FILIPPO GIANNAZZO

Type

• Persona (Classe)

Label

• FILIPPO GIANNAZZO (literal)
• FILIPPO GIANNAZZO (literal)

Http://www.w3.org/2002/07/owl#sameAs

• FILIPPO GIANNAZZO (Unità di personale esterno)

Gestore di

• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)

Partecipa a commessa

• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. FILIPPO GIANNAZZO nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. FILIPPO GIANNAZZO nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)

Persona in rapporto

• Employment relationship with CNR of DOTT. FILIPPO GIANNAZZO (Rapporto con CNR)

Autore CNR di

• High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Transport localization in heterogeneous Schottky barriers of quantum-defined metal films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effect of He induced nanovoid on B implanted in Si: the microscopic mechanism (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Fluorine counter doping effect in B-doped Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier concentration and mobility-profiling in quantum wells by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electronic properties of graphene probed at the nanoscale (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-assembled metal nanostructures in semiconductor structures (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Nanoimaging in SiC and Related Materials: Beyond Surface Morphology to Charge Transport and Physical Parameters Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Critical issues for interfaces to p-type SiC and GaN in power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Hydrosilation of 1-alkyne at nearly flat, terraced, homogeneously hydrogen-terminated silicon(100) surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• B activation enhancement in submicron confined implants in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Micro-Raman characterization of graphene grown on SiC(000-1) (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Impact of surface processing on the electrical properties of p-type implanted 4H-SiC for power devices (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• SPM techniques for carrier profiling at advanced technology nodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy on ultranarrow doping profiles in Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved reproducibility in scanning capacitance microscopy for quantitative 2D carrier profiling on silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• New insight on the interaction and diffusion properties of ion beam injected self-interstitials in crystalline silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of SiC interfaces and devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Charge Transport in Microelectronics Materials at Nanoscale by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky Barrier Height in self-Assembled gold nanoparticles on 6H-SIC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Experimental aspects and modeling for quantitative measurements in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale capacitive behaviour of ion irradiated graphene on silicon oxide substrate (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Silicon carbide: Defects and devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion-beam induced modifications of titanium Schottky barrier on 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current Transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts to GaN and AlGaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electronic properties of epitaxial graphene residing on SiC facets probed by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale structural and electrical evolution of Ta- and Ti-based contacts on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effect of self-interstitials - nanovoids interaction on two-dimensional diffusion and activation of implanted B in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy two-dimensional carrier profiling for ultra-shallow junction characterization in deep submicron technology (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale characterization of interfaces at gate dielectrics on compound semiconductors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Mapping the Density of Scattering Centers Limiting the Electron Mean Free Path in Graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Submicron confinement effect on electrical activation of B implanted in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Promoting and structuring a multidisciplinary academic-industrial network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates (MANSiC) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Two-dimensional interstitial diffusion in silicon monitored by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electronic transport at monolayer-bilayer junctions in epitaxial graphene on SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Role of surface nanovoids on interstitial trapping in He implanted crystalline Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale reliability aspects of insulator onto wide band gap compounds (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Two dimensional boron diffusion determination by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier transport in advanced semiconductor materials (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure and transport properties in alloyed Ohmic contacts to p-type SiC and GaN for power devices applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of different post-implantation annealing conditions on the electrical properties of interfaces to p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Mesoscopic Transport Properties in Exfoliated Graphene on SiO2/Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale structural characterization of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Thermodynamic Properties of Supported and Embedded Metallic Nanocrystals: Gold on/in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ion beam induced defects in graphene: Raman spectroscopy and DFT calculations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning probe microscopy investigation of the mechanisms limiting electronic transport in substrate-supported graphene (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical behaviour of GaN and AlGaN materials after high temperature annealing and thermal oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Uniformity of Epitaxial Graphene on On-axis and Off-axis SiC Probed by Raman Spectroscopy and Nanoscale Current Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of substrate dielectric permittivity on local capacitive behavior in graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale capacitive behaviour of ion irradiated graphene on silicon oxide substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Limiting mechanism of inversion channel mobility in Al-implanted lateral 4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Sintesi di grafene su substrati SiC off axis (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Lateral homogeneity of the electronic properties in pristine and ion-irradiated graphene probed by scanning capacitance spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Effect of graphene/4H-SiC(0001) interface on electrostatic properties in graphene (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Role of graphene/substrate interface on the local