ANTONELLA POGGI
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- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT.SSA ANTONELLA POGGI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT.SSA ANTONELLA POGGI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT.SSA ANTONELLA POGGI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di DOTT.SSA ANTONELLA POGGI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- The role of the ion implanted emitter state on 6H-SiC power diodes behavior. A statistical study (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with Nitrogen (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Al+ implanted 4H-SiC p+n diodes: SIMS, C-V and DLTS characterizations (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Stresses in SiC MEMS test structures (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Polycrystalline 3C-SiC films deposited on 100 mm Si wafers for MEMS (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Effect of nitrogen implantation at the SiO2/SiC interface on the electron mobility and free carrier density in 4H-SiC metal oxide semiconductor field effect transistor channel (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved electrical characterization of Al-Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO(2) Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Passivation by N Implantation of the SiO2/SiC Acceptor Interface States: Impact on the Oxide Hole Traps and the Gate Oxide Reliability (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Minimum ionizing particle detector based on p(+)n junction SiC diode (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Measurements of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H- and 6H-SiC (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Oxidation kinetics of ion-amorphized (0001) 6H-SiC: Competition between oxidation and recrystallization processes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H-and 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- SiC donor doping by 300°C P implantation: characterisation of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Competition between oxidation and recrystallization in ion amorphized (0001) 6H-SIC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Preparation of Ni2Si contacts: effect on SiC diode operation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Residual stress measurement and simulation of 3C-SiC single and poly crystal cantilevers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC donor doping by 300 degrees C P implantation: Characterization of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Competition between Oxidation and Recrystallization in Ion Amorphized (0001) 6H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Nitridation of the SiO(2)/SiC interface by N(+) implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Structural characterization of alloyed Al/Ti and Ti contacts on SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Radiation hardness after very high neutron irradiation of minimum ionizing particle detectors based on 4H-SiC p(+)n junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ar annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ implanted p+/n 4H-SiC diodes: analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of N implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of Phosphorus Implanted n+/p Junctions Integrated as Source/drain Regions in a 4H-SiC n-MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Sviluppo di un flusso di processo tecnologico per la realizzazione di rivelatori SPAD monolitici (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Growth and Characterization of 3C-SiC Films for Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) Applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ar annealing at 1600 degrees C and 1650 degrees C of Al+ implanted p(+)/n 4H-SiC diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Nitrogen implantation to improve electron channel mobility in 4H SiC MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion Implanted p(+)/n diodes: post-implantation annealing in a silane ambient in a cold-wall low-pressure CVD reactor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Measurements and simulations of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ni-silicide contacts to 6H-SiC: Contact resistivity and barrier height on ion implanted n-type and barrier height on p-type epilayer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- beta-SiC NWs grown on patterned and MEMS silicon substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electron microscope calibration for the Lorentz mode (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical Characterization of Ion Implanted n + /p 6H-SiC Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al/Ti Ohmic Contacts to P-type Ion Implanted 6H-SiC: Mono- and Two-dimensional Analysis of the TLM Data (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of very high neutron fluence irradiation on p+n junction 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicon Carbide and Related Materials 2004 (Curatela) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1501)
- C-V and DLTS analyses of trap-induced graded junctions: the case of Al+ implanted JTE p+n 4H-SiC diodes. (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Annealing Effects on Leakage Current and Epilayer Doping Concentration of p+n Junction 4H-SiC Diodes after Very High Neutron Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Strain Evaluation in SiC MEMS Test Structures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Structural characterisation of alloyed Al/Ti and Ti contacts on SiC (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Measurements of Charge Collection Efficiency of p+/n Junction SiC Detectors (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Minimum ionizing particle detector based on p+n junction SiC diode (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MICROSISTEMI PER DIAGNOSTICA GENETICA (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The role of the ion implanted emitter state on 6H-SiC power diodes behavior. A statistical study. (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Micro-systems for genetic diagnostics (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
- Low-temperature thermal oxidation of ion-amorphized 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of electron traps at the 4H-SiC/SiO2 interface; influence by nitrogen implantation prior to wet oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Micro-systems for genetic diagnostics (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Microsystems for genetic diagnostics (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Rapid screening and identification of illicit drugs by IR absorption spectroscopy and gas chromatography (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A new sensitive and fast detection system for amphetamine type stimulants (ATS), based on gas-chromatography (GC) and hollow fiber infrared absorption spectroscopy (HF-IRAS) (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Radiation Hardness of Minimum Ionizing Particle Detectors Based on SiC p+n Junctions (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Low temperature oxidation of SiC preamorphized by ion implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- FULVIO MANCARELLA (Persona)
- ANDREA SCORZONI (Unità di personale esterno)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- SILVIA MILITA (Persona)
- MARA PASSINI (Persona)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- STEFANO ZAMPOLLI (Persona)
- PIERA MACCAGNANI (Persona)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Persona)
- PAOLO NEGRINI (Unità di personale interno)
