OLIVIER YANNICK SALICIO
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- Persona (Classe)
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- OLIVIER YANNICK SALICIO (literal)
- OLIVIER YANNICK SALICIO (literal)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di OLIVIER YANNICK SALICIO nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di OLIVIER YANNICK SALICIO nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di OLIVIER YANNICK SALICIO nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di OLIVIER YANNICK SALICIO (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Growth study of GexSbyTez deposited by MOCVD under nitrogen for non-volatile memory applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electronic properties of crystalline Ge1-xSbxTey thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- ROBERTO ALFIO FALLICA (Persona)
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
- ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale esterno)
- ROBERTO FALLICA (Persona)
- MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
- Nome
- OLIVIER YANNICK (literal)
- Cognome
- SALICIO (literal)
- Afferisce a
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- Coautore
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- MARCO FANCIULLI (Persona)
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- ROBERTO ALFIO FALLICA (Persona)
- ROBERTO FALLICA (Persona)
- Ha afferente
- Autore CNR
- MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Growth study of GexSbyTez deposited by MOCVD under nitrogen for non-volatile memory applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electronic properties of crystalline Ge1-xSbxTey thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di OLIVIER YANNICK SALICIO nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di OLIVIER YANNICK SALICIO nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di OLIVIER YANNICK SALICIO nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di OLIVIER YANNICK SALICIO (Rapporto con CNR)
