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FRANCESCO LA VIA
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- Structural and electronic characterization of (2,3(3)) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defect Influence on Heteroepitaxial 3C-SiC Young's Modulus (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High Quality Single Crystal 3C-SiC(111) Films Grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC heteroepitaxial growth on Inverted Silicon Pyramids (ISP) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Carbonization Study of Different Silicon Orientations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optimisation of Epitaxial Layer Growth with HCl Addition by Optical and Electrical Characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermal oxidation of As and Ge implanted Si(100) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Origin of the C49-C54 volume anomaly in TiSi2 thin films: An in-situ XRD and TEM analysis (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Advanced Residual Stress Analysis and FEM Simulation on Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Application (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Procedimento per incrementare la stabilità termica di siliciuri su silicio (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Semiconductor substrate suitable for the realisation of electronic and/ or optoelectronic devices and relative manufacturing process (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Large area optical characterization of 3 and 4 inches 4H-SiC wafers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Raman characterization of doped 3C-SiC/Si for different silicon substrates and C/Si ratios (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stacking faults evolution during epitaxial growths: Role of surface the kinetics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Schottky-Ohmic Transition in Nickel Sllicide/SiC System: Is it Really a Solved Problem? (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- SiC-4H Epitaxial Layer Growth by Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor at Very High Growth Rate. (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC-4H epitaxial layer growth using trichlorosilane (TCS) as silicon precursor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defects in High Energy Ion Irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomistic and Continuum Simulations of the Homo-epitaxial Growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Towards Large Area (111)3C-SiC Films Grown on off-oriented (111)Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Silicon-Porous Silicon-Silicon (SPS) substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optimisation of epitaxial layer growth by Schottky diodes electrical characterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- 3C-SiC hetero-epitaxial films for sensor fabrication (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- SiC growth rockets with hydrogen chloride addition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thin SiC-4H epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS) as silicon precursor with very abrupt junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical monte carlo study of the formation and evolution of defects in the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High resolution investigation of atomic interdiffusion during Co/Ni/Si phase transition (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Optical characterization of bulk mobility in 3C-SiC films grown on different orientation of Si substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si using Trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Correlation between microstructure control, density and diffusion barrier properties of TiN(O) films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Mechanisms of growth and defect properties of epitaxial SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical and experimental study of the role of cell-cell dipole interaction in dielectrophoretic devices: application to polynomial electrodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H) (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte carlo study of the hetero-polytypical growth of cubic on hexagonal silicon carbide polytypes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Realizzazzione di micro-strutture per la determinazione dello stress nell'etero-epitassia 3C-SiC/Si (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Micro-Raman analysis and finite-element modeling of 3 C-SiC microstructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A new position sensitive anode for plasmas diagnostic (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High Growth Rate Process in a SiC Horizontal Reactor with HCl Addition: Structural and Electrical Characterization (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Effects of Ta interlayer on the titanium silicide reaction: C40 formation and scalability of the tisi2 process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- C49-C54 phase transition in nanometric titanium disilicide nanograins (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC growth on (001) Si substrates by using a multilayer buffer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Quantitative high-resolution two-dimensional profiling of sic by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical characterization of nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of the role of particle-particle dipole interaction in dielectrophoretic devices for biomarkers identification (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- High-resolution investigation of atomic interdiffusion during Co/Ni/Si phase transition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical resistivity and Hall coefficient of C49, C40, and C54 tisi2 thin-film phases (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Time resolved study on Co/Ni/a-Si phase transition during isothermal annealing at 400 °C (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical properties of tisi2 clusters in poly-Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- First stages of silicidation in Ti/Si thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Richardson's constant in inhomogeneous silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Dual metal SiC Schottky rectifiers with low power dissipation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Defects in He+ irradiated 6H-SiC probed by DLTS and LTPL measurements (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of thermal treatments on the structural and electrical properties of Ni/Ti bilayers Schottky contacts on 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Direct measurement of the growth rate during the C49 to C54 transformation in tisi2: Activation energy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Environment influence on Ti diffusion and layer degradation of a SiC/Ni2Si/TiW/Au