transport properties of the two-dimensional electron gas (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Radial junctions formed by conformal chemical doping for innovative hole-based solar cells (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Advanced materials nanocharacterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale transport properties at silicon carbide interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Dielectric thickness dependence of capacitive behavior in graphene deposited on silicon dioxide (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale electrical and structural modification induced by rapid thermal oxidation of AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Atomic Force Microscopy Study of the Kinetic Roughening in Nanostructured Gold Films on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of boron-interstitial clusters on Hall scattering factor in high-dose boron-implanted ultrashallow junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Toward an ideal Schottky barrier on 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale current transport through Schottky contacts on wide bandgap semiconductors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical properties of the graphene/4H-SiC (0001) interface probed by scanning current spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Kinetic mechanisms of the in situ electron beam-induced self-organization of gold nanoclusters in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Diffusion and activation of ultra shallow boron implants in silicon in proximity of voids (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical behavior of AlGaN/GaN heterostuctures upon high-temperature selective oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Normal and abnormal grain growth in nanostructured gold film (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Poole-Frenkel emission in epitaxial nickel oxide on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion irradiation and defect formation in single layer graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Two dimensional interstitial diffusion in mesoscopic structures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• XPS and AFM characterization of the enzyme glucose oxidase immobilized on SiO2 surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Defect formation and evolution in the step-flow growth of silicon carbide: A Monte Carlo study (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Surface corrugation and stacking misorientation in multilayers of graphene on Nickel (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Barrier inhomogeneity and electrical properties of Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• He implantation in Si for B diffusion control (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Acceptor, compensation, and mobility profiles in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-organization of Au nanoclusters on the SiO2 surface induced by 200 keV-Ar+ irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Quantitative determination of depth carrier profiles in ion-implanted Gallium Nitride (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Self-organization of gold nanoclusters on hexagonal SiC and SiO2 surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale modification of graphene transport properties by ion irradiation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale Probing of Interfaces in GaN for Devices Applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Current transport in graphene/AlGaN/GaN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• High resolution study of structural and electronic properties of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical nanocharacterization of epitaxial graphene/silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Large area silicon carbide substrates and heteroepitaxial GaN for power devices applications (LAST - POWER) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical characterization of n(+)-type ion-implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Simulation of scanning capacitance microscopy measurements on ultranarrow doping profiles in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-interstitial diffusion and clustering with impurities in crystalline silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of the morphology and electrical characteristics of FeSi2 quantum dots on silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of two-dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline silicon at 800 degrees C and at room temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Assessing the performance of two-dimensional dopant profiling techniques (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Anchoring molecular magnets on the Si(100) surface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Advanced scanning probe microscopy for analysis of defects in inorganic and organic semiconductors and nanostructures (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Simposio D “Multidimensional Electrical and Chemical Characterization at the Nanometer scale of Organic and Inorganic Semiconductors” dell’EMRS fall meeting 2010 (Mostre ed esposizioni) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activation and carrier compensation in Si and Mg implanted GaN by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Study of the Anchoring Process of Tethered Unsymmetrical Zn-Phthalocyanines on TiO2 Nanostructured Thin Films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Comparative study of the current transport mechanisms in Ni2Si Ohmic contacts on n- and p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical characteristics of Schottky contacts on Ge-doped 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Ti/Al ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures with different defect density (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current transport in graphene/AlGaN/GaN vertical heterostructures probed at nanoscale (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microscopic mechanisms of graphene electrolytic delamination from metal substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between nanoscale and macroscopic properties of ohmic and Schottky contacts on n-type GaN (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Schottky-Ohmic Transition in Nickel Sllicide/SiC System: Is it Really a Solved Problem? (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Direct observation of two-dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure of Au nanoclusters formed in and on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Near-surface processing on AlGaN/GaN heterostructures: a nanoscale electrical and structural characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale electro-structural characterisation of ohmic contacts formed on p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electron transport properties of calix[4]arene based systems in a metal-molecule-metal junction (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Localized Si enrichment in coherent self-assembled Ge islands grown by molecular beam epitaxy on (001)Si single crystal (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning tip measurement for identification of point defects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Comparative study of gate oxide in 4H-SiC lateral MOSFETs subjected to post-deposition-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Optical, morphological