ROBERTA NIPOTI
- Type
- Persona (Classe)
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- ROBERTA NIPOTI (literal)
- ROBERTA NIPOTI (literal)
- Gestore di
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT.SSA ROBERTA NIPOTI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT.SSA ROBERTA NIPOTI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di DOTT.SSA ROBERTA NIPOTI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of DOTT.SSA ROBERTA NIPOTI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Radiation hardness after very high neutron irradiation of minimum ionizing particle detectors based on 4H-SiC p(+)n junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- C-V and DLTS analyses of trap-induced graded junctions: the case of Al+ implanted JTE p+n 4H-SiC diodes. (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Measurements of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Oxidation kinetics of ion-amorphized (0001) 6H-SiC: Competition between oxidation and recrystallization processes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H-and 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Competition between oxidation and recrystallization in ion amorphized (0001) 6H-SIC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Radiation Hardness of Minimum Ionizing Particle Detectors Based on SiC p+n Junctions (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Simulation and exerimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Annealing Effects on Leakage Current and Epilayer Doping Concentration of p+n Junction 4H-SiC Diodes after Very High Neutron Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Microwave Annealing of Al+ Implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ohmic contact on ion implanted 4H and 6H SiC (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Aluminum Doped 4H-SiC: A comprehensive sudy (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- High Dose Al + Implanted and Microwave Annealed 4H-SiC (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p(+)n junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- He+ ion dmage in 4H-SiC stidied by charge colletion efficiency measurements (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- The role of the ion implanted emitter state on 6H-SiC power diodes behavior. A statistical study. (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Nitrogen implantation to improve electron channel mobility in 4H SiC MOSFET (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO(2) Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Passivation by N Implantation of the SiO2/SiC Acceptor Interface States: Impact on the Oxide Hole Traps and the Gate Oxide Reliability (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Minimum ionizing particle detector based on p(+)n junction SiC diode (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Basal Plane Dislocation Mitigation using High Temperature Annealing in 4H-SiC Epitaxy (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Carbon-cap for Ohmic Contacts on Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of electron traps at the 4H-SiC/SiO2 interface; influence by nitrogen implantation prior to wet oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Numerical simulations of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Microwave Annealing of High Dose Al+-implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ultra Fast High Temperature Microwave Annealing of Ion Implanted Large Bandgap Semiconductors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- On the Crossing-Point of 4H-SiC Power Diodes Characteristics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Formation of carbon vacancy in 4H silicon carbide during high-temperature processing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Steady-state analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Improving doping efficiency of P(+) implanted ions in 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Microwave Annealing of Very High Dose Aluminum-Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Hetero-epitaxial Single Crystal 3C-SiC Opto-Mechanical Pressure Sensor (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- About the hole transport analysis in heavy doped p-type 4H-SiC(Al) (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Post-growth Reduction of Basal Plane Dislocations by High Temperature Annealing in 4H-SiC Epilayers (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- High-Dose Phosphorus-Implanted 4H-SiC: Microwave and Conventional Post-Implantation Annealing at Temperatures >= 1700 degrees C (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion Implanted p(+)/n diodes: post-implantation annealing in a silane ambient in a cold-wall low-pressure CVD reactor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Microwave Annealing of Ion Implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- X-ray and AFM analysis of Al2O3 deposited by ALCVD on n-type 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ion implanted lateral p+-i-n+ diodes on HPSI 4H-SiC (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- 2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Sensore a stato solido e metodo per la sua realizzazione (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al implanted 4H-SiC: improved electrical activation and low resistance ohmic contacts (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Effects of N implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ultra Fast High Temperature Microwave Annealing of Ion Implanted Large Bandgap Semiconductors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of Phosphorus Implanted n+/p Junctions Integrated as Source/drain Regions in a 4H-SiC n-MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC Device Manufacturing: How Processing impacts the material and Device Properties (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Isothermal Treatment Effects on the Carbon Vacancy in 4H Silicon Carbide (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al+ ion implanted on-axis <0001> semi-insulating 4H-SiC (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Temperature dependent current-voltage characteristics of microwave annealed Al+ implanted 4H-SiC p+-i-n diodes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Comparison between chemical and electrical profiles in Al+ or N+ implanted and annealed 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fully implanted vertical p-i-n diodes using high-purity semi-insulating 4H-SiC wafers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al+ Implanted Anode for 4H-SiC p-i-n Diodes (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A highly effective edge termination design for SiC planar high power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al+ implanted 4H-SiC p+n diodes: SIMS, C-V and DLTS characterizations (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low temperature oxidation of SiC preamorphized by ion implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicon Carbide and Related Materials 2004 (Curatela) (Prodotto della ricerca)
