NOLWENN HUBY
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- NOLWENN HUBY (literal)
- NOLWENN HUBY (literal)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di NOLWENN HUBY nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di NOLWENN HUBY nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di NOLWENN HUBY nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di NOLWENN HUBY (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- New selector based on zinc oxide grown by low temperature atomic layer deposition for vertically stacked non-volatile memory devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical behavior of zinc oxide layers grown by low temperature atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Vertically stacked non-volatile memory devices - material considerations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
- Nome
- NOLWENN (literal)
- Cognome
- HUBY (literal)
- Afferisce a
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- Coautore
- GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di NOLWENN HUBY nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di NOLWENN HUBY nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio" (MD.P05.007) di NOLWENN HUBY nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di NOLWENN HUBY (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
- Electrical behavior of zinc oxide layers grown by low temperature atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Vertically stacked non-volatile memory devices - material considerations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- New selector based on zinc oxide grown by low temperature atomic layer deposition for vertically stacked non-volatile memory devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
