ALESSANDRO MOLLE
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- ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)
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- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di DOTT. ALESSANDRO MOLLE (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Role of the Oxygen Content in the GeO2 Passivation of Ge Substrates as a Function of the Oxidizer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Hindering the Oxidation of Silicene with Non-Reactive Encapsulation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evidence of Trigonal Dangling Bonds at the Ge(111)/Oxide Interface by Electrically Detected Magnetic Resonance (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic layer-deposited Al-HfO2/SiO2 bi-layers towards 3D charge trapping non-volatile memory (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- In situ chemical and structural investigations of the oxidation of Ge(001) substrates by atomic oxygen (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic Layer Deposition of Al-doped ZrO2 Thin Films for Advanced Gate Stack on III-V Substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Local Electronic Properties of Corrugated Silicene Phases (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Getting through the Nature of Silicene: An sp(2)-sp(3) Two-Dimensional Silicon Nanosheet (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Carbon monoxide dissociation on Rh nanopyramids (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Detection of the Tetragonal and Monoclinic Phases and their Role on the Dielectric Constant of ALD Deposited La-doped ZrO2 Thin Films on Ge (001) (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Two-Dimensional Si Nanosheets with Local Hexagonal Structure on a MoS2 Surface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrically detected magnetic resonance study of the Ge dangling bonds at the Ge(1 1 1)/GeO2 interface after capping with Al2O 3 layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evidence for graphite-like hexagonal AlN nanosheets epitaxially grown on single crystal Ag(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of the oxidizing species on the Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO2 interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Exploring the morphological and electronic properties of silicene superstructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition of MO2 (M=Zr, Hf) Gate Dielectrics on In0.53Ga0.47As(001) Substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Transitivity of band offsets between semiconductor heterojunctions and oxide insulators (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Vibrational properties of epitaxial silicene layers on (1 1 1) Ag (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Chemical nature of the passivation layer depending on the oxidizing agent in Gd(2)O(3)/GeO(2)/Ge stacks grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical aspects of graphene-like group IV semiconductors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Dense arrays of Co nanocrystals epitaxially grown on ion-patterned Cu (110) substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect on Al:MO2/In0.53Ga0.47As interface (M = Hf, Zr) of trimethyl-aluminum pre-treatment during atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicene field-effect transistors operating at room temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of atomic layer deposited Al-doped ZrO2 films and of the interface with TaN electrode (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of lattice parameters on the dielectric constant of tetragonal ZrO2 and La-doped ZrO2 crystals in thin films deposited by atomic layer deposition on Ge(001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Phase Stabilization of Al:HfO2 Grown on In(x)Gal(1-x)As Substrates (x=0, 0.15, 0.53) via Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Special Issue: The route to post-Si CMOS devices: From high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets Preface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reconstruction dependent reactivity of As-decapped In0.53Ga0.47As(001) surfaces and its influence on the electrical quality of the interface with Al2O3 grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electronic properties at the oxide interface with silicon and germanium through x-ray induced oxide charging (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Impact of post deposition annealing in the electrically active traps at the interface between Ge(001) substrates and LaGeOx films grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interface analysis of Ge ultra thin layers intercalated between GaAs substrates and oxide stacks (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Active trap determination at the interface of Ge and In 0.53Ga 0.47As substrates with dielectric layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interface quality of atomic layer deposited La-doped ZrO2 films on gepassivated In0.15Ga0.85As substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition of MO2 (M= Zr, Hf) Gate Dielectrics on In0.53Ga0.47As(001) Substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Temperature dependence of rippled corrugations induced on the Rh(110) surface via ion sputtering (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evolution of Interface Properties During Atomic Layer Deposition of Rare Earth-based High-k Dielectrics on Si, Ge and III-V Substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Effect of Electric Dipoles on Fermi Level Positioning at the Interface between Ultrathin Al2O3 Films and Differently Reconstructed In0.53Ga0.47As(001) Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Magnetic resonance spectroscopy of defects at the dielectric-semiconductor interface: Ge substrates and Si nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ultrafast dynamics in epitaxial silicene on Ag(111) (Abstract/Comunicazione in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1305)
- Influence of the oxidation temperature on the non-trigonal Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO(2) interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High permittivity materials for oxide gate stack in Ge-based metal oxide semiconductor capacitors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al(2)O(3) stacks on In(0.53)Ga(0.47)As substrates: In situ investigation of the interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- GABRIELE CONGEDO (Persona)
- SABINA SPIGA (Persona)
- CATERINA VOZZI (Persona)
- ROBERTO FELICI (Unità di personale interno)
- FRANCESCO BUATIER DE MONGEOT (Persona)
- ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)
- MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)
- GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- ELENA CIANCI (Unità di personale interno)
- CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
- RICCARDO MORONI (Persona)
- RENATO BUZIO (Unità di personale interno)
- UGO VALBUSA (Persona)
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- LUCA LAMAGNA (Unità di personale esterno)
- ALBERTO DEBERNARDI (Unità di personale interno)
- MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
- GIULIO NICOLA CERULLO (Unità di personale esterno)
- MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