- The role of the ion implanted emitter state on 6H-SiC power diodes behavior. A statistical study (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low-temperature thermal oxidation of ion-amorphized 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with Nitrogen (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al/Ti Ohmic Contacts to P-type Ion Implanted 6H-SiC: Mono- and Two-dimensional Analysis of the TLM Data (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Experimental characterization and numerical analysis of the 4H-SiC p-i-n diodes static and transient behaviour (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ar annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ implanted p+/n 4H-SiC diodes: analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Advances in selective doping of SiC via ion implantation (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
- Effect of nitrogen implantation at the SiO2/SiC interface on the electron mobility and free carrier density in 4H-SiC metal oxide semiconductor field effect transistor channel (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Post-Growth Reduction of Basal Plane Dislocations by High Temperature Annealing in 4H-SiC Epilayers (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analysis of the hole transport through valence band states in heavy Al doped 4H-SiC by ion implantation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Microwave annealing of Al+ implanted 4H-SiC: towards device fabrication (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analytical prediction of the cross-over point in the temperature coefficient of the forward characteristics of 4H-SiC p+-i-n diodes (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Nitridation of the SiO(2)/SiC interface by N(+) implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High Dose Al+ Implanted and Microwave Annealed 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- J-V characteristics of Al+ ion implanted p(+)/n 4H-SiC diodes annealed in silane ambient at 1600 degrees C (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Al+ Implanted 4H-SiC p+-i-n Diodes: Evidence for Post-Implantation- Annealing Dependent Defect Activation (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Electrical Characterization of Ion Implanted n + /p 6H-SiC Diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Charge states distribution of 0.16-3.3 mev He ions transmitted through silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- A high effective edge termination design for SiC planar high power devices (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Structural characterisation of alloyed Al/Ti and Ti contacts on SiC (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Minimum ionizing particle detector based on p+n junction SiC diode (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Measurements of Charge Collection Efficiency of p+/n Junction SiC Detectors (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Improved electrical characterization of Al-Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Measurements and simulations of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ni-silicide contacts to 6H-SiC: Contact resistivity and barrier height on ion implanted n-type and barrier height on p-type epilayer (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H- and 6H-SiC (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- SiC donor doping by 300°C P implantation: characterisation of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Preparation of Ni2Si contacts: effect on SiC diode operation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- SiC donor doping by 300 degrees C P implantation: Characterization of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Competition between Oxidation and Recrystallization in Ion Amorphized (0001) 6H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Structural characterization of alloyed Al/Ti and Ti contacts on SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ar annealing at 1600 degrees C and 1650 degrees C of Al+ implanted p(+)/n 4H-SiC diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of very high neutron fluence irradiation on p+n junction 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- FRANCESCO GIUSEPPE DELLA CORTE (Unità di personale esterno)
- ALBERTO CARNERA (Persona)
- CRISTIANO ALBONETTI (Persona)
- FULVIO MANCARELLA (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
- CESARE DONOLATO (Unità di personale interno)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- MATTEO FERRI (Unità di personale interno)
- FABRIZIO TAMARRI (Persona)
- SERGIO GUERRI (Unità di personale interno)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- RITA RIZZOLI (Unità di personale interno)
- STEFANO ZAMPOLLI (Unità di personale interno)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- FRANCESCO LA VIA (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Persona)
- AGOSTINO DESALVO (Unità di personale esterno)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Persona)
- RAFFAELE SCABURRI (Unità di personale esterno)
- IVAN ELMI (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- LUCA BELSITO (Unità di personale interno)
- SERGIO NICOLETTI (Unità di personale interno)
- VITO RAINERI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- MARCO SERVIDORI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Unità di personale interno)
- ALBERTO RONCAGLIA (Unità di personale interno)
- NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
- LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
- FABIO BERGAMINI (Persona)
- ANDREA SCORZONI (Unità di personale esterno)
- MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
- MARA PASSINI (Unità di personale esterno)
- GIAN GIUSEPPE BENTINI (Unità di personale esterno)
- FILIPPO BONAFE' (Unità di personale interno)
- MASSIMO CAMARDA (Persona)
- GIULIO PIZZOCHERO (Persona)
- LEONELLO DORI (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- Nome
- ROBERTA (literal)
- Cognome
- NIPOTI (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
- MARCO SERVIDORI (Persona)
- STEPHEN EDWARD SADDOW (Persona)
- MARA PASSINI (Unità di personale esterno)
- ANDREA SCORZONI (Unità di personale esterno)
- MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- CESARE DONOLATO (Unità di personale interno)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- FRANCESCO GIUSEPPE DELLA CORTE (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
- FABIO BERGAMINI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Unità di personale interno)
