MARCO FANCIULLI

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• Persona (Classe)

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• MARCO FANCIULLI (literal)
• MARCO FANCIULLI (literal)

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• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)

Gestore di

• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)
• MD.P06.019.001 Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (MD.P06.019.002) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Partecipa a commessa

• Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di DOTT. MARCO FANCIULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica" (MD.P06.019) di DOTT. MARCO FANCIULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)

Persona in rapporto

• Rapporto con CNR di DOTT. MARCO FANCIULLI (Rapporto con CNR)

Autore CNR di

• Defect-related local magnetism at dilute Fe atoms in ion-implanted ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• From Sub-micrometric to Nanometric Electrical Investigation of Resistance Switching Operations in NiO Films Dedicated to Resistive RAM Applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Confinement effect in P doped spherical Si nanocrystals (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Si nanocrystal synthesis in HfO2/SiO/HfO2 multilayer structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Microwave Effects in Silicon Low Dimensional Nanostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Interface analysis of Ge ultra thin layers intercalated between GaAs substrates and oxide stacks (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• CVD synthesis of polycrystalline magnetite thin films: structural, magnetic and magnetotransport properties (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Stark effect of confined shallow levels in phosphorus-doped silicon nanocrystals (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Phosphorus doping of ultra-small silicon nanocrystals (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Paramagnetism in Mn/Fe implanted ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Measuring the temperature of a mesoscopic electron system by means of single electron statistics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Magnetic resonance spectroscopy of defects at the dielectric-semiconductor interface: Ge substrates and Si nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Direct Observation at Nanoscale of Resistance Switching in NiO Layers by Conductive-Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of the oxidation temperature on the non-trigonal Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO(2) interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Al(2)O(3) stacks on In(0.53)Ga(0.47)As substrates: In situ investigation of the interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• The effects of baking cycles on the properties of ferroelectric thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Evaluation of DyScO(x) as an alternative blocking dielectric in TANOS memories with Si(3)N(4) or Si-rich SiN charge trapping layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Control of filament size and reduction of reset current below 10 mu A in NiO resistance switching memories (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Combining HRTEM-EELS nano-analysis with capacitance-voltage measurements to evaluate high-kappa thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Adiabatic charge control in a single donor atom transistor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• The magnetic interaction of Fe doped ZnO with intrinsic defects: A first principles study (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Atomic layer deposition of magnetic thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Conduction band offset of HfO2 on GaAs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Innovative dielectrics for semiconductor technology (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Wet oxidation of nitride layer implanted with low-energy Si ions for improved oxide-nitride-oxide memory stacks (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Interface engineering for Ge metal-oxide-semiconductor devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Microwave irradiation effects on random telegraph signal in a MOSFET (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of the oxidizing species on the Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO2 interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Phosphorous-oxygen hole centers in phosphosilicate glass films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Geometrical Effects on Valley-Orbital Filling Patterns in Silicon Quantum Dots for Robust Qubit Implementation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• The fabrication of tunable nanoporous oxide surfaces by block copolymer lithography and atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Conductive-filament switching analysis and self-accelerated thermal dissolution model for reset in NiO-based RRAM (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Synthesis and characterization of DyScO films deposited on Si and Si-rich SiN by atomic layer deposition for blocking layer replacement in TANOS stack (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Chemical nature of the passivation layer depending on the oxidizing agent in Gd(2)O(3)/GeO(2)/Ge stacks grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Au-catalyzed self assembly of GeTe nanowires by MOCVD (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ab initio study of magnetic properties of complexes formed by an Fe impurity and an intrinsic interstitial defect in ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Resistive switching characteristics of NiO films deposited on top of W or Cu pillar bottom electrodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Synthesis of mono and bi-layer of Si nanocrystals embedded in a dielectric matrix by e-beam evaporation of SiO/SiO2 thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Formation of Fe-i-Bpairs in silicon at high temperatures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Identification of substitutional and interstitial Fe in 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Development of a parallel-plate avalanche counter to perform conversion electron Mossbauer spectroscopy at low temperatures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• The structure of charge-compensated Fe3+ ions in ZnO (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (vol 91, art no. 102901, 2007) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Electron Spin Resonance Characterization of Silicon Nanowires (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Structural and Electrical Properties of ALD Deposited Er-HfO2 for Gate Dielectric (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• A comparison of Ti/Pt and TiN/Pt electrodes used with ferroelectric SrBi2Ta2O9 films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Sviluppo e caratterizzazione di materiali per dispositivi microelettronici avanzati (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
• Stack Engineering of HfO2-based Charge Trapping Non-volatile Memory (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Evolution of Interface Properties During Atomic Layer Deposition of Rare Earth-based High-k Dielectrics on Si, Ge and III-V Substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)

