EROS ALBERTAZZI
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- EROS ALBERTAZZI (literal)
- EROS ALBERTAZZI (literal)
- Subject
- Transmembrane proteins (Categoria DBpedia)
- Neurobiology (Categoria DBpedia)
- Transport proteins (Categoria DBpedia)
- Neurochemistry (Categoria DBpedia)
- Ion channels (Categoria DBpedia)
- Partecipa a commessa
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of DOTT. EROS ALBERTAZZI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Ab initio structures of AsmV complexes and the simulation of Rutherford backscattering channeling spectra in heavily As-doped crystalline silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomistic model of defects for the simulation of RBS-channeling measurements in ion irradiated silicon (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Investigation of heavily damaged ion implanted Si by atomistic simulation of Rutherford backscattering channeling spectra (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomistic simulation of ion channeling in heavily doped Si : As (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Interpretation of ion-channeling spectra in ion-implanted Si with models of structurally relaxed point defects and clusters (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Lattice location of As in heavily doped Si:As investigated by atomistic simulation of RBS-c spectra (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Computer simulation of ion channeling in Si containing structurally relaxed point defects (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomistic modeling of ion channeling in Si with point defects: the role of lattice relaxation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Channeling characterization of defects in silicon: an atomistic approach (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defect-induced homogeneous amorphization of silicon: the role of defect structure and population (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of ion implanted Silicon by RBS-channeling: influence of the damage model. (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si: As irradiated with high-energy ions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Codice MC-BCA per simulazione 2D impianto ionico in SiC (Software) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of ion implanted silicon by RBS-channeling: influence of the damage model (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- MARCO BIANCONI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- LUCIANO COLOMBO (Unità di personale esterno)
- ROBERTO BALBONI (Persona)
- ALESSANDRA SATTA (Unità di personale interno)
- ALESSANDRA SATTA (Unità di personale esterno)
- Nome
- EROS (literal)
- Cognome
- ALBERTAZZI (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
- MARCO BIANCONI (Persona)
- ROBERTO BALBONI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- Http://www.cnr.it/ontology/persone.owl#argomentoDiRicercaSimile
- CHIARA PINCIN (Persona)
- ALESSIA NASO (Unità di personale esterno)
- Alessandra Picollo (Persona)
- RICCARDO STORCHI (Persona)
- GIUSEPPE GRASSI (Unità di personale esterno)
- LOREDANA RIGANTI (Unità di personale esterno)
- DANIELA PIETROBON (Unità di personale esterno)
- ALEXANDRA GRIPPA (Unità di personale esterno)
- FRANCO GAMBALE (Unità di personale interno)
- OSCAR SANTIAGO MORAN ALBONICO GASPAROTTO (Persona)
- ELENA BABINI (Unità di personale esterno)
- LORETTA FERRERA (Unità di personale esterno)
- PAOLA PIEROBON (Persona)
- FRANCO CONTI (Persona)
- CLAUDIA TORTIGLIONE (Persona)
- ARMANDO CARPANETO (Persona)
- CLAUDIO ANSELMI (Unità di personale esterno)
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- GIORGIO LULLI (Persona)
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- Ha afferente
- Partecipazione di
- Rapporto con persona
- Employment relationship with CNR of DOTT. EROS ALBERTAZZI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
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- Analysis of ion implanted Silicon by RBS-channeling: influence of the damage model. (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Lattice location of As in heavily doped Si:As investigated by atomistic simulation of RBS-c spectra (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Codice MC-BCA per simulazione 2D impianto ionico in SiC (Software) (Prodotto della ricerca)
- Defect-induced homogeneous amorphization of silicon: the role of defect structure and population (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomistic model of defects for the simulation of RBS-channeling measurements in ion irradiated silicon (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Http://www.w3.org/2004/02/skos/core#isSubjectOf
- Neurochemistry (Categoria DBpedia)
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- Transmembrane proteins (Categoria DBpedia)
- Ion channels (Categoria DBpedia)
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