- GIULIO PIZZOCHERO (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Persona)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
Incoming links:
- Autore CNR
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al+ implanted 4H-SiC p+n diodes: SIMS, C-V and DLTS characterizations (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Improved electrical characterization of Al-Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Measurements of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H-and 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Competition between oxidation and recrystallization in ion amorphized (0001) 6H-SIC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Oxidation kinetics of ion-amorphized (0001) 6H-SiC: Competition between oxidation and recrystallization processes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC donor doping by 300 degrees C P implantation: Characterization of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural characterization of alloyed Al/Ti and Ti contacts on SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Radiation hardness after very high neutron irradiation of minimum ionizing particle detectors based on 4H-SiC p(+)n junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p(+)n junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nitrogen implantation to improve electron channel mobility in 4H SiC MOSFET (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Charge states distribution of 0.16-3.3 mev He ions transmitted through silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ar annealing at 1600 degrees C and 1650 degrees C of Al+ implanted p(+)/n 4H-SiC diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Measurements and simulations of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ni-silicide contacts to 6H-SiC: Contact resistivity and barrier height on ion implanted n-type and barrier height on p-type epilayer (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Simulation and exerimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Annealing Effects on Leakage Current and Epilayer Doping Concentration of p+n Junction 4H-SiC Diodes after Very High Neutron Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Carbon-cap for Ohmic Contacts on Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of electron traps at the 4H-SiC/SiO2 interface; influence by nitrogen implantation prior to wet oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low-temperature thermal oxidation of ion-amorphized 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A highly effective edge termination design for SiC planar high power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low temperature oxidation of SiC preamorphized by ion implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The role of the ion implanted emitter state on 6H-SiC power diodes behavior. A statistical study (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Experimental characterization and numerical analysis of the 4H-SiC p-i-n diodes static and transient behaviour (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with Nitrogen (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of nitrogen implantation at the SiO2/SiC interface on the electron mobility and free carrier density in 4H-SiC metal oxide semiconductor field effect transistor channel (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of very high neutron fluence irradiation on p+n junction 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- C-V and DLTS analyses of trap-induced graded junctions: the case of Al+ implanted JTE p+n 4H-SiC diodes. (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of Phosphorus Implanted n+/p Junctions Integrated as Source/drain Regions in a 4H-SiC n-MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of N implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ultra Fast High Temperature Microwave Annealing of Ion Implanted Large Bandgap Semiconductors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ohmic contact on ion implanted 4H and 6H SiC (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- He+ ion dmage in 4H-SiC stidied by charge colletion efficiency measurements (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- The role of the ion implanted emitter state on 6H-SiC power diodes behavior. A statistical study. (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Structural characterisation of alloyed Al/Ti and Ti contacts on SiC (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- A high effective edge termination design for SiC planar high power devices (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Minimum ionizing particle detector based on p+n junction SiC diode (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Measurements of Charge Collection Efficiency of p+/n Junction SiC Detectors (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H- and 6H-SiC (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- SiC donor doping by 300°C P implantation: characterisation of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Preparation of Ni2Si contacts: effect on SiC diode operation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Competition between Oxidation and Recrystallization in Ion Amorphized (0001) 6H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Advances in selective doping of SiC via ion implantation (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
- Sensore a stato solido e metodo per la sua realizzazione (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Silicon Carbide and Related Materials 2004 (Curatela) (Prodotto della ricerca)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ar annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ implanted p+/n 4H-SiC diodes: analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO(2) Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Passivation by N Implantation of the SiO2/SiC Acceptor Interface States: Impact on the Oxide Hole Traps and the Gate Oxide Reliability (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Minimum ionizing particle detector based on p(+)n junction SiC diode (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Electrical Characterization of Ion Implanted n + /p 6H-SiC Diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High-Dose Phosphorus-Implanted 4H-SiC: Microwave and Conventional Post-Implantation Annealing at Temperatures >= 1700 degrees C (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion Implanted p(+)/n diodes: post-implantation annealing in a silane ambient in a cold-wall low-pressure CVD reactor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nitridation of the SiO(2)/SiC interface by N(+) implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- J-V characteristics of Al+ ion implanted p(+)/n 4H-SiC diodes annealed in silane ambient at 1600 