SALVATORE DI FRANCO
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- SALVATORE DI FRANCO (literal)
- SALVATORE DI FRANCO (literal)
- Http://www.w3.org/2002/07/owl#sameAs
- SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
- Partecipa a commessa
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di SIG. SALVATORE DI FRANCO (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Scanning probe microscopy investigation of the mechanisms limiting electronic transport in substrate-supported graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Surface corrugation and stacking misorientation in multilayers of graphene on Nickel (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- SiC-4H Epitaxial Layer Growth by Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor at Very High Growth Rate. (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Microscopic mechanisms of graphene electrolytic delamination from metal substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optimisation of epitaxial layer growth by Schottky diodes electrical characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Molecular Doping applied to Si Nanowires array based Solar Cells (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Electrical Properties of Ni/GaN Schottky Contacts on High-temperature Annealed GaN Surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Realizzazzione di micro-strutture per la determinazione dello stress nell'etero-epitassia 3C-SiC/Si (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Nanofabrication processes for innovative nanohole-based solar cells (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evolution of the electrical behaviour of GaN and AlGaN materials after high temperature annealing and thermal oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current-induced defect formation in multi-walled carbon nanotubes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Annealing behavior of Ta-based contacts on AlGaN/GAN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- GIUSEPPE GRECO (Persona)
- Gabriele Fisichella (Persona)
- FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
- RAFFAELLA LO NIGRO (Persona)
- IOANNIS DERETZIS (Unità di personale interno)
- GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Persona)
- VIVIANA SCUDERI (Persona)
- MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
- SUSHANT SUDAM SONDE (Unità di personale esterno)
- MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
- SILVIA SCALESE (Persona)
- ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
- PATRICK FIORENZA (Persona)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- MING HUNG WENG (Persona)
- Andrea Severino (Persona)
- NICOLO' PILUSO (Persona)
- Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
- Carmelo Vecchio (Unità di personale esterno)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- MARKUS ITALIA (Unità di personale interno)
- PATRICK FIORENZA (Unità di personale interno)
- RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- GIOVANNI MANNINO (Unità di personale interno)
- Nome
- SALVATORE (literal)
- Cognome
- DI FRANCO (literal)
- Afferisce a
Incoming links:
- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- MARKUS ITALIA (Unità di personale interno)
- VITO RAINERI (Persona)
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
- GIOVANNI MANNINO (Unità di personale interno)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
- RAFFAELLA LO NIGRO (Persona)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Persona)
- SILVIA SCALESE (Persona)
- MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
- Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
- Andrea Severino (Persona)
- NICOLO' PILUSO (Persona)
- Carmelo Vecchio (Unità di personale esterno)
- PATRICK FIORENZA (Persona)
- MING HUNG WENG (Persona)
- RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
- MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
- SUSHANT SUDAM SONDE (Unità di personale esterno)
- GIUSEPPE GRECO (Persona)
- Gabriele Fisichella (Persona)
- GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Persona)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22728
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22802
- PATRICK FIORENZA (Unità di personale interno)
- VIVIANA SCUDERI (Persona)
- IOANNIS DERETZIS (Unità di personale interno)
- Ha afferente
- Partecipazione di
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di SIG. SALVATORE DI FRANCO (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
- Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evolution of the electrical behaviour of GaN and AlGaN materials after high temperature annealing and thermal oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Realizzazzione di micro-strutture per la determinazione dello stress nell'etero-epitassia 3C-SiC/Si (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Annealing behavior of Ta-based contacts on AlGaN/GAN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Surface corrugation and stacking misorientation in multilayers of graphene on Nickel (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC-4H Epitaxial Layer Growth by Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor at Very High Growth Rate. (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nanofabrication processes for innovative nanohole-based solar cells (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optimisation of epitaxial layer growth by Schottky diodes electrical characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical Properties of Ni/GaN Schottky Contacts on High-temperature Annealed GaN Surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Scanning probe microscopy investigation of the mechanisms limiting electronic transport in substrate-supported graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Molecular Doping applied to Si Nanowires array based Solar Cells (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Microscopic mechanisms of graphene electrolytic delamination from metal substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current-induced defect formation in multi-walled carbon nanotubes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)