Coautore

• CARLO MORANDI (Persona)
• GIANFRANCO PACCHIONI (Unità di personale esterno)
• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• LUCA LAMAGNA (Persona)
• GABRIELE SEGUINI (Persona)
• SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
• ALBERTO DEBERNARDI (Persona)
• SABINA SPIGA (Persona)
• MICHELE PEREGO (Persona)
• ROBERTO MANTOVAN (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Persona)
• DIMITRA TSOUTSOU (Persona)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale esterno)
• SILVIA CHIARA CAPELLI (Unità di personale esterno)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale esterno)
• CLAUDIA WIEMER (Persona)
• SANDRO FERRARI (Persona)
• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• EMILIANO BONERA (Unità di personale interno)
• GABRIELE SEGUINI (Persona)
• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• OLIVIER YANNICK SALICIO (Unità di personale esterno)
• ANDREA ANDREOZZI (Persona)
• FABRIZIO LECCABUE (Persona)
• STERGIOS VOLKOS (Unità di personale esterno)
• ENRICO PRATI (Unità di personale interno)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• ENZO ROTUNNO (Unità di personale esterno)
• HONG LIANG LU (Persona)
• ELENA CIANCI (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO MOLLE (Persona)
• LUCA LAMAGNA (Unità di personale esterno)
• SILVIA BALDOVINO (Unità di personale esterno)
• ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)
• MATTEO BELLI (Persona)
• MATTEO BELLI (Persona)

Responsabile di

• Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (MD.P06.019) (Commessa)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007) (Commessa)

Nome

• MARCO (literal)

Cognome

• FANCIULLI (literal)

Afferisce a

• Scientific Responsibility Centre INFM (INFM) (Istituto)

Ha pubblicazioni con

• GABRIELE FERRARI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA SCAREL (Persona)
• MADDALENA PEDIO (Persona)
• SILVIA CHIARA CAPELLI (Unità di personale esterno)
• ALESSANDRO MOLLE (Persona)
• SILVIA BALDOVINO (Unità di personale esterno)
• SABINA SPIGA (Persona)
• LUCA LAMAGNA (Unità di personale esterno)
• GIANFRANCO PACCHIONI (Unità di personale esterno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• CLAUDIA WIEMER (Persona)
• SANDRO FERRARI (Persona)
• ALBERTO DEBERNARDI (Persona)
• GABRIELE SEGUINI (Persona)
• HONG LIANG LU (Persona)
• FEDERICO BOSCHERINI (Unità di personale esterno)
• MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale esterno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale esterno)
• DIMITRA TSOUTSOU (Persona)
• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• STEFANO NANNARONE (Unità di personale esterno)
• STERGIOS VOLKOS (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Autore CNR

• Stack Engineering of HfO2-based Charge Trapping Non-volatile Memory (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Evolution of Interface Properties During Atomic Layer Deposition of Rare Earth-based High-k Dielectrics on Si, Ge and III-V Substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Conductive-filament switching analysis and self-accelerated thermal dissolution model for reset in NiO-based RRAM (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Structural and Electrical Properties of ALD Deposited Er-HfO2 for Gate Dielectric (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Electron Spin Resonance Characterization of Silicon Nanowires (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Formation of Fe-i-Bpairs in silicon at high temperatures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Synthesis of mono and bi-layer of Si nanocrystals embedded in a dielectric matrix by e-beam evaporation of SiO/SiO2 thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Defect-related local magnetism at dilute Fe atoms in ion-implanted ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Identification of substitutional and interstitial Fe in 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (vol 91, art no. 102901, 2007) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Development of a parallel-plate avalanche counter to perform conversion electron Mossbauer spectroscopy at low temperatures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• The structure of charge-compensated Fe3+ ions in ZnO (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Phosphorous-oxygen hole centers in phosphosilicate glass films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microwave irradiation effects on random telegraph signal in a MOSFET (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Interface engineering for Ge metal-oxide-semiconductor devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Innovative dielectrics for semiconductor technology (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Wet oxidation of nitride layer implanted with low-energy Si ions for improved oxide-nitride-oxide memory stacks (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Conduction band offset of HfO2 on GaAs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• The magnetic interaction of Fe doped ZnO with intrinsic defects: A first principles study (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Atomic layer deposition of magnetic thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• The effects of baking cycles on the properties of ferroelectric thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Stark effect of confined shallow levels in phosphorus-doped silicon nanocrystals (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• CVD synthesis of polycrystalline magnetite thin films: structural, magnetic and magnetotransport properties (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Interface analysis of Ge ultra thin layers intercalated between GaAs substrates and oxide stacks (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Si nanocrystal synthesis in HfO2/SiO/HfO2 multilayer structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Microwave Effects in Silicon Low Dimensional Nanostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Paramagnetism in Mn/Fe implanted ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of the oxidation temperature on the non-trigonal Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO(2) interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Direct Observation at Nanoscale of Resistance Switching in NiO Layers by Conductive-Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Magnetic resonance spectroscopy of defects at the dielectric-semiconductor interface: Ge substrates and Si nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Al(2)O(3) stacks on In(0.53)Ga(0.47)As substrates: In situ investigation of the interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of the oxidizing species on the Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO2 interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• The fabrication of tunable nanoporous oxide surfaces by block copolymer lithography and atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ab initio study of magnetic properties of complexes formed by an Fe impurity and an intrinsic interstitial defect in ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Resistive switching characteristics of NiO films deposited on top of W or Cu pillar bottom electrodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Au-catalyzed self assembly of GeTe nanowires by MOCVD (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Chemical nature of the passivation layer depending on the oxidizing agent in Gd(2)O(3)/GeO(2)/Ge stacks grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Synthesis and characterization of DyScO films deposited on Si and Si-rich SiN by atomic layer deposition for blocking layer replacement in TANOS stack (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Phosphorus doping of ultra-small silicon nanocrystals (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Measuring the temperature of a mesoscopic electron system by means of single electron statistics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evaluation of DyScO(x) as an alternative blocking dielectric in TANOS memories with Si(3)N(4) or Si-rich SiN charge trapping layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Adiabatic charge control in a single donor atom transistor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Combining HRTEM-EELS nano-analysis with capacitance-voltage measurements to evaluate high-kappa thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Control of filament size and reduction of reset current below 10 mu A in NiO resistance switching memories (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• From Sub-micrometric to Nanometric Electrical Investigation of Resistance Switching Operations in NiO Films Dedicated to Resistive RAM Applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Sviluppo e caratterizzazione di materiali per dispositivi microelettronici avanzati (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
• A comparison of Ti/Pt and TiN/Pt electrodes used with ferroelectric SrBi2Ta2O9 films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Geometrical Effects on Valley-Orbital Filling Patterns in Silicon Quantum Dots for Robust Qubit Implementation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Confinement effect in P doped spherical Si nanocrystals (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)