and spectroscopic characterization of graphene on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Microscopic study of electrical properties of CrSi(2) nanocrystals in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of graphene-SiC interface by nanoscale electrical characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanostructuring in Ge by self-ion implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical behaviour of detective AlGaN/GaN heterostructures grown on misoriented (8°-off-axis) 4H-SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures studied by scanning capacitance microscopySolid State Microscopy of Semiconducting (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Size effects on the electrical activation of low-energy implanted B in Si (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures studied by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy: quantitative profiling down to nanostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Two Dimensional Imaging of the Laterally Inhomogeneous Au/4H-SiC Schottky Barrier by Conductive Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning Capacitance Microscopy in Microelectronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Clustering of gold on 6H-SiC and local nanoscale electrical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Direct growth of quasifreestanding epitaxial graphene on nonpolar SiC surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Annealing behavior of Ta-based contacts on AlGaN/GAN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Kinetic mechanism of the thermal-induced self-organization of Au/Si nanodroplets on Si(100): Size and roughness evolution (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Symposium on Carbon Nanotubes and Graphene - Low Dimensional Carbon Structures held at the E-MRS 2009 Spring Meeting Strasbourg, FRANCE, JUN 08-12, 2009 (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical characteristics of Pt/3C-SiC Schottky contacts upon thermal annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Influence of processing conditions on the behaviour of 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy of semiconductors for process and device characterisation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of self-interstitials - nanovoids interaction on two-dimensional diffusion and activation of implanted B in Si (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Two dimensional interstitial diffusion in mesoscopic structures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Quantitative high-resolution two-dimensional profiling of sic by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Localization of He induced nanovoids in buried Si1-xGex thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Investigation of two dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline Si at 800 °C and at room temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Strengths and limitations of the vacancy engineering approach for the control of dopant diffusion and activation in silicon (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Lateral uniformity of the transport properties of graphene/4H-SiC (0001) interface by nanoscale current measurements (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Comparison between Ta- and Ti-based Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Graphene: Synthesis and nanoscale characterization of electronic properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Delaminated graphene at silicon carbide facets: Atomic scale imaging and spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Interstitial diffusion influence upon two-dimensional boron profiles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional effects on ultralow energy B implants in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Smart high-k nanodielectrics using solid supported polyoxometalate-rich nanostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• A nanoscale look in the channel of 4H-SiC lateral MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Progetto Nazionale PON - Ambition Power (PON01_00700) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Local electrical properties of the 4H-SiC(0001)/graphene interface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky barrier height in self-assembled gold nanoparticles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Self-Assembled Nano-Schottky Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Micro and nanoscale electrical characterization of large-area graphene transferred to functional substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Size effects on the electrical activation of low-energy implanted B in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy: Quantitative carrier profiling down to nanostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Ni/GaN Schottky Contacts on High-temperature Annealed GaN Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Au/Si nanodroplets towards Si nanowires formation: characterization of the thermal-induced self-organization mechanism (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Annealing temperature dependence of the electrically active profiles and surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of surrounding environment on atomic structure and equilibrium shape of growing nanocrystals: gold in/on SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• From Schottky to Ohmic graphene contacts to AlGaN/GaN heterostructures: role of the AlGaN layer microstructure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Challenges for energy efficient wide band gap semiconductors power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• He implantation to control B diffusion in crystalline and preamorphized Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Boron Diffusion and Electrical Activation in Pre-Amorphized Si Enriched with Fluorine (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Thin SiC-4H epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS) as silicon precursor with very abrupt junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Screening Length and Quantum Capacitance in Graphene by Scanning Probe Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Irradiation damage in graphene on SiO2 probed by local mobility measurements (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of high-temperature GaN annealed surface on the electrical properties of Ni/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Transport properties of graphene with nanoscale lateral resolution (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
• Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Origin of the current transport anisotropy in epitaxial graphene grown on vicinal 4H-SiC (0001) surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical properties of the graphene/4H-SiC(0001) interface probed by scanning current spectroscopy (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
• Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Layer uniformity in glucose oxidase immobilization on SiO2 surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical and structural properties of AIGaN/GaN heterostructures grown onto 8° -off-axis 4H-SiC epilayers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• High spatial and energy resolution characterization of lateral inhomogeneous Schottky barriers by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)