contact structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Tailoring the Ti/4H-SiC Schottky barrier by ion irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of defects on the kinetic of C49-C54TiSi(2) transformation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural characterization and oxygen concentration profiling of a Co/Si multilayer structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Investigations of transient phase formation in Ti/Si thin film reaction (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of TiW/Au thin films as metallization stack for high temperature and harsh environment devices on 6H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A kinetic Monte Carlo method on super-lattices for the study of the defect formation in the growth of close packed structures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High performance SiC detectors for MeV ion beams generated by intense pulsed laser plasmas (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Time resolved COSi2 reaction in presence of Ti and TiN cap layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- C49 defect influence on the C49?C54 transition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- A novel micro-Raman technique to detect and characterize 4H-SiC stacking faults (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- MeV ion beams generated by intense pulsed laser monitored by Silicon Carbide detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Highly reproducible ideal SiC Schottky rectifiers: effects of surface preparation and thermal annealing on the Ni/6H-SiC barrier height (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thermal expansion and stress development in the first stages of silicidation in Ti/Si thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature dependence of the c-axis drift mobility in 4H-SIC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Drift mobility in 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evaluation of mechanical and optical properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared-membrane (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
- Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of epitaxial layer growth parameters on the defect density and on the electrical characteristics of Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of annealing temperature on the degree of inhomogeneity of nickel-silicide/SiC Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Film Morphology and Process Conditions in Epitaxial Silicon Carbide Growth via Chlorides Route (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ohmic Contact to SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Process for manufacturing a schottky contact on a semiconductor substrate (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Residual Stress Measurement on Hetero-epitaxial 3C-SiC Films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of a Ti cap layer on the diffusion of Co atoms during CoSi2 reaction (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thick Epitaxial Layers Growth by Chlorine Addition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Bow in 6 inch high-quality off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of the connection between stacking faults evolution and step kinetics in misoriented 4H-SiC epitaxial growths (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Extended Study of the Step-bunching Mechanism During the Homoepitaxial Growth of SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defect evolution in ion irradiated 6H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Strain field analysis of 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman and theoretical modelling (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Very High Growth Rate Epitaxy Processes with Chlorine Addition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- C49-C54 phase transition in nanometric titanium disilicide grains (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature Stability of Breakdown Voltage on SiC Power Schottky Diodes with Different Barrier Heights (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Heteroepitaxy of 3C-SiC on different on-axis oriented silicon substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of the step flow to island nucleation transition for close packed structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical properties of high energy ion irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Morphology and distribution of carbon nanostructures in a deposit produced by arc discharge in liquid nitrogen (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stress evaluation on hetero-epitaxial 3C-SiC film on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High power density UV optical stress for quality evaluation of 4H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low Stress Heteroepitaxial 3C-SiC Films Characterized by Microstructure Fabrication and Finite Elements Analysis (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low temperature reaction of point defects in ion irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Post-growth process effect on hetero-epitxial 3C-SiC wafer bow and residual stress (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of Al ion implantation on 3C-SiC crystal structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fast growth rate epitaxy by chloride precursors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Micro-Raman analysis of a micromachined 3C-SiC cantilever (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress fields analysis in 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman spectroscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of microstructure deflections and film/substrate curvature under generalized stress fields and mechanical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Correlation between macroscopic and microscopic stress fields: Application to the 3C-SiC/Si heteroepitaxy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Point defect production efficiency in ion irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extended characterization of the stress fields in the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on silicon for sensors and device applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thin crystalline 3C-SiC layer growth through carbonization of differently oriented Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of Mo interlayer on thermal stability of polycrystalline NiSi thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High quality 3C-SiC for MOS applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optical and electrical properties of 4H-SiC epitaxial layer grown with HCl addition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Reaction of the Si/Ta/Ti system: c40tisi2 phase formation and in situ kinetics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Advanced residual stress analysis on the heteroepitaxial