degrees C (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High Dose Al+ Implanted and Microwave Annealed 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Radiation Hardness of Minimum Ionizing Particle Detectors Based on SiC p+n Junctions (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Microwave Annealing of Very High Dose Aluminum-Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improving doping efficiency of P(+) implanted ions in 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al/Ti Ohmic Contacts to P-type Ion Implanted 6H-SiC: Mono- and Two-dimensional Analysis of the TLM Data (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Comparison between chemical and electrical profiles in Al+ or N+ implanted and annealed 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fully implanted vertical p-i-n diodes using high-purity semi-insulating 4H-SiC wafers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Basal Plane Dislocation Mitigation using High Temperature Annealing in 4H-SiC Epitaxy (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Numerical simulations of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Ultra Fast High Temperature Microwave Annealing of Ion Implanted Large Bandgap Semiconductors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Microwave Annealing of Al+ Implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Aluminum Doped 4H-SiC: A comprehensive sudy (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- High Dose Al + Implanted and Microwave Annealed 4H-SiC (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Microwave Annealing of High Dose Al+-implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- On the Crossing-Point of 4H-SiC Power Diodes Characteristics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Formation of carbon vacancy in 4H silicon carbide during high-temperature processing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Steady-state analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Microwave Annealing of Ion Implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- X-ray and AFM analysis of Al2O3 deposited by ALCVD on n-type 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Hetero-epitaxial Single Crystal 3C-SiC Opto-Mechanical Pressure Sensor (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- About the hole transport analysis in heavy doped p-type 4H-SiC(Al) (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Post-growth Reduction of Basal Plane Dislocations by High Temperature Annealing in 4H-SiC Epilayers (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Analytical prediction of the cross-over point in the temperature coefficient of the forward characteristics of 4H-SiC p+-i-n diodes (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Post-Growth Reduction of Basal Plane Dislocations by High Temperature Annealing in 4H-SiC Epilayers (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Microwave annealing of Al+ implanted 4H-SiC: towards device fabrication (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analysis of the hole transport through valence band states in heavy Al doped 4H-SiC by ion implantation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al+ Implanted Anode for 4H-SiC p-i-n Diodes (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Ion implanted lateral p+-i-n+ diodes on HPSI 4H-SiC (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- SiC Device Manufacturing: How Processing impacts the material and Device Properties (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Isothermal Treatment Effects on the Carbon Vacancy in 4H Silicon Carbide (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al+ ion implanted on-axis <0001> semi-insulating 4H-SiC (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Temperature dependent current-voltage characteristics of microwave annealed Al+ implanted 4H-SiC p+-i-n diodes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Al+ Implanted 4H-SiC p+-i-n Diodes: Evidence for Post-Implantation- Annealing Dependent Defect Activation (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Al implanted 4H-SiC: improved electrical activation and low resistance ohmic contacts (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- RITA RIZZOLI (Unità di personale interno)
- STEFANO ZAMPOLLI (Unità di personale interno)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Unità di personale interno)
- CESARE DONOLATO (Unità di personale interno)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- IVAN ELMI (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
- MARCO SERVIDORI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Persona)
- FRANCESCO LA VIA (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Persona)
- GIULIO PIZZOCHERO (Persona)
- LEONELLO DORI (Persona)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
- NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
- FABIO BERGAMINI (Persona)
- AGOSTINO DESALVO (Unità di personale esterno)
- ALBERTO RONCAGLIA (Unità di personale interno)
- RAFFAELE SCABURRI (Unità di personale esterno)
- SERGIO GUERRI (Unità di personale interno)
- MARA PASSINI (Unità di personale esterno)
- GIAN GIUSEPPE BENTINI (Unità di personale esterno)
- MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
- ANDREA SCORZONI (Unità di personale esterno)
- MASSIMO CAMARDA (Persona)
- FRANCESCO GIUSEPPE DELLA CORTE (Unità di personale esterno)
- ALBERTO CARNERA (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Persona)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID23670
- SERGIO NICOLETTI (Unità di personale interno)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
- MATTEO FERRI (Unità di personale interno)
- CRISTIANO ALBONETTI (Persona)
- LUCA BELSITO (Unità di personale interno)
- FULVIO MANCARELLA (Persona)
- FILIPPO BONAFE' (Unità di personale interno)
- Ha pubblicazioni con
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Unità di personale interno)
- CESARE DONOLATO (Unità di personale interno)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
- MARCO SERVIDORI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Persona)
- GIULIO PIZZOCHERO (Persona)
- FABIO BERGAMINI (Persona)
- MARA PASSINI (Unità di personale esterno)
- MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
- ANDREA SCORZONI (Unità di personale esterno)
- STEPHEN EDWARD SADDOW (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Persona)
- FRANCESCO GIUSEPPE DELLA CORTE (Persona)
- Ha afferente
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT.SSA ROBERTA NIPOTI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT.SSA ROBERTA NIPOTI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di DOTT.SSA ROBERTA NIPOTI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Gestore
- Rapporto con persona
- Employment relationship with CNR of DOTT.SSA ROBERTA NIPOTI (Rapporto con CNR)