FABIO BERGAMINI
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- FABIO BERGAMINI (literal)
- FABIO BERGAMINI (literal)
- Subject
- Semiconductor device fabrication (Categoria DBpedia)
- Semiconductors (Categoria DBpedia)
- Industrial processes (Categoria DBpedia)
- Electronic engineering (Categoria DBpedia)
- Microtechnology (Categoria DBpedia)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di FABIO BERGAMINI nell'anno 2006 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di FABIO BERGAMINI nell'anno 2005 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of FABIO BERGAMINI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Modification of the etching properties of x-cut Lithium Niobate by ion implantation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion Implanted p(+)/n diodes: post-implantation annealing in a silane ambient in a cold-wall low-pressure CVD reactor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Wet and vapor etching of tracks produced in SiO2 by Ti ion irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- J-V characteristics of Al+ ion implanted p(+)/n 4H-SiC diodes annealed in silane ambient at 1600 degrees C (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ion track formation in low temperature silicon dioxide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Surface Engineering of Lithium Niobate by High Energy Ion Beams and UV Laser Processes (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Ar annealing at 1600 degrees C and 1650 degrees C of Al+ implanted p(+)/n 4H-SiC diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- Giuseppe Pennestrì (Persona)
- ALESSIO NUBILE (Persona)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- SIMONE SUGLIANI (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- MARA PASSINI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
- PIETRO DE NICOLA (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
- LETIZIA GALLERANI (Unità di personale esterno)
- ALBERTO CARNERA (Unità di personale esterno)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- ANNALISA CERUTTI (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
- GIAN GIUSEPPE BENTINI (Unità di personale interno)
- Nome
- FABIO (literal)
- Cognome
- BERGAMINI (literal)
- Afferisce a
- Ha pubblicazioni con
- STEPHEN EDWARD SADDOW (Unità di personale esterno)
- MARA PASSINI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- SIMONE SUGLIANI (Persona)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
- ANNALISA CERUTTI (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
- ALESSIO NUBILE (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
- GIAN GIUSEPPE BENTINI (Unità di personale interno)
- PIETRO DE NICOLA (Persona)
- LETIZIA GALLERANI (Unità di personale esterno)
- Giuseppe Pennestrì (Persona)
- Http://www.cnr.it/ontology/persone.owl#argomentoDiRicercaSimile
- BERNARD ENRICO WATTS (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- Andrea Severino (Persona)
- ILARIA BERGENTI (Persona)
- ROBERTO FORNARI (Persona)
- MATTEO FERRI (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- EMILIA ARISI (Persona)
- MAURIZIO PIO IMPRONTA (Persona)
- MATTEO BOSI (Unità di personale interno)
- MATTEO BOSI (Unità di personale esterno)
- STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
- GIOVANNI ATTOLINI (Persona)
- CESARE FRIGERI (Persona)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- NICOLA LOVERGINE (Unità di personale esterno)
- DARIO NOBILI (Persona)
- Giuseppina Ambrosone (Persona)
- STEFANO LETTIERI (Persona)
- Giuseppe Pennestrì (Persona)
- LUCIA CALCAGNO (Persona)
Incoming links:
- Autore CNR
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ion track formation in low temperature silicon dioxide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ar annealing at 1600 degrees C and 1650 degrees C of Al+ implanted p(+)/n 4H-SiC diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Wet and vapor etching of tracks produced in SiO2 by Ti ion irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Modification of the etching properties of x-cut Lithium Niobate by ion implantation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Surface Engineering of Lithium Niobate by High Energy Ion Beams and UV Laser Processes (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion Implanted p(+)/n diodes: post-implantation annealing in a silane ambient in a cold-wall low-pressure CVD reactor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- J-V characteristics of Al+ ion implanted p(+)/n 4H-SiC diodes annealed in silane ambient at 1600 degrees C (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- PIETRO DE NICOLA (Persona)
- ALESSIO NUBILE (Persona)
- Giuseppe Pennestrì (Persona)
- LETIZIA GALLERANI (Unità di personale esterno)
- MARA PASSINI (Persona)
- SIMONE SUGLIANI (Persona)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- ANNALISA CERUTTI (Persona)
- ALBERTO CARNERA (Unità di personale esterno)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
- GIAN GIUSEPPE BENTINI (Unità di personale interno)
- Ha pubblicazioni con
- STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- ANTONELLA POGGI (Persona)
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- PIETRO DE NICOLA (Persona)
- ALESSIO NUBILE (Persona)
- Giuseppe Pennestrì (Persona)
- LETIZIA GALLERANI (Unità di personale esterno)
- MARA PASSINI (Persona)
- SIMONE SUGLIANI (Persona)
- MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
- STEPHEN EDWARD SADDOW (Unità di personale esterno)
- ANNALISA CERUTTI (Persona)
- FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
- GIAN GIUSEPPE BENTINI (Unità di personale interno)
- Http://www.cnr.it/ontology/persone.owl#argomentoDiRicercaSimile
- STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
- GIORGIO LULLI (Persona)
- MARCO BIANCONI (Persona)
- BERNARD ENRICO WATTS (Persona)
- SANDRO SOLMI (Persona)
- MAURIZIO PIO IMPRONTA (Persona)
- MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
- STEFANO LETTIERI (Persona)
- GIOVANNI ATTOLINI (Persona)
- FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
- CESARE FRIGERI (Persona)
- MATTEO FERRI (Persona)
- Andrea Severino (Persona)
- LUCIA CALCAGNO (Persona)
- Giuseppe Pennestrì (Persona)
- Giuseppina Ambrosone (Persona)
- MATTEO BOSI (Unità di personale esterno)
- DARIO NOBILI (Persona)
- EMILIA ARISI (Persona)
- NICOLA LOVERGINE (Unità di personale esterno)
- ROBERTO FORNARI (Persona)
- MATTEO BOSI (Unità di personale interno)
- ILARIA BERGENTI (Persona)
- Ha afferente
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di FABIO BERGAMINI nell'anno 2005 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici" (MD.P05.011) di FABIO BERGAMINI nell'anno 2006 (Partecipazione a commessa)
- Rapporto con persona
- Employment relationship with CNR of FABIO BERGAMINI (Rapporto con CNR)
- Http://www.w3.org/2004/02/skos/core#isSubjectOf
- Semiconductors (Categoria DBpedia)
- Industrial processes (Categoria DBpedia)
- Microtechnology (Categoria DBpedia)
- Electronic engineering (Categoria DBpedia)
- Semiconductor device fabrication (Categoria DBpedia)