growth of 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress fields analysis in 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman spectroscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress nature investigation on heteroepitaxial 3C-SiC film on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- TEM analysis of an additional metal-rich component at the C49-C54 transformation in Ti/Si thin films capped with tin (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermal stability of sio2/cosi2/polysilicon multilayer structures improved by cavity formation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of cosi2 thermal stability improved by interfacial cavities (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Manufacture of wafers of wide energy gap semiconductor material for the integration of electronic and/or optical and/or optoelectronic devices (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Micro-Raman characterization of 4H-SiC stacking faults (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis on 3C-SiC layer grown on pseudomorphic-Si/Si1-xGex/Si(001) heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stress relaxation study in 3C-SiC microstructures by micro-raman analysis and finite element modeling (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Optical characterization of bulk mobility in 3C-SiC films grown on different orientation of Si substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Monte Carlo study of morphological surface instabilities during misoriented epitaxial growth of cubic and hexagonal polytypes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Direct measurement of the growth rate during the C49 to C54 transformation in tisi2: Activation energy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Time resolved study on Co/Ni/a-Si phase transition during isothermal annealing at 400 °C (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- First stages of silicidation in Ti/Si thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Richardson's constant in inhomogeneous silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Dual metal SiC Schottky rectifiers with low power dissipation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of annealing temperature on the degree of inhomogeneity of nickel-silicide/SiC Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Drift mobility in 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- C49-C54 phase transition in nanometric titanium disilicide grains (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature Stability of Breakdown Voltage on SiC Power Schottky Diodes with Different Barrier Heights (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defect evolution in ion irradiated 6H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Environment influence on Ti diffusion and layer degradation of a SiC/Ni2Si/TiW/Au contact structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of defects on the kinetic of C49-C54TiSi(2) transformation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Investigations of transient phase formation in Ti/Si thin film reaction (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Temperature dependence of the c-axis drift mobility in 4H-SIC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Point defect production efficiency in ion irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thin crystalline 3C-SiC layer growth through carbonization of differently oriented Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Heteroepitaxy of 3C-SiC on different on-axis oriented silicon substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of the step flow to island nucleation transition for close packed structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low temperature reaction of point defects in ion irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low Stress Heteroepitaxial 3C-SiC Films Characterized by Microstructure Fabrication and Finite Elements Analysis (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- C49-C54 phase transition in nanometric titanium disilicide nanograins (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of Ta interlayer on the titanium silicide reaction: C40 formation and scalability of the tisi2 process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical resistivity and Hall coefficient of C49, C40, and C54 tisi2 thin-film phases (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical properties of tisi2 clusters in poly-Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Quantitative high-resolution two-dimensional profiling of sic by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical characterization of nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High-resolution investigation of atomic interdiffusion during Co/Ni/Si phase transition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermal expansion and stress development in the first stages of silicidation in Ti/Si thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- C49 defect influence on the C49?C54 transition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Highly reproducible ideal SiC Schottky rectifiers: effects of surface preparation and thermal annealing on the Ni/6H-SiC barrier height (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of a Ti cap layer on the diffusion of Co atoms during CoSi2 reaction (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of epitaxial layer growth parameters on the defect density and on the electrical characteristics of Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defects in He+ irradiated 6H-SiC probed by DLTS and LTPL measurements (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of thermal treatments on the structural and electrical properties of Ni/Ti bilayers Schottky contacts on 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural characterization and oxygen concentration profiling of a Co/Si multilayer structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of TiW/Au thin films as metallization stack for high temperature and harsh environment devices on 6H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Tailoring the Ti/4H-SiC Schottky barrier by ion irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Time resolved COSi2 reaction in presence of Ti and TiN cap layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A kinetic Monte Carlo method on super-lattices for the study of the defect formation in the growth of close packed structures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Mo interlayer on thermal stability of polycrystalline NiSi thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optical and electrical properties of 4H-SiC epitaxial layer grown with HCl addition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical properties of high energy ion irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural defects in (100) 3C-SiC heteroepitaxy: Influence of the buffer layer morphology on generation and propagation of stacking faults and