FRANCESCO MOSCATELLI
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- Persona (Classe)
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- FRANCESCO MOSCATELLI (literal)
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- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of DOTT. FRANCESCO MOSCATELLI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Electrical Characterization of Ion Implanted n + /p 6H-SiC Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- SiC donor doping by 300 degrees C P implantation: Characterization of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Carbon-cap for Ohmic Contacts on Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of electron traps at the 4H-SiC/SiO2 interface; influence by nitrogen implantation prior to wet oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Comprehensive Device Simulation Modelling of Heavily Irradiated Silicon Detectors at Cryogenic Temperatures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Recent advancements in the development of radiation hard semiconductor detectors for S-LHC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Ni-silicide contacts to 6H-SiC: Contact resistivity and barrier height on ion implanted n-type and barrier height on p-type epilayer (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Radiation-hard semiconductor detectors for SuperLHC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al+ Implanted 4H-SiC p+-i-n Diodes: Evidence for Post-Implantation- Annealing Dependent Defect Activation (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Radiation tests of single photon avalanche diode for space applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al/Ti Ohmic Contacts to P-type Ion Implanted 6H-SiC: Mono- and Two-dimensional Analysis of the TLM Data (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- C-V and DLTS analyses of trap-induced graded junctions: the case of Al+ implanted JTE p+n 4H-SiC diodes. (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of N implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of Phosphorus Implanted n+/p Junctions Integrated as Source/drain Regions in a 4H-SiC n-MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Development of radiation tolerant semiconductor detectors for the Super-LHC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis and simulation of charge collection efficiency in silicon thin detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion implanted lateral p+-i-n+ diodes on HPSI 4H-SiC (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al+ implanted 4H-SiC p+n diodes: SIMS, C-V and DLTS characterizations (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Minimum ionizing particle detector based on p(+)n junction SiC diode (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Single Photon Avalanche Diodes for Space Applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improved electrical characterization of Al-Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Microwave Annealing of Al+ Implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Influence of Grain Size on the Thermoelectric Properties of Polycrystalline Silicon Nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of nitrogen implantation at the SiO2/SiC interface on the electron mobility and free carrier density in 4H-SiC metal oxide semiconductor field effect transistor channel (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature dependent current-voltage characteristics of microwave annealed Al+ implanted 4H-SiC p+-i-n diodes (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Ar annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ implanted p+/n 4H-SiC diodes: analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al implanted 4H-SiC: improved electrical activation and low resistance ohmic contacts (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Proton Radiation Tests of Single Photon Avalanche Diode for Space Applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Radiation Hardness of Minimum Ionizing Particle Detectors Based on SiC p+n Junctions (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- ANDREA SCORZONI (Persona)
- FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
- FRANCESCO SURIANO (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
- LUCA BELSITO (Unità di personale interno)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- FULVIO MANCARELLA (Persona)
- PIERA MACCAGNANI (Unità di personale interno)
- BERNARD ENRICO WATTS (Persona)
- LUCA BELSITO (Persona)
- MATTEO FERRI (Persona)
- GIULIO PIZZOCHERO (Unità di personale interno)
- SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- RITA RIZZOLI (Persona)
- STEFANO ZAMPOLLI (Persona)
- ALBERTO RONCAGLIA (Unità di personale interno)
- MATTEO FERRI (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- MATTEO BOSI (Unità di personale interno)
- GIOVANNI ATTOLINI (Persona)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
- FILIPPO BONAFE' (Unità di personale interno)
- VITO RAINERI (Persona)
- Nome
- FRANCESCO (literal)
- Cognome
- MOSCATELLI (literal)
- Afferisce a
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- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
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- STEFANO ZAMPOLLI (Persona)
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- GIULIO PIZZOCHERO (Unità di personale interno)
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- LUCA BELSITO (Persona)
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- SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
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- MATTEO FERRI (Persona)
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- FULVIO MANCARELLA (Persona)
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- Ha afferente
- Autore CNR
- Al+ implanted 4H-SiC p+n diodes: SIMS, C-V and DLTS characterizations (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Improved electrical characterization of Al-Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC donor doping by 300 degrees C P implantation: Characterization of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ni-silicide contacts to 6H-SiC: Contact resistivity and barrier height on ion implanted n-type and barrier height on p-type epilayer (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Carbon-cap for Ohmic Contacts on Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of electron traps at the 4H-SiC/SiO2 interface; influence by nitrogen implantation prior to wet oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extraction of the Schottky barrier height of Ti/Al contacts on 4H-SiC from I-V and C-V measurements (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of nitrogen implantation at the SiO2/SiC interface on the electron mobility and free carrier density in 4H-SiC metal oxide semiconductor field effect transistor channel (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis and simulation of charge collection efficiency in silicon thin detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- C-V and DLTS analyses of trap-induced graded junctions: the case of Al+ implanted JTE p+n 4H-SiC diodes. (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO2 Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of Phosphorus Implanted n+/p Junctions Integrated as Source/drain Regions in a 4H-SiC n-MOSFET (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of N implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Radiation-hard semiconductor detectors for SuperLHC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Recent advancements in the development of radiation hard semiconductor detectors for S-LHC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Comprehensive Device Simulation Modelling of Heavily Irradiated Silicon Detectors at Cryogenic Temperatures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Development of radiation tolerant semiconductor detectors for the Super-LHC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ar annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ implanted p+/n 4H-SiC diodes: analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Minimum ionizing particle detector based on p(+)n junction SiC diode (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical Characterization of Ion Implanted n + /p 6H-SiC Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Proton Radiation Tests of Single Photon Avalanche Diode for Space Applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Radiation Hardness of Minimum Ionizing Particle Detectors Based on SiC p+n Junctions (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al/Ti Ohmic Contacts to P-type Ion Implanted 6H-SiC: Mono- and Two-dimensional Analysis of the TLM Data (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Single Photon Avalanche Diodes for Space Applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Radiation tests of single photon avalanche diode for space applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of Grain Size on the Thermoelectric Properties of Polycrystalline Silicon Nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- P+ implanted 6H-SiC n+-i-p diodes: evidence for a post-implantation-annealing dependent defect activation (Comunicazione a convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1303)
- Microwave Annealing of Al+ Implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Non-nitridated oxides: abnormal behaviour of n-4H-SiC/SiO2 capacitors at low temperature caused by near interface states (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Al+ implanted 4H-SiC p(+)-i-n diodes: Evidence for post-implantation-annealing dependent defect activation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ion implanted lateral p+-i-n+ diodes on HPSI 4H-SiC (Abstract/Poster in convegno) (Prodotto della ricerca)
- Temperature dependent current-voltage characteristics of microwave annealed Al+ implanted 4H-SiC p+-i-n diodes (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
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- Al implanted 4H-SiC: improved electrical activation and low resistance ohmic contacts (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Rapporto con persona
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