SANDRO SOLMI
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- Persona (Classe)
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- SANDRO SOLMI (literal)
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- Subject
- Semiconductors (Categoria DBpedia)
- Surgery (Categoria DBpedia)
- Microtechnology (Categoria DBpedia)
- Electronic engineering (Categoria DBpedia)
- Semiconductor device fabrication (Categoria DBpedia)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati" (MD.P05.005) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di DOTT. SANDRO SOLMI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Thermoelectric properties of p and n-type nanocrystalline silicon nanowires with high doping levels (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Diffusion and electrical activation of indium in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of nitrogen implantation at the SiO2/SiC interface on the electron mobility and free carrier density in 4H-SiC metal oxide semiconductor field effect transistor channel (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Realizzazione di prototipi di generatori termoelettrici (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
- Features of arsenic clusters in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ultradense silicon nanowire arrays produced via top-down planar technology (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Phonon scattering enhancement in silicon nanolayers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Industrially Scalable Process for Silicon Nanowires for Seebeck Generators. (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Sviluppo di un flusso di processo tecnologico per la realizzazione di rivelatori SPAD monolitici (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Recovery of the carrier density in arsenic-doped silicon after high energy 2 MeV Si¿ implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Damage and recovery in arsenic doped silicon after high energy Si+ implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication and Thermoelectric Characterization of Surface-Micromachined Silicon Nanowires (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Competition between Oxidation and Recrystallization in Ion Amorphized (0001) 6H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with Nitrogen (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Uphill diffusion of ultra low energy boron implants in preamorphised silicon and silicon on insulator (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Damage and recovery in boron doped SOI layers after high energy implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Behaviour of low energy As ions implanted in Si through a thin oxide layer (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Nitridation of the SiO(2)/SiC interface by N(+) implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Quantitative determination of the dopant distribution in Si ultrashallow junctions by tilted sample annular dark field scanning transmission electron microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Boron pile-up phenomena during ultra shallow junction formation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Phonon scattering enhancement in Si nanolayers (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Influence of Grain Size on the Thermoelectric Properties of Polycrystalline Silicon Nanowires (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Encyclopedia of Materials: Science and technology (Voce (in dizionario o enciclopedia)) (Prodotto della ricerca)
- Transient enhanced diffusion of arsenic in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low temperature oxidation of SiC preamorphized by ion implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Indium in silicon: a study on diffusion and electrical activation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Realizzazione di nanofili di Si mediante processo top-down di crescita templata di poly-Si su wafer di Si, per applicazioni termoelettriche (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nitrogen implantation to improve electron channel mobility in 4H SiC MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Issues on boron electrical activation in silicon: Experiments on boron clusters and shallow junctions formation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO(2) Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Investigation on indium diffusion in silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of vacancy and interstitial excess on the deactivation kinetics of As in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of electron traps at the 4H-SiC/SiO2 interface; influence by nitrogen implantation prior to wet oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Terascale integration via a redesign of the crossbar based on a vertical arrangement of poly-Si nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Passivation by N Implantation of the SiO2/SiC Acceptor Interface States: Impact on the Oxide Hole Traps and the Gate Oxide Reliability (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Damage and recovery in doped SOI layers after high energy implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Oxidation kinetics of ion-amorphized (0001) 6H-SiC: Competition between oxidation and recrystallization processes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Crossbar architecture for tera scale integration (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Competition between oxidation and recrystallization in ion amorphized (0001) 6H-SIC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Boron-Interstitial cluster kinetics: extraction of binding energies from dedicated experiments (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Damage recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si+ implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Damage and recovery in doped SOI layers after high energy implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Recovery of the carrier density in arsenic-doped silicon after high energy (2 MeV) Si+ implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Damage and recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si+ implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of N implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of Phosphorus Implanted n+/p Junctions Integrated as Source/drain Regions in a 4H-SiC n-MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Coautore
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)
- VITTORIO MORANDI (Persona)
- ALBERTO RONCAGLIA (Unità di personale interno)
- LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
- MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
- DARIO NOBILI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- MARA PASSINI (Persona)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- Giulio Paolo Veronese (Unità di personale esterno)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- MARKUS ITALIA (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- PAOLO NEGRINI (Unità di personale interno)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- SILVIA SCALESE (Unità di personale interno)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
- GIOVANNI MANNINO (Unità di personale interno)
- MATTEO FERRI (Unità di personale interno)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- LUCA BELSITO (Unità di personale interno)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- VITTORIO PRIVITERA (Persona)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- GIULIO PIZZOCHERO (Unità di personale interno)
- PIER GIORGIO MERLI (Unità di personale interno)