microtwins (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optical investigation of bulk electron mobility in 3C-SiC films on Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Microtwin reduction in 3C-SiC heteroepitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- First Principles Investigation on the Modifications of the 4H-SiC Band Structure Due to the (4,4) and (3,5) Stacking Faults (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermal stability of sio2/cosi2/polysilicon multilayer structures improved by cavity formation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of cosi2 thermal stability improved by interfacial cavities (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reaction of the Si/Ta/Ti system: c40tisi2 phase formation and in situ kinetics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- TEM analysis of an additional metal-rich component at the C49-C54 transformation in Ti/Si thin films capped with tin (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Reduction of the power dissipation in silicon carbide Schottky rectifiers by a dual-metal planar structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicon carbide pinch rectifiers using a dual-metal Ti/Ni2Si Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Schottky ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: is it really a solved problem? (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicon carbide: Defects and devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ion-beam induced modifications of titanium Schottky barrier on 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical characterization of inhomogeneous Ni2Si/SiC Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Schottky-Ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: the effect of non uniform Schottky barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 4H SiC epitaxial growth with chlorine addition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Defect formation and evolution in the step-flow growth of silicon carbide: A Monte Carlo study (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 4H-SiC epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stacking faults evolution during epitaxial growths: Role of surface the kinetics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural and electronic characterization of (2,3(3)) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defect Influence on Heteroepitaxial 3C-SiC Young's Modulus (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Advanced Residual Stress Analysis and FEM Simulation on Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Application (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Carbonization Study of Different Silicon Orientations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optimisation of Epitaxial Layer Growth with HCl Addition by Optical and Electrical Characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High Quality Single Crystal 3C-SiC(111) Films Grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC heteroepitaxial growth on Inverted Silicon Pyramids (ISP) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Towards Large Area (111)3C-SiC Films Grown on off-oriented (111)Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Defects in High Energy Ion Irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomistic and Continuum Simulations of the Homo-epitaxial Growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Raman characterization of doped 3C-SiC/Si for different silicon substrates and C/Si ratios (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Very High Growth Rate Epitaxy Processes with Chlorine Addition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Film Morphology and Process Conditions in Epitaxial Silicon Carbide Growth via Chlorides Route (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ohmic Contact to SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Residual Stress Measurement on Hetero-epitaxial 3C-SiC Films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thick Epitaxial Layers Growth by Chlorine Addition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extended Study of the Step-bunching Mechanism During the Homoepitaxial Growth of SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Bow in 6 inch high-quality off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio (Manufatti, prototipi d'arte e relativi progetti) (Prodotto della ricerca)
- Realizzazzione di micro-strutture per la determinazione dello stress nell'etero-epitassia 3C-SiC/Si (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
- Procedimento per incrementare la stabilità termica di siliciuri su silicio (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Semiconductor substrate suitable for the realisation of electronic and/ or optoelectronic devices and relative manufacturing process (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Processo di crescita etero-epitassiale di SiC mediante precursori innovativi (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Process for manufacturing a schottky contact on a semiconductor substrate (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H) (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- High resolution investigation of atomic interdiffusion during Co/Ni/Si phase transition (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Thermal oxidation of As and Ge implanted Si(100) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Residual stress measurement and simulation of 3C-SiC single and poly crystal cantilevers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Large area optical characterization of 3 and 4 inches 4H-SiC wafers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thermal oxidation of Si (001) single crystal implanted with Ge ions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Crystal recovery from Al-implantation induced damaging in 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Morphology and distribution of carbon nanostructures in a deposit produced by arc discharge in liquid nitrogen (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stress fields analysis in 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman spectroscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Schottky-Ohmic Transition in Nickel Sllicide/SiC System: Is it Really a Solved Problem? (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of the effects of growth rate, miscut direction and postgrowth argon annealing on the surface morphology of homoepitaxially grown 4H silicon carbide films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Correlation between macroscopic and microscopic stress fields: Application to the 3C-SiC/Si heteroepitaxy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress fields analysis in 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman spectroscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of microstructure deflections and film/substrate curvature under generalized stress fields and