FRANCESCO MOSCATELLI
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- Persona (Classe)
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- FRANCESCO MOSCATELLI (literal)
- FRANCESCO MOSCATELLI (literal)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di FRANCESCO MOSCATELLI nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di FRANCESCO MOSCATELLI nell'anno 2006 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di FRANCESCO MOSCATELLI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di FRANCESCO MOSCATELLI nell'anno 2005 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of FRANCESCO MOSCATELLI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Effects of very high neutron fluence irradiation on p+n junction 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Minimum ionizing particle detector based on p+n junction SiC diode (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Fully implanted vertical p-i-n diodes using high-purity semi-insulating 4H-SiC wafers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Measurements of Charge Collection Efficiency of p+/n Junction SiC Detectors (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Annealing Effects on Leakage Current and Epilayer Doping Concentration of p+n Junction 4H-SiC Diodes after Very High Neutron Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Numerical simulation of radiation damage effects in p-type silicon detectors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Numerical analysis of thinned silicon detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Nitrogen implantation to improve electron channel mobility in 4H SiC MOSFET (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p(+)n junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Numerical simulation of radiation damage effects in p-type and n-type FZ silicon detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nitridation of the SiO(2)/SiC interface by N(+) implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Passivation by N Implantation of the SiO2/SiC Acceptor Interface States: Impact on the Oxide Hole Traps and the Gate Oxide Reliability (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Measurements and simulations of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicon carbide for UV, alpha, beta and X-ray detectors: results and perspectives (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with Nitrogen (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO(2) Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Radiation hardness after very high neutron irradiation of minimum ionizing particle detectors based on 4H-SiC p(+)n junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Scintillating fibers readout by single photon avalanche diodes (SPAD) for space applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Measurements of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Contact resistivity and barrier height of Al/Ti ohmic contacts on p-type ion implanted 4H-and 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Coautore
- ANDREA SCORZONI (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- MARA PASSINI (Persona)
- PIERA MACCAGNANI (Unità di personale interno)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- GIAN CARLO CARDINALI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
- ALDO ARMIGLIATO (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- LUCA BELSITO (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- GIULIO PIZZOCHERO (Unità di personale interno)
- Nome
- FRANCESCO (literal)
- Cognome
- MOSCATELLI (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
- MARA PASSINI (Persona)
- GIULIO PIZZOCHERO (Unità di personale interno)
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- Coautore
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- Ha afferente
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di FRANCESCO MOSCATELLI nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
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- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di FRANCESCO MOSCATELLI nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
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- Http://www.w3.org/2002/07/owl#sameAs
- Rapporto con persona
- Employment relationship with CNR of FRANCESCO MOSCATELLI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
- Measurements of charge collection efficiency of p(+)/n junction SiC detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Numerical simulation of radiation damage effects in p-type silicon detectors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Annealing Effects on Leakage Current and Epilayer Doping Concentration of p+n Junction 4H-SiC Diodes after Very High Neutron Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Investigation on the Use of Nitrogen Implantation to Improve the Performance of N-Channel Enhancement 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Silicon carbide for UV, alpha, beta and X-ray detectors: results and perspectives (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with Nitrogen (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
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- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Minimum ionizing particle detector based on p+n junction SiC diode (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Measurements of Charge Collection Efficiency of p+/n Junction SiC Detectors (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Scintillating fibers readout by single photon avalanche diodes (SPAD) for space applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of the Electron Traps at the 4H-SiC/SiO(2) Interface of a Gate Oxide Obtained by Wet Oxidation of a Nitrogen pre-Implanted Layer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Passivation by N Implantation of the SiO2/SiC Acceptor Interface States: Impact on the Oxide Hole Traps and the Gate Oxide Reliability (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
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- Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)