GIORGIO LULLI
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- GIORGIO LULLI (literal)
- GIORGIO LULLI (literal)
- Subject
- Electronic engineering (Categoria DBpedia)
- Semiconductor device fabrication (Categoria DBpedia)
- Materials (Categoria DBpedia)
- Materials science (Categoria DBpedia)
- Semiconductors (Categoria DBpedia)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT. GIORGIO LULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT. GIORGIO LULLI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sintesi e caratterizzazione di materiali nanostrutturati a base di C e Si per applicazioni in sensoristica e nanoelettronica" (MD.P05.017) di DOTT. GIORGIO LULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT. GIORGIO LULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di DOTT. GIORGIO LULLI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Germanium implanted Bragg gratings in silicon on insulator waveguides (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analysis of ion implanted Silicon by RBS-channeling: influence of the damage model. (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Stopping power of sio2 for 0.2?3.0 mev He ions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Channeling characterization of defects in silicon: an atomistic approach (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Damage and recovery in doped SOI layers after high energy implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Computer simulation of ion channeling in Si containing structurally relaxed point defects (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Interpretation of ion-channeling spectra in ion-implanted Si with models of structurally relaxed point defects and clusters (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Investigation of heavily damaged ion implanted Si by atomistic simulation of Rutherford backscattering channeling spectra (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomistic simulation of ion channeling in heavily doped Si : As (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interferenza di elettroni (Prodotti multimediali) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1723)
- ACCADUEO (Mostre ed esposizioni) (Prodotto della ricerca)
- 2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- L'esperimento più bello. L'interferenza di elettroni singoli e il mistero della meccanica quantistica (Monografia o trattato scientifico) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1401)
- Atomistic model of defects for the simulation of RBS-channeling measurements in ion irradiated silicon (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Two-Dimensional Simulation of Undermask Penetration in 4H-SiC Implanted With Al+ Ions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- XXI International Conference on Atomic Collisions in Solids (Curatela) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1501)
- International Atomic Energy Agency Intercomparison of ion beam analysis software (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion implantation of silicon at the nanometer scale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- RBS channeling analysis of ion irradiation effects in heavily doped Si:As (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Ab initio structures of AsmV complexes and the simulation of Rutherford backscattering channeling spectra in heavily As-doped crystalline silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of ion implanted silicon by RBS-channeling: influence of the damage model (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Guidelines for Teaching and Learning Science in creative ways (Monografia o trattato scientifico) (Prodotto della ricerca)
- RBS-channeling analysis of ion-irradiation effects in heavily-doped Si : As (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural characterization and modeling of damage accumulation in In implanted Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Defect-induced homogeneous amorphization of silicon: the role of defect structure and population (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Summary of IAEA intercomparison of IBA software (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Codice MC-BCA per simulazione 2D impianto ionico in SiC (Software) (Prodotto della ricerca)
- Atomistic modeling of ion channeling in Si with point defects: the role of lattice relaxation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Lattice location of As in heavily doped Si:As investigated by atomistic simulation of RBS-c spectra (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si: As irradiated with high-energy ions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Radiation enhanced silicon self-diffusion and the silicon vacancy at high temperatures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- TAILORED EMITTER ION-IMPLANTED SILICON SOLAR CELLS (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Damage and recovery in doped SOI layers after high energy implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)
- ALESSANDRA SATTA (Persona)
- MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- DIEGO LUIS GONZALEZ (Persona)
- LAURA FAVERO (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
- ANNA MARIA MAZZONE (Unità di personale interno)
- DARIO NOBILI (Persona)
- CATERINA SUMMONTE (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- ALESSANDRA SATTA (Persona)
- LUCIANO COLOMBO (Unità di personale esterno)
- LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
- ROBERTO BALBONI (Persona)
- ROBERTO GALLONI (Unità di personale interno)
- LUCILLA CAPOTONDI (Persona)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- MARIA LUISA NAVACCHIA (Unità di personale interno)
- STEFANO DI MARCO (Unità di personale interno)
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