Coautore

• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale interno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Persona)
• ROSINA CELESTE PONTERIO (Persona)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• FRANCESCO PRIOLO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO PRIOLO (Unità di personale esterno)
• ANTONIO TERRASI (Unità di personale esterno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Persona)
• GIOVANNA PENNESI (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Persona)
• GABRIELE BISOGNIN (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Unità di personale esterno)
• ANDREA CANINO (Persona)
• MING HUNG WENG (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• GIUSEPPE GRECO (Persona)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
• Gabriele Fisichella (Unità di personale esterno)
• ALBERTO CARNERA (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• ALESSIA MARIA FRAZZETTO (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• ANNA MARIA PAOLETTI (Unità di personale interno)
• ANTONIO TERRASI (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• Carmelo Vecchio (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• Giovanna Pellegrino (Unità di personale esterno)
• VENERA AIELLO (Persona)
• RICCARDO DE BASTIANI (Unità di personale esterno)
• MARINA BERTI (Unità di personale esterno)
• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• MANUELA FICHERA (Persona)
• ELENA BRUNO (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• CRISTINA TUDISCO (Unità di personale esterno)
• DANIELE D'ANGELO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• Gloria Zanotti (Unità di personale esterno)
• DAVIDE DE SALVADOR (Unità di personale esterno)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• GENTILINA ROSSI (Unità di personale esterno)
• GIUSEPPE SPOTO (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• ELENA BRUNO (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Persona)
• LUCIA ROMANO (Unità di personale esterno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• SUSHANT SUDAM SONDE (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• EMANUELA BRUNO (Unità di personale esterno)
• MARKUS ITALIA (Persona)
• FRANCESCO ALIOTTA (Unità di personale interno)

Nome

• FILIPPO (literal)

Cognome

• GIANNAZZO (literal)

Afferisce a

• Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM) (Istituto)

Ha pubblicazioni con

• Ferdinando Iucolano (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• MANUELA FICHERA (Persona)
• VENERA AIELLO (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• LUCIA CALCAGNO (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
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• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR

