Ferdinando Iucolano
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- Ferdinando Iucolano (literal)
- Ferdinando Iucolano (literal)
- Subject
- Materials science (Categoria DBpedia)
- Semiconductors (Categoria DBpedia)
- Semiconductor device fabrication (Categoria DBpedia)
- Semiconductor materials (Categoria DBpedia)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di Ferdinando Iucolano nell'anno 2005 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di Ferdinando Iucolano nell'anno 2006 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di Ferdinando Iucolano nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di Ferdinando Iucolano nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di Ferdinando Iucolano nell'anno 2007 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of Ferdinando Iucolano (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical behavior of AlGaN/GaN heterostuctures upon high-temperature selective oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evolution of the electrical behaviour of GaN and AlGaN materials after high temperature annealing and thermal oxidation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature behavior of inhomogeneous Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of high-temperature GaN annealed surface on the electrical properties of Ni/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Correlation between nanoscale and macroscopic properties of ohmic and Schottky contacts on n-type GaN (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical activation and carrier compensation in Si and Mg implanted GaN by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Barrier inhomogeneity and electrical properties of Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Current Transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts to GaN and AlGaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Temperature dependence of the specific resistance in Ti/Al/Ni/Au contacts on n-type GaN (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Quantitative determination of depth carrier profiles in ion-implanted Gallium Nitride (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Microstructure and current transport in Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to n-type AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- VITO RAINERI (Persona)
- ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Persona)
- SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- MING HUNG WENG (Persona)
- SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
- Nome
- Ferdinando (literal)
- Cognome
- Iucolano (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
- ROSARIA ANNA PUGLISI (Persona)
- ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
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- FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- GIOVANNI ATTOLINI (Persona)
- GIUSEPPINA ANDREANO (Persona)
- Andrea Severino (Persona)
- Giuseppina Ambrosone (Persona)
- CESARE FRIGERI (Persona)
- ANTONIO POLIMENI (Unità di personale esterno)
- MARIO CAPIZZI (Persona)
- DEREK JONES (Unità di personale interno)
- MATTEO BOSI (Unità di personale interno)
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- Ha afferente
- Autore CNR
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- Barrier inhomogeneity and electrical properties of Pt/GaN Schottky contacts (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current Transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts to GaN and AlGaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Electrical activation and carrier compensation in Si and Mg implanted GaN by scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of thermal annealing in ion-implanted Gallium Nitride (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Correlation between nanoscale and macroscopic properties of ohmic and Schottky contacts on n-type GaN (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di Ferdinando Iucolano nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
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- Http://www.w3.org/2004/02/skos/core#isSubjectOf
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