- EROS ALBERTAZZI (Unità di personale interno)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- ROBERTO ZAMBONI (Persona)
- SILVANA MANGIARACINA (Persona)
- MILA D'ANGELANTONIO (Unità di personale interno)
- Nome
- GIORGIO (literal)
- Cognome
- LULLI (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
- EROS ALBERTAZZI (Unità di personale interno)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- DARIO NOBILI (Persona)
- LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
- ROBERTO BALBONI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- Http://www.cnr.it/ontology/persone.owl#argomentoDiRicercaSimile
- MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
- FABIO TRANI (Unità di personale esterno)
- BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
- DOMENICO NINNO (Unità di personale esterno)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- LUCA MAIOLO (Persona)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- Andrea Severino (Unità di personale esterno)
- MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
- GIOVANNI CANTELE (Persona)
- STEPHEN ARUMAINATHAN (Persona)
- ALBERTO DEBERNARDI (Persona)
- ALESSANDRO PECORA (Persona)
- PAOLO GAUCCI (Persona)
- CLAUDIO PELOSI (Unità di personale interno)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
- LUCIA CALCAGNO (Unità di personale esterno)
- ILARIA BERGENTI (Persona)
- MAURIZIO PIO IMPRONTA (Persona)
- LETIZIA GALLERANI (Unità di personale esterno)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
- NAHIDA MUSAYEVA (Unità di personale esterno)
- GIOVANNI ATTOLINI (Persona)
- MATTEO BOSI (Unità di personale interno)
- EMILIA ARISI (Unità di personale esterno)
- Martiale Gaeta Zebaze Kana (Unità di personale esterno)
- GIAN GIUSEPPE BENTINI (Unità di personale interno)
- CESARE FRIGERI (Persona)
- DARIO NOBILI (Persona)
- ANTONIO MINOTTI (Unità di personale interno)
- Giuseppe Pennestrì (Unità di personale esterno)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
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- Autore CNR
- RBS channeling analysis of ion irradiation effects in heavily doped Si:As (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
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- Radiation enhanced silicon self-diffusion and the silicon vacancy at high temperatures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Analysis of ion implanted silicon by RBS-channeling: influence of the damage model (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ab initio structures of AsmV complexes and the simulation of Rutherford backscattering channeling spectra in heavily As-doped crystalline silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural characterization and modeling of damage accumulation in In implanted Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- International Atomic Energy Agency Intercomparison of ion beam analysis software (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion implantation of silicon at the nanometer scale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stopping power of sio2 for 0.2?3.0 mev He ions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomistic modeling of ion channeling in Si with point defects: the role of lattice relaxation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Damage and recovery in doped SOI layers after high energy implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Two-Dimensional Simulation of Undermask Penetration in 4H-SiC Implanted With Al+ Ions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Channeling characterization of defects in silicon: an atomistic approach (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Investigation of heavily damaged ion implanted Si by atomistic simulation of Rutherford backscattering channeling spectra (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Analysis of ion implanted Silicon by RBS-channeling: influence of the damage model. (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
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- Codice MC-BCA per simulazione 2D impianto ionico in SiC (Software) (Prodotto della ricerca)
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- XXI International Conference on Atomic Collisions in Solids (Curatela) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1501)
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- Atomistic model of defects for the simulation of RBS-channeling measurements in ion irradiated silicon (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- ACCADUEO (Mostre ed esposizioni) (Prodotto della ricerca)
- TAILORED EMITTER ION-IMPLANTED SILICON SOLAR CELLS (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- 2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- L'esperimento più bello. L'interferenza di elettroni singoli e il mistero della meccanica quantistica (Monografia o trattato scientifico) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1401)
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- GIOVANNI CANTELE (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Persona)
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- Ha pubblicazioni con
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- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT. GIORGIO LULLI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
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- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di DOTT. GIORGIO LULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di DOTT. GIORGIO LULLI nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Ha afferente
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di DOTT. GIORGIO LULLI (Rapporto con CNR)
- Http://www.w3.org/2004/02/skos/core#isSubjectOf
- Semiconductors (Categoria DBpedia)
- Materials science (Categoria DBpedia)
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