• Scanning capacitance microscopy of semiconductors for process and device characterisation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Symposium on Carbon Nanotubes and Graphene - Low Dimensional Carbon Structures held at the E-MRS 2009 Spring Meeting Strasbourg, FRANCE, JUN 08-12, 2009 (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Evolution of the electrical characteristics of Pt/3C-SiC Schottky contacts upon thermal annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Nanoscale capacitive behaviour of ion irradiated graphene on silicon oxide substrate (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Two dimensional boron diffusion determination by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two-dimensional interstitial diffusion in silicon monitored by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Submicron confinement effect on electrical activation of B implanted in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Anchoring molecular magnets on the Si(100) surface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Assessing the performance of two-dimensional dopant profiling techniques (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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• Investigation of two-dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline silicon at 800 degrees C and at room temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-interstitial diffusion and clustering with impurities in crystalline silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Simulation of scanning capacitance microscopy measurements on ultranarrow doping profiles in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and electrical characterization of n(+)-type ion-implanted 6H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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• Kinetic mechanisms of the in situ electron beam-induced self-organization of gold nanoclusters in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical properties of the graphene/4H-SiC (0001) interface probed by scanning current spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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• Uniformity of Epitaxial Graphene on On-axis and Off-axis SiC Probed by Raman Spectroscopy and Nanoscale Current Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion beam induced defects in graphene: Raman spectroscopy and DFT calculations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Structural and transport properties in alloyed Ti/Al Ohmic contacts formed on p-type Al-implanted 4H-SiC annealed at high temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale structural characterization of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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• Silicon carbide: Defects and devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion-beam induced modifications of titanium Schottky barrier on 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Experimental aspects and modeling for quantitative measurements in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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• Diffusion and activation of ultra shallow boron implants in silicon in proximity of voids (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Toward an ideal Schottky barrier on 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale current transport through Schottky contacts on wide bandgap semiconductors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Atomic Force Microscopy Study of the Kinetic Roughening in Nanostructured Gold Films on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of boron-interstitial clusters on Hall scattering factor in high-dose boron-implanted ultrashallow junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Dielectric thickness dependence of capacitive behavior in graphene deposited on silicon dioxide (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale transport properties at silicon carbide interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Advanced materials nanocharacterization (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Role of graphene/substrate interface on the local transport properties of the two-dimensional electron gas (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Lateral homogeneity of the electronic properties in pristine and ion-irradiated graphene probed by scanning capacitance spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Limiting mechanism of inversion channel mobility in Al-implanted lateral 4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Charge Transport in Microelectronics Materials at Nanoscale by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky Barrier Height in self-Assembled gold nanoparticles on 6H-SIC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of Thermal Annealing on the Electrically Active Profiles and Surface Roughness in Multiple Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• SPM techniques for carrier profiling at advanced technology nodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Two Dimensional Imaging of the Laterally Inhomogeneous Au/4H-SiC Schottky Barrier by Conductive Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning Capacitance Microscopy in Microelectronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy: quantitative profiling down to nanostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Size effects on the electrical activation of low-energy implanted B in Si (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures studied by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical behaviour of detective AlGaN/GaN heterostructures grown on misoriented (8°-off-axis) 4H-SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current Transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts to GaN and AlGaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical properties of the graphene/4H-SiC(0001) interface probed by scanning current spectroscopy (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
• Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Carrier transport in advanced semiconductor materials (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Simposio D “Multidimensional Electrical and Chemical Characterization at the Nanometer scale of Organic and Inorganic Semiconductors” dell’EMRS fall meeting 2010 (Mostre ed esposizioni) (Prodotto della ricerca)
• Advanced scanning probe microscopy for analysis of defects in inorganic and organic semiconductors and nanostructures (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Sintesi di grafene su substrati SiC off axis (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
• Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Large area silicon carbide substrates and heteroepitaxial GaN for power devices applications (LAST - POWER) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• He implantation in Si for B diffusion control (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• He implantation to control B diffusion in crystalline and preamorphized Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Effect of surrounding environment on atomic structure and equilibrium shape of growing nanocrystals: gold in/on SiO2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning capacitance microscopy: Quantitative carrier profiling down to nanostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size effects on the electrical activation of low-energy implanted B in Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Self-Assembled Nano-Schottky Diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Localization of He induced nanovoids in buried Si1-xGex thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Kinetic mechanism of the thermal-induced self-organization of Au/Si nanodroplets on Si(100): Size and roughness evolution (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier concentration and mobility-profiling in quantum wells by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Fluorine counter doping effect in B-doped Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical activation and carrier compensation in Si and Mg implanted GaN by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Clustering of gold on 6H-SiC and local nanoscale electrical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Size-dependent Schottky barrier height in self-assembled gold nanoparticles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanostructuring in Ge by self-ion implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Annealing behavior of Ta-based contacts on AlGaN/GAN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Poole-Frenkel emission in epitaxial nickel oxide on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-organization of gold nanoclusters on hexagonal SiC and SiO2 surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Self-organization of Au nanoclusters on the SiO2 surface induced by 200 keV-Ar+ irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electron transport properties of calix[4]arene based systems in a metal-molecule-metal junction (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Microstructure of Au nanoclusters formed in and on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Boron Diffusion and Electrical Activation in Pre-Amorphized Si Enriched with Fluorine (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Correlation between nanoscale and macroscopic properties of ohmic and Schottky contacts on n-type GaN (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effects of different post-implantation annealing conditions on the electrical