mechanical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Extended characterization of the stress fields in the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on silicon for sensors and device applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High quality 3C-SiC for MOS applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Advanced residual stress analysis on the heteroepitaxial growth of 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Raman stress characterization of hetero-epitaxial 3C-SiC free standing structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Advanced stress analysis by micro-structures realization on high quality hetero-epitaxial 3C-SiC for MEMS application (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Raman study of bulk mobility in 3C-SiC heteroepitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- SiC Films and Coatings: Amorphous, Polycrystalline, Single Crystal Forms (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si using Trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC hetero-epitaxial films for sensor fabrication (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC growth rockets with hydrogen chloride addition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC growth on (001) Si substrates by using a multilayer buffer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High performance SiC detectors for MeV ion beams generated by intense pulsed laser plasmas (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Post-growth process effect on hetero-epitxial 3C-SiC wafer bow and residual stress (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of Al ion implantation on 3C-SiC crystal structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fast growth rate epitaxy by chloride precursors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Micro-Raman analysis of a micromachined 3C-SiC cantilever (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stress evaluation on hetero-epitaxial 3C-SiC film on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Strain field analysis of 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman and theoretical modelling (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of the connection between stacking faults evolution and step kinetics in misoriented 4H-SiC epitaxial growths (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC film growth on Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reduction of the surface density of single Shockley faults by TCS growth process (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evolution of extended defects during epitaxial growths: A Monte Carlo study (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- SiC-4H Epitaxial Layer Growth by Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor at Very High Growth Rate. (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Origin of the C49-C54 volume anomaly in TiSi2 thin films: An in-situ XRD and TEM analysis (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Correlation between microstructure control, density and diffusion barrier properties of TiN(O) films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High Growth Rate Process in a SiC Horizontal Reactor with HCl Addition: Structural and Electrical Characterization (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Monte carlo study of the hetero-polytypical growth of cubic on hexagonal silicon carbide polytypes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stress relaxation study in 3C-SiC microstructures by micro-raman analysis and finite element modeling (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Patterned substrate with inverted silicon pyramids for 3C-SiC epitaxial growth: A comparison with conventional (001) Si substrate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stress nature investigation on heteroepitaxial 3C-SiC film on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High power density UV optical stress for quality evaluation of 4H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fast growth rate epitaxy by chloride precursors (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
- Silicon Carbide Epitaxy (Curatela) (Prodotto della ricerca)
- Focus Issue: Silicon Carbide - Materials, Processing and Devices (Curatela) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1501)
- Thin SiC-4H epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS) as silicon precursor with very abrupt junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical monte carlo study of the formation and evolution of defects in the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC-4H epitaxial layer growth using trichlorosilane (TCS) as silicon precursor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Silicon-Porous Silicon-Silicon (SPS) substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optimisation of epitaxial layer growth by Schottky diodes electrical characterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A new position sensitive anode for plasmas diagnostic (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Micro-Raman analysis and finite-element modeling of 3 C-SiC microstructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Micro-Raman characterization of 4H-SiC stacking faults (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Manufacture of wafers of wide energy gap semiconductor material for the integration of electronic and/or optical and/or optoelectronic devices (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Analysis on 3C-SiC layer grown on pseudomorphic-Si/Si1-xGex/Si(001) heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Mechanisms of growth and defect properties of epitaxial SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrically Trimmable Phase Change Ge2Sb2Te5 Resistors With Tunable Temperature Coefficient of Resistance (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Hetero-epitaxial Single Crystal 3C-SiC Opto-Mechanical Pressure Sensor (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Study of the role of particle-particle dipole interaction in dielectrophoretic devices for biomarkers identification (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evaluation of mechanical and optical properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared-membrane (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrically Tunable Ge2Sb2Te5 Resistors Independent of the Temperature for Reconfigurable High Precision Electronics (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical and experimental study of the role of cell-cell dipole interaction in dielectrophoretic devices: application to polynomial electrodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- A novel micro-Raman technique to detect and characterize 4H-SiC stacking faults (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- MeV ion beams generated by intense pulsed laser monitored by Silicon Carbide detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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