GUSTAV JENS PETER ERIKSSON
- Type
- Persona (Classe)
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- GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (literal)
- GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (literal)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di GUSTAV JENS PETER ERIKSSON nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di GUSTAV JENS PETER ERIKSSON nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di GUSTAV JENS PETER ERIKSSON nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evolution of the electrical characteristics of Pt/3C-SiC Schottky contacts upon thermal annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Toward an ideal Schottky barrier on 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale characterization of electrical transport at metal/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Unità di personale interno)
- RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
- VITO RAINERI (Persona)
- SALVATORE DI FRANCO (Persona)
- Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
- PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- MING HUNG WENG (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- Nome
- GUSTAV JENS PETER (literal)
- Cognome
- ERIKSSON (literal)
- Afferisce a
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- Autore CNR
- Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Evolution of the electrical characteristics of Pt/3C-SiC Schottky contacts upon thermal annealing (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Toward an ideal Schottky barrier on 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Unità di personale interno)
- VITO RAINERI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
- SALVATORE DI FRANCO (Persona)
- PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
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- Rapporto con persona
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