properties of interfaces to p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microstructure and transport properties in alloyed Ohmic contacts to p-type SiC and GaN for power devices applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electronic transport at monolayer-bilayer junctions in epitaxial graphene on SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Mapping the Density of Scattering Centers Limiting the Electron Mean Free Path in Graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Thermodynamic Properties of Supported and Embedded Metallic Nanocrystals: Gold on/in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Role of surface nanovoids on interstitial trapping in He implanted crystalline Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Optical, morphological and spectroscopic characterization of graphene on SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of He induced nanovoid on B implanted in Si: the microscopic mechanism (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Critical issues for interfaces to p-type SiC and GaN in power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Micro and nanoscale electrical characterization of large-area graphene transferred to functional substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Activation Study of Implanted N+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Effect of graphene/4H-SiC(0001) interface on electrostatic properties in graphene (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Influence of substrate dielectric permittivity on local capacitive behavior in graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Localized Si enrichment in coherent self-assembled Ge islands grown by molecular beam epitaxy on (001)Si single crystal (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Direct observation of two-dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Schottky-Ohmic Transition in Nickel Sllicide/SiC System: Is it Really a Solved Problem? (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• A nanoscale look in the channel of 4H-SiC lateral MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Progetto Nazionale PON - Ambition Power (PON01_00700) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Delaminated graphene at silicon carbide facets: Atomic scale imaging and spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoimaging in SiC and Related Materials: Beyond Surface Morphology to Charge Transport and Physical Parameters Mapping (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Self-assembled metal nanostructures in semiconductor structures (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Electronic properties of graphene probed at the nanoscale (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
• Investigation of two dimensional diffusion of the self-interstitials in crystalline Si at 800 °C and at room temperature (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Two dimensional interstitial diffusion in mesoscopic structures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effect of self-interstitials - nanovoids interaction on two-dimensional diffusion and activation of implanted B in Si (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Promoting and structuring a multidisciplinary academic-industrial network through the heteropolytype growth, characterisation and applications of 3C-SiC on hexagonal substrates (MANSiC) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
• Nanoscale structural and electrical evolution of Ta- and Ti-based contacts on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Direct growth of quasifreestanding epitaxial graphene on nonpolar SiC surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical and structural properties of AIGaN/GaN heterostructures grown onto 8° -off-axis 4H-SiC epilayers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti) (Prodotto della ricerca)
• Surface corrugation and stacking misorientation in multilayers of graphene on Nickel (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Study of the Anchoring Process of Tethered Unsymmetrical Zn-Phthalocyanines on TiO2 Nanostructured Thin Films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AlGaN/GaN Heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Transport properties of graphene with nanoscale lateral resolution (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
• Radial junctions formed by conformal chemical doping for innovative hole-based solar cells (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Analysis of the electrical activation of P+ implanted layers as a function of the heating rate of the annealing process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Graphene: Synthesis and nanoscale characterization of electronic properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Local electrical properties of the 4H-SiC(0001)/graphene interface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Smart high-k nanodielectrics using solid supported polyoxometalate-rich nanostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Lateral uniformity of the transport properties of graphene/4H-SiC (0001) interface by nanoscale current measurements (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Strengths and limitations of the vacancy engineering approach for the control of dopant diffusion and activation in silicon (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Comparison between Ta- and Ti-based Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of surface morphology on the electrical properties of Al/Ti Ohmic contacts on Al-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Thin SiC-4H epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS) as silicon precursor with very abrupt junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Au/Si nanodroplets towards Si nanowires formation: characterization of the thermal-induced self-organization mechanism (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Annealing temperature dependence of the electrically active profiles and surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nano-Electro-Structural Evolution of Ni-Si Ohmic Contacts to 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Electrical Properties of Ni/GaN Schottky Contacts on High-temperature Annealed GaN Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Carrier distribution in quantum nanostructures studied by scanning capacitance microscopySolid State Microscopy of Semiconducting (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Scanning probe microscopy investigation of the mechanisms limiting electronic transport in substrate-supported graphene (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale modification of graphene transport properties by ion irradiation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Influence of processing conditions on the behaviour of 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Nanoscale electrical and structural modification induced by rapid thermal oxidation of AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Comparative study of gate oxide in 4H-SiC lateral MOSFETs subjected to post-deposition-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Mechanism of Ohmic contact formation in Ti/Al bilayers on AlGaN/GaN heterostructures with a different crystalline quality (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Nanoscale characterization of interfaces at gate dielectrics on compound semiconductors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Origin of the current transport anisotropy in epitaxial graphene grown on vicinal 4H-SiC (0001) surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale reliability aspects of insulator onto wide band gap compounds (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Electronic properties of epitaxial graphene residing on SiC facets probed by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Challenges for energy efficient wide band gap semiconductors power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• From Schottky to Ohmic graphene contacts to AlGaN/GaN heterostructures: role of the AlGaN layer microstructure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical nanocharacterization of epitaxial graphene/silicon carbide Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• High resolution study of structural and electronic properties of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale Probing of Interfaces in GaN for Devices Applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Current transport in graphene/AlGaN/GaN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Current transport in graphene/AlGaN/GaN vertical heterostructures probed at nanoscale (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Microscopic mechanisms of graphene electrolytic delamination from metal substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Ti/Al ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures with different defect density (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Comparative study of the current transport mechanisms in Ni2Si Ohmic contacts on n- and p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Electrical characteristics of Schottky contacts on Ge-doped 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Nanoscale characterization of SiC interfaces and devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
• Impact of surface processing on the electrical properties of p-type implanted 4H-SiC for power devices (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
• Micro-Raman characterization of graphene grown on SiC(000-1) (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)