- ALBERTO CARNERA (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- FRANCESCO SURIANO (Unità di personale esterno)
- PIERA MACCAGNANI (Persona)
- Nome
- SANDRO (literal)
- Cognome
- SOLMI (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
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- MARCO SERVIDORI (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- MARKUS ITALIA (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- VITTORIO PRIVITERA (Persona)
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- GIOVANNI MANNINO (Unità di personale interno)
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- DARIO NOBILI (Persona)
- SILVIA SCALESE (Unità di personale interno)
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- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
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- DARIO NOBILI (Persona)
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- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
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- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- MAURIZIO PIO IMPRONTA (Persona)
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- Autore CNR
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
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- Low temperature oxidation of SiC preamorphized by ion implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Uphill diffusion of ultra low energy boron implants in preamorphised silicon and silicon on insulator (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Quantitative determination of the dopant distribution in Si ultrashallow junctions by tilted sample annular dark field scanning transmission electron microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of nitrogen implantation at the SiO2/SiC interface on the electron mobility and free carrier density in 4H-SiC metal oxide semiconductor field effect transistor channel (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of Phosphorus Implanted n+/p Junctions Integrated as Source/drain Regions in a 4H-SiC n-MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of N implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
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- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Competition between Oxidation and Recrystallization in Ion Amorphized (0001) 6H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Realizzazione di prototipi di generatori termoelettrici (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
- Realizzazione di nanofili di Si mediante processo top-down di crescita templata di poly-Si su wafer di Si, per applicazioni termoelettriche (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Encyclopedia of Materials: Science and technology (Voce (in dizionario o enciclopedia)) (Prodotto della ricerca)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Sviluppo di un flusso di processo tecnologico per la realizzazione di rivelatori SPAD monolitici (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
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- Damage and recovery in doped SOI layers after high energy implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
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- Fabrication and Thermoelectric Characterization of Surface-Micromachined Silicon Nanowires (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Damage recovery in boron doped silicon on insulator layers after high energy Si+ implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Behaviour of low energy As ions implanted in Si through a thin oxide layer (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Boron pile-up phenomena during ultra shallow junction formation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Damage and recovery in boron doped SOI layers after high energy implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Issues on boron electrical activation in silicon: Experiments on boron clusters and shallow junctions formation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Damage and recovery in arsenic doped silicon after high energy Si+ implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Recovery of the carrier density in arsenic-doped silicon after high energy 2 MeV Si¿ implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Features of arsenic clusters in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermoelectric properties of p and n-type nanocrystalline silicon nanowires with high doping levels (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO(2) Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
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- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
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- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- VITTORIO PRIVITERA (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- MARKUS ITALIA (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- GIOVANNI MANNINO (Unità di personale interno)
- PIERA MACCAGNANI (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- VITTORIO MORANDI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- SILVIA SCALESE (Unità di personale interno)
- PIER GIORGIO MERLI (Unità di personale interno)
- GIULIO PIZZOCHERO (Unità di personale interno)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- FRANCESCO SURIANO (Unità di personale esterno)
- LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
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- MATTEO FERRI (Unità di personale interno)
- LUCA BELSITO (Unità di personale interno)
- FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)
- Ha pubblicazioni con
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- VITTORIO PRIVITERA (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- MARKUS ITALIA (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- SILVIA MILITA (Persona)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- GIOVANNI MANNINO (Unità di personale interno)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- MARCO SERVIDORI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- VITTORIO MORANDI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- SILVIA SCALESE (Unità di personale interno)
- PIER GIORGIO MERLI (Unità di personale interno)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- DARIO NOBILI (Persona)
- MARA PASSINI (Persona)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Persona)
- Http://www.cnr.it/ontology/persone.owl#argomentoDiRicercaSimile
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- MAURIZIO PIO IMPRONTA (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- STEFANO LETTIERI (Unità di personale interno)
- GIOVANNI ATTOLINI (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- CESARE FRIGERI (Persona)
- MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
- Andrea Severino (Unità di personale esterno)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- LUCIA CALCAGNO (Unità di personale esterno)
- Giuseppe Pennestrì (Unità di personale esterno)
- Giuseppina Ambrosone (Persona)
- DARIO NOBILI (Persona)
- EMILIA ARISI (Unità di personale esterno)
- MATTEO BOSI (Unità di personale interno)
- Ha afferente
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati" (MD.P05.005) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT. SANDRO SOLMI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di DOTT. SANDRO SOLMI (Rapporto con CNR)
- Http://www.w3.org/2004/02/skos/core#isSubjectOf
- Semiconductors (Categoria DBpedia)
- Microtechnology (Categoria DBpedia)
- Electronic engineering (Categoria DBpedia)
- Semiconductor device fabrication (Categoria DBpedia)
- Surgery (Categoria DBpedia)