- ALESSANDRO BARALDI (Persona)
- CARLO FANCIULLI (Persona)
- SILVIA BALDOVINO (Unità di personale esterno)
- GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
- Responsabile di
- Nome
- ALESSANDRO (literal)
- Cognome
- MOLLE (literal)
- Afferisce a
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- Carbon monoxide dissociation on Rh nanopyramids (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interface analysis of Ge ultra thin layers intercalated between GaAs substrates and oxide stacks (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of the oxidation temperature on the non-trigonal Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO(2) interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Magnetic resonance spectroscopy of defects at the dielectric-semiconductor interface: Ge substrates and Si nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al(2)O(3) stacks on In(0.53)Ga(0.47)As substrates: In situ investigation of the interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Influence of the oxidizing species on the Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO2 interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Chemical nature of the passivation layer depending on the oxidizing agent in Gd(2)O(3)/GeO(2)/Ge stacks grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Temperature dependence of rippled corrugations induced on the Rh(110) surface via ion sputtering (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Impact of post deposition annealing in the electrically active traps at the interface between Ge(001) substrates and LaGeOx films grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Transitivity of band offsets between semiconductor heterojunctions and oxide insulators (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High permittivity materials for oxide gate stack in Ge-based metal oxide semiconductor capacitors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of Electric Dipoles on Fermi Level Positioning at the Interface between Ultrathin Al2O3 Films and Differently Reconstructed In0.53Ga0.47As(001) Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Dense arrays of Co nanocrystals epitaxially grown on ion-patterned Cu (110) substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Role of the Oxygen Content in the GeO2 Passivation of Ge Substrates as a Function of the Oxidizer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Reconstruction dependent reactivity of As-decapped In0.53Ga0.47As(001) surfaces and its influence on the electrical quality of the interface with Al2O3 grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Influence of lattice parameters on the dielectric constant of tetragonal ZrO2 and La-doped ZrO2 crystals in thin films deposited by atomic layer deposition on Ge(001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Hindering the Oxidation of Silicene with Non-Reactive Encapsulation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evidence of Trigonal Dangling Bonds at the Ge(111)/Oxide Interface by Electrically Detected Magnetic Resonance (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition of MO2 (M=Zr, Hf) Gate Dielectrics on In0.53Ga0.47As(001) Substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electronic properties at the oxide interface with silicon and germanium through x-ray induced oxide charging (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Getting through the Nature of Silicene: An sp(2)-sp(3) Two-Dimensional Silicon Nanosheet (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of atomic layer deposited Al-doped ZrO2 films and of the interface with TaN electrode (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic layer-deposited Al-HfO2/SiO2 bi-layers towards 3D charge trapping non-volatile memory (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic Layer Deposition of Al-doped ZrO2 Thin Films for Advanced Gate Stack on III-V Substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Detection of the Tetragonal and Monoclinic Phases and their Role on the Dielectric Constant of ALD Deposited La-doped ZrO2 Thin Films on Ge (001) (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Local Electronic Properties of Corrugated Silicene Phases (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Exploring the morphological and electronic properties of silicene superstructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Phase Stabilization of Al:HfO2 Grown on In(x)Gal(1-x)As Substrates (x=0, 0.15, 0.53) via Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Special Issue: The route to post-Si CMOS devices: From high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets Preface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ultrafast dynamics in epitaxial silicene on Ag(111) (Abstract/Comunicazione in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1305)
- Two-Dimensional Si Nanosheets with Local Hexagonal Structure on a MoS2 Surface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrically detected magnetic resonance study of the Ge dangling bonds at the Ge(1 1 1)/GeO2 interface after capping with Al2O 3 layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evidence for graphite-like hexagonal AlN nanosheets epitaxially grown on single crystal Ag(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical aspects of graphene-like group IV semiconductors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Vibrational properties of epitaxial silicene layers on (1 1 1) Ag (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicene field-effect transistors operating at room temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect on Al:MO2/In0.53Ga0.47As interface (M = Hf, Zr) of trimethyl-aluminum pre-treatment during atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Active trap determination at the interface of Ge and In 0.53Ga 0.47As substrates with dielectric layers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interface quality of atomic layer deposited La-doped ZrO2 films on gepassivated In0.15Ga0.85As substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition of MO2 (M= Zr, Hf) Gate Dielectrics on In0.53Ga0.47As(001) Substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- SABINA SPIGA (Persona)
- CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- ELENA CIANCI (Unità di personale interno)
- MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
- GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
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- GIULIO NICOLA CERULLO (Unità di personale esterno)
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- GABRIELE CONGEDO (Persona)
- MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)
- SILVIA BALDOVINO (Unità di personale esterno)
- GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)
- CARLO FANCIULLI (Persona)
- CATERINA VOZZI (Persona)
- ROBERTO FELICI (Unità di personale interno)
- ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)
- RENATO BUZIO (Unità di personale interno)
- FRANCESCO BUATIER DE MONGEOT (Persona)
- LUCA LAMAGNA (Unità di personale esterno)
- RICCARDO MORONI (Persona)
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- Ha afferente
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- Gestore
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di DOTT. ALESSANDRO MOLLE (Rapporto con CNR)