Coautore

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• MARKUS ITALIA (Persona)
• ANNA MARIA PAOLETTI (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• ROSINA CELESTE PONTERIO (Persona)
• FRANCESCO ALIOTTA (Unità di personale interno)
• GIOVANNA PENNESI (Persona)
• FRANCESCO PRIOLO (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO PRIOLO (Unità di personale esterno)
• SANDRO SOLMI (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Persona)
• ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Persona)
• GIUSEPPE SPOTO (Persona)
• MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Unità di personale esterno)
• DANIELE D'ANGELO (Unità di personale esterno)
• Ferdinando Iucolano (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• VENERA AIELLO (Persona)
• Carmelo Vecchio (Persona)
• Giovanna Pellegrino (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• MING HUNG WENG (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• DAVIDE DE SALVADOR (Unità di personale esterno)
• GABRIELE BISOGNIN (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Persona)
• SUSHANT SUDAM SONDE (Persona)
• ANTONIO TERRASI (Unità di personale esterno)
• MARINA BERTI (Unità di personale esterno)
• RICCARDO DE BASTIANI (Unità di personale esterno)
• ALESSIA MARIA FRAZZETTO (Persona)
• GIUSEPPE GRECO (Persona)
• Gabriele Fisichella (Unità di personale esterno)
• ELENA BRUNO (Persona)
• Gloria Zanotti (Unità di personale esterno)
• ELENA BRUNO (Unità di personale esterno)
• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22728
• ALBERTO CARNERA (Persona)
• EMANUELA BRUNO (Unità di personale esterno)
• MANUELA FICHERA (Persona)
• LUCIA ROMANO (Unità di personale esterno)
• ANTONIO TERRASI (Persona)
• ANDREA CANINO (Persona)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale interno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22802
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)
• GENTILINA ROSSI (Unità di personale esterno)
• CRISTINA TUDISCO (Unità di personale esterno)

Ha pubblicazioni con

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
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• VITO RAINERI (Persona)
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• VENERA AIELLO (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
• LUCIA CALCAGNO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
• IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Persona)
• MANUELA FICHERA (Persona)

Partecipazione di

• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. FILIPPO GIANNAZZO nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di DOTT. FILIPPO GIANNAZZO nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)

Ha afferente

• Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM) (Istituto)

Gestore

• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)

Rapporto con persona

• Employment relationship with CNR of DOTT. FILIPPO GIANNAZZO (Rapporto con CNR)