- ALBERTO RONCAGLIA (Unità di personale interno)
- ALBERTO CARNERA (Persona)
- CLAUDIO FERRARI (Persona)
- MATTEO BOSI (Unità di personale interno)
- BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
- RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
- IVAN ELMI (Persona)
- FRANCESCA ROSSI (Unità di personale interno)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- FRANCESCA ROSSI (Persona)
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- MARCO BELLEI (Unità di personale esterno)
- GIOVANNI ATTOLINI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
- PIER GIORGIO MERLI (Unità di personale interno)
- GIULIO PIZZOCHERO (Unità di personale interno)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
- MATTEO FERRI (Unità di personale interno)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- GIANCARLO SALVIATI (Persona)
- FRANCESCO LA VIA (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)
- CESARE FRIGERI (Persona)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
- Nome
- ANTONELLA (literal)
- Cognome
- POGGI (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- GIULIO PIZZOCHERO (Unità di personale interno)
- PIER GIORGIO MERLI (Unità di personale interno)
- VITO RAINERI (Persona)
- STEPHEN EDWARD SADDOW (Unità di personale esterno)
- MARA PASSINI (Persona)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- ANDREA SCORZONI (Unità di personale esterno)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Persona)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
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- Al+ implanted 4H-SiC p+n diodes: SIMS, C-V and DLTS characterizations (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
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- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H-and 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Competition between oxidation and recrystallization in ion amorphized (0001) 6H-SIC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- SiC donor doping by 300 degrees C P implantation: Characterization of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural characterization of alloyed Al/Ti and Ti contacts on SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Ar annealing at 1600 degrees C and 1650 degrees C of Al+ implanted p(+)/n 4H-SiC diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Ni-silicide contacts to 6H-SiC: Contact resistivity and barrier height on ion implanted n-type and barrier height on p-type epilayer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electron microscope calibration for the Lorentz mode (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Annealing Effects on Leakage Current and Epilayer Doping Concentration of p+n Junction 4H-SiC Diodes after Very High Neutron Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of electron traps at the 4H-SiC/SiO2 interface; influence by nitrogen implantation prior to wet oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Structural characterisation of alloyed Al/Ti and Ti contacts on SiC (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Minimum ionizing particle detector based on p+n junction SiC diode (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Measurements of Charge Collection Efficiency of p+/n Junction SiC Detectors (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H- and 6H-SiC (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- SiC donor doping by 300°C P implantation: characterisation of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Preparation of Ni2Si contacts: effect on SiC diode operation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Competition between Oxidation and Recrystallization in Ion Amorphized (0001) 6H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Micro-systems for genetic diagnostics (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
- Sviluppo di un flusso di processo tecnologico per la realizzazione di rivelatori SPAD monolitici (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Silicon Carbide and Related Materials 2004 (Curatela) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1501)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- MICROSISTEMI PER DIAGNOSTICA GENETICA (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Micro-systems for genetic diagnostics (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Microsystems for genetic diagnostics (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Growth and Characterization of 3C-SiC Films for Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) Applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Residual stress measurement and simulation of 3C-SiC single and poly crystal cantilevers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- beta-SiC NWs grown on patterned and MEMS silicon substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ar annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ implanted p+/n 4H-SiC diodes: analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO(2) Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Passivation by N Implantation of the SiO2/SiC Acceptor Interface States: Impact on the Oxide Hole Traps and the Gate Oxide Reliability (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Minimum ionizing particle detector based on p(+)n junction SiC diode (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Electrical Characterization of Ion Implanted n + /p 6H-SiC Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion Implanted p(+)/n diodes: post-implantation annealing in a silane ambient in a cold-wall low-pressure CVD reactor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nitridation of the SiO(2)/SiC interface by N(+) implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Radiation Hardness of Minimum Ionizing Particle Detectors Based on SiC p+n Junctions (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al/Ti Ohmic Contacts to P-type Ion Implanted 6H-SiC: Mono- and Two-dimensional Analysis of the TLM Data (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Rapid screening and identification of illicit drugs by IR absorption spectroscopy and gas chromatography (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- A new sensitive and fast detection system for amphetamine type stimulants (ATS), based on gas-chromatography (GC) and hollow fiber infrared absorption spectroscopy (HF-IRAS) (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- STEFANO ZAMPOLLI (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- SILVIA MILITA (Persona)
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Persona)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- PIERA MACCAGNANI (Persona)
- CLAUDIO FERRARI (Persona)
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- IVAN ELMI (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
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- GIANCARLO SALVIATI (Persona)
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- GIOVANNI ATTOLINI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
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- ALBERTO RONCAGLIA (Unità di personale interno)
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- Ha pubblicazioni con
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
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- STEPHEN EDWARD SADDOW (Unità di personale esterno)
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- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT.SSA ANTONELLA POGGI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT.SSA ANTONELLA POGGI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT.SSA ANTONELLA POGGI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Ha afferente
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di DOTT.SSA ANTONELLA POGGI (Rapporto con CNR)