Responsabile

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007) (Commessa)
• Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (MD.P06.019) (Commessa)

Coautore

• SABINA SPIGA (Persona)
• FABRIZIO LECCABUE (Persona)
• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• EMILIANO BONERA (Unità di personale interno)
• CLAUDIA WIEMER (Persona)
• SANDRO FERRARI (Persona)
• ALESSANDRO MOLLE (Persona)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• ELENA CIANCI (Unità di personale interno)
• SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• MICHELE PEREGO (Persona)
• ROBERTO MANTOVAN (Persona)
• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• ALBERTO DEBERNARDI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Persona)
• ENZO ROTUNNO (Unità di personale esterno)
• GIANFRANCO PACCHIONI (Unità di personale esterno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• CARLO MORANDI (Persona)
• LUCA LAMAGNA (Unità di personale esterno)
• GABRIELE SEGUINI (Persona)
• SILVIA CHIARA CAPELLI (Unità di personale esterno)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale esterno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale esterno)
• DIMITRA TSOUTSOU (Persona)
• MATTEO BELLI (Persona)
• STERGIOS VOLKOS (Unità di personale esterno)
• HONG LIANG LU (Persona)
• SILVIA BALDOVINO (Unità di personale esterno)
• OLIVIER YANNICK SALICIO (Unità di personale esterno)
• ENRICO PRATI (Unità di personale interno)
• GABRIELE SEGUINI (Persona)
• ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)
• MATTEO BELLI (Persona)
• ANDREA ANDREOZZI (Persona)
• LUCA LAMAGNA (Persona)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22871

Ha pubblicazioni con

• SABINA SPIGA (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Persona)
• SANDRO FERRARI (Persona)
• GABRIELE FERRARI (Unità di personale interno)
• STEFANO NANNARONE (Unità di personale esterno)
• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• ALBERTO DEBERNARDI (Persona)
• MADDALENA PEDIO (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Persona)
• GIANFRANCO PACCHIONI (Unità di personale esterno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• LUCA LAMAGNA (Unità di personale esterno)
• GABRIELE SEGUINI (Persona)
• SILVIA CHIARA CAPELLI (Unità di personale esterno)
• ALESSANDRO MOLLE (Persona)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale esterno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale esterno)
• DIMITRA TSOUTSOU (Persona)
• FEDERICO BOSCHERINI (Unità di personale esterno)
• STERGIOS VOLKOS (Unità di personale esterno)
• MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)
• HONG LIANG LU (Persona)
• SILVIA BALDOVINO (Unità di personale esterno)

Partecipazione di

• Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di DOTT. MARCO FANCIULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica" (MD.P06.019) di DOTT. MARCO FANCIULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)

Ha afferente

• Scientific Responsibility Centre INFM (INFM) (Istituto)

Gestore

• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)
• MD.P06.019.001 Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (MD.P06.019.002) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Rapporto con persona

• Rapporto con CNR di DOTT. MARCO FANCIULLI (Rapporto con CNR)