MARCO FANCIULLI
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- Partecipazione a Commessa "Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta" (MD.P06.036) di MARCO FANCIULLI nell'anno 2014 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta" (MD.P06.036) di MARCO FANCIULLI nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta" (MD.P06.036) di MARCO FANCIULLI nell'anno 2012 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche" (MD.P05.025) di MARCO FANCIULLI nell'anno 2012 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche" (MD.P05.025) di MARCO FANCIULLI nell'anno 2014 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica" (MD.P05.024) di MARCO FANCIULLI nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)
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- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di MARCO FANCIULLI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- The effect of a ferromagnetic Gd marker on the effective work function of Fe in contact with Al 2O 3/Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electronic properties of pristine and Se doped [001] silicon nanowires: an ab initio study (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- LaHfOx Films Analyses for NVM Applications (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Reconstruction dependent reactivity of As-decapped In0.53Ga0.47As(001) surfaces and its influence on the electrical quality of the interface with Al2O3 grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrically detected magnetic resonance study of the Ge dangling bonds at the Ge(1 1 1)/GeO2 interface after capping with Al2O 3 layer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Two-Dimensional Si Nanosheets with Local Hexagonal Structure on a MoS2 Surface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Getting through the Nature of Silicene: An sp(2)-sp(3) Two-Dimensional Silicon Nanosheet (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- [(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Analysis of the hyperfine structure in chalcogen-doped silicon and germanium nanowires (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Understanding of the thermal stability of the hafnium oxide/TiN stack via 2 'high k' and 2 metal deposition techniques (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Role of the Oxygen Content in the GeO2 Passivation of Ge Substrates as a Function of the Oxidizer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrically Detected Magