MASSIMO CAMARDA
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- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati" (MD.P05.005) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2010 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
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- Autore CNR di
- Residual stress measurement and simulation of 3C-SiC single and poly crystal cantilevers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High power density UV optical stress for quality evaluation of 4H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optical investigation of bulk electron mobility in 3C-SiC films on Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Analysis on 3C-SiC layer grown on pseudomorphic-Si/Si1-xGex/Si(001) heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Manufacture of wafers of wide energy gap semiconductor material for the integration of electronic and/or optical and/or optoelectronic devices (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Micro-Raman characterization of 4H-SiC stacking faults (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stress evaluation on hetero-epitaxial 3C-SiC film on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- First Principles Investigation on the Modifications of the 4H-SiC Band Structure Due to the (4,4) and (3,5) Stacking Faults (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Micro-Raman analysis of a micromachined 3C-SiC cantilever (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fast growth rate epitaxy by chloride precursors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Micro-Raman analysis and finite-element modeling of 3 C-SiC microstructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coupled Monte Carlo-Poisson method for the simulation of particle-particle effects in dielectrophoretic devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of the connection between stacking faults evolution and step kinetics in misoriented 4H-SiC epitaxial growths (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Raman study of bulk mobility in 3C-SiC heteroepitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Advanced stress analysis by micro-structures realization on high quality hetero-epitaxial 3C-SiC for MEMS application (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Raman stress characterization of hetero-epitaxial 3C-SiC free standing structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Mechanisms of growth and defect properties of epitaxial SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Strain field analysis of 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman and theoretical modelling (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte carlo study of the hetero-polytypical growth of cubic on hexagonal silicon carbide polytypes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Bow in 6 inch high-quality off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extended Study of the Step-bunching Mechanism During the Homoepitaxial Growth of SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thick Epitaxial Layers Growth by Chlorine Addition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of the effects of growth rate, miscut direction and postgrowth argon annealing on the surface morphology of homoepitaxially grown 4H silicon carbide films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optical characterization of bulk mobility in 3C-SiC films grown on different orientation of Si substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Extended characterization of the stress fields in the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on silicon for sensors and device applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress fields analysis in 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman spectroscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of microstructure deflections and film/substrate curvature under generalized stress fields and mechanical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Correlation between macroscopic and microscopic stress fields: Application to the 3C-SiC/Si heteroepitaxy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Advanced residual stress analysis on the heteroepitaxial growth of 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of the role of particle-particle dipole interaction in dielectrophoretic devices for biomarkers identification (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evolution of extended defects during epitaxial growths: A Monte Carlo study (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reduction of the surface density of single Shockley faults by TCS growth process (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- 3C-SiC film growth on Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of morphological surface instabilities during misoriented epitaxial growth of cubic and hexagonal polytypes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Stacking faults evolution during epitaxial growths: Role of surface the kinetics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Theoretical and experimental study of the kinetics of particle chains near electrodes in dielectrophoretic devices (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electronic characterization of (2,3(3)) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defect Influence on Heteroepitaxial 3C-SiC Young's Modulus (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of the step flow to island nucleation transition for close packed structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low Stress Heteroepitaxial 3C-SiC Films Characterized by Microstructure Fabrication and Finite Elements Analysis (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Advanced Residual Stress Analysis and FEM Simulation on Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Hetero-epitaxial Single Crystal 3C-SiC Opto-Mechanical Pressure Sensor (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
- Raman characterization of doped 3C-SiC/Si for different silicon substrates and C/Si ratios (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomistic and Continuum Simulations of the Homo-epitaxial Growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Towards Large Area (111)3C-SiC Films Grown on off-oriented (111)Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A kinetic Monte Carlo method on super-lattices for the study of the defect formation in the growth of close packed structures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress fields analysis in 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defect formation and evolution in the step-flow growth of silicon carbide: A Monte Carlo study (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A novel micro-Raman technique to detect and characterize 4H-SiC stacking faults (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H) (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Evaluation of mechanical and optical properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared-membrane (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical and experimental study of the role of cell-cell dipole interaction in dielectrophoretic devices: application to polynomial electrodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress nature investigation on heteroepitaxial 3C-SiC film on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- MARKUS ITALIA (Persona)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- GIUSI IRMA FORTE (Persona)
- FRANCESCO PAOLO CAMMARATA (Unità di personale interno)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
- Andrea Severino (Unità di personale esterno)
- IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
- LUIGI MINAFRA (Unità di personale interno)
- ALBERTO RONCAGLIA (Unità di personale interno)
- MARIA CARLA GILARDI (Unità di personale interno)
- LUCA BELSITO (Unità di personale interno)
- SILVIA SCALESE (Unità di personale interno)
- ALESSANDRA ALBERTI (Unità di personale interno)
- STEFANIA MARIA SERENA PRIVITERA (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
- RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
- FRANCESCO LA VIA (Persona)
- PATRICK FIORENZA (Unità di personale interno)
- PIETRO DAVIDE DELUGAS (Persona)
- SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Persona)
- FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)
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- ANTONELLA POGGI (Persona)
- Nome
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- Cognome
- CAMARDA (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
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- Coautore
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- MARKUS ITALIA (Persona)
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- ALESSANDRA ALBERTI (Unità di personale interno)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- FRANCESCO LA VIA (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
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- Andrea Severino (Unità di personale esterno)
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- ALBERTO RONCAGLIA (Unità di personale interno)
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- IOANNIS DERETZIS (Unità di personale esterno)
- RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22742
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- PIETRO DAVIDE DELUGAS (Persona)
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- STEFANIA MARIA SERENA PRIVITERA (Persona)
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- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2010 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati" (MD.P05.005) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2006 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2011 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2012 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati" (MD.P05.005) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2014 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS" (MD.P05.009) di MASSIMO CAMARDA nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)
- Rapporto con persona
- Employment relationship with CNR of MASSIMO CAMARDA (Rapporto con CNR)
- Http://www.w3.org/2004/02/skos/core#isSubjectOf
- Randomness (Categoria DBpedia)