerca)
• New materials with Ultra high k dielectric constant fOr Tomorrow wireless electronics (NUOTO) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• He implantation in Si for B diffusion control (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• He induced nanovoids for point-defect engineering in B-implanted crystalline Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• He implantation to control B diffusion in crystalline and preamorphized Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effect of surrounding environment on atomic structure and equilibrium shape of growing nanocrystals: gold in/on SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy: Quantitative carrier profiling down to nanostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size effects on the electrical activation of low-energy implanted B in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Self-Assembled Nano-Schottky Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Localization of He induced nanovoids in buried Si1-xGex thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Kinetic mechanism of the thermal-induced self-organization of Au/Si nanodroplets on Si(100): Size and roughness evolution (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activation and carrier compensation in Si and Mg implanted GaN by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Clustering of gold on 6H-SiC and local nanoscale electrical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky barrier height in self-assembled gold nanoparticles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale imaging of CaCu3Ti4O12 dielectric properties: the role of surface defects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-organization of gold nanoclusters on hexagonal SiC and SiO2 surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Self-organization of Au nanoclusters on the SiO2 surface induced by 200 keV-Ar+ irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• High capacitance density by CaCu3Ti4O12 thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electron transport properties of calix[4]arene based systems in a metal-molecule-metal junction (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Microstructure of Au nanoclusters formed in and on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Role of C in the formation and kinetics of nanovoids induced by He+ implantation in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• 4H-SiC Schottky Photodiode Based Demonstrator Board for UV-Index Monitoring (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Calcium Copper-Titanate Thin Film Growth: Tailoring of the Operational Conditions through Nanocharacterization and Substrate Nature Effects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Reorientable dipolar Cu-Ca antisite and anomalous screening in CaCu3Ti4O12 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between nanoscale and macroscopic properties of ohmic and Schottky contacts on n-type GaN (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Thermal oxidation of As and Ge implanted Si(100) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Thermodynamic Properties of Supported and Embedded Metallic Nanocrystals: Gold on/in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Role of surface nanovoids on interstitial trapping in He implanted crystalline Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Optical, morphological and spectroscopic characterization of graphene on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Thermal oxidation of Si (001) single crystal implanted with Ge ions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of graphene/4H-SiC(0001) interface on electrostatic properties in graphene (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of substrate dielectric permittivity on local capacitive behavior in graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Direct observation of two-dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky-Ohmic Transition in Nickel Sllicide/SiC System: Is it Really a Solved Problem? (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Properties of Pr-based high k dielectric films obtained by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Nanoimaging in SiC and Related Materials: Beyond Surface Morphology to Charge Transport and Physical Parameters Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-assembled metal nanostructures in semiconductor structures (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Electronic properties of graphene probed at the nanoscale (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between leakage current and ion-irradiation induced defects in 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Promoting and structuring a multidisciplinary academic-industrial network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates (MANSiC) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Electrical and structural properties of AIGaN/GaN heterostructures grown onto 8° -off-axis 4H-SiC epilayers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Transport properties of graphene with nanoscale lateral resolution (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
• Graphene: Synthesis and nanoscale characterization of electronic properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Colossal permittivity in advanced functional heterogeneous materials: the relevance of the local measurements at submicron scale (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
• Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Local electrical properties of the 4H-SiC(0001)/graphene interface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Lateral uniformity of the transport properties of graphene/4H-SiC (0001) interface by nanoscale current measurements (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Strengths and limitations of the vacancy engineering approach for the control of dopant diffusion and activation in silicon (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Au/Si nanodroplets towards Si nanowires formation: characterization of the thermal-induced self-organization mechanism (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Annealing temperature dependence of the electrically active profiles and surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Ni/GaN Schottky Contacts on High-temperature Annealed GaN Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Comparison between chemical and electrical profiles in Al+ or N+ implanted and annealed 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale modification of graphene transport properties by ion irradiation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)

Coautore

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ANTONIO CRICENTI (Unità di personale interno)
• PAOLA ALIPPI (Unità di personale interno)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• STEFANO COLONNA (Unità di personale interno)
• GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
• ROSINA CELESTE PONTERIO (Persona)
• FRANCESCO ALIOTTA (Unità di personale interno)
• SETTIMIO MOBILIO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO PRIOLO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO PRIOLO (Unità di personale esterno)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Persona)
• ANTONELLA SCIUTO (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• SALVATORE LOMBARDO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Persona)
• GIUSEPPE SPOTO (Persona)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Unità di personale esterno)
• DANIELE D'ANGELO (Unità di personale esterno)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• MARIA MICHELA GIANGREGORIO (Unità di personale esterno)
• Carmelo Vecchio (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA SCIUTO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• MING HUNG WENG (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• DAVIDE DE SALVADOR (Unità di personale esterno)
• GABRIELE BISOGNIN (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• SUSHANT SUDAM SONDE (Persona)
• ANTONIO TERRASI (Unità di personale esterno)
• MARINA BERTI (Unità di personale esterno)
• RICCARDO DE BASTIANI (Unità di personale esterno)
• ALESSIA MARIA FRAZZETTO (Persona)
• GIUSEPPE GRECO (Persona)
• ELENA BRUNO (Unità di personale esterno)
• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)
• ALBERTO CARNERA (Persona)
• EMANUELA BRUNO (Unità di personale esterno)
• PIETRO DAVIDE DELUGAS (Unità di personale esterno)
• ANTONIO TERRASI (Persona)
• ANDREA CANINO (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22802
• ROBERTA GRAZIA TORO (Persona)
• PIETRO DAVIDE DELUGAS (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Unità di personale interno)

Ha pubblicazioni con

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• SALVATORE LOMBARDO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA SCIUTO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• LUCIA CALCAGNO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• FABIO SANTO IACONA (Unità di personale interno)

Ha afferente

• Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM) (Istituto)

Partecipazione di

• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. VITO RAINERI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. VITO RAINERI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)

Rapporto con persona

• Rapporto con CNR di DOTT. VITO RAINERI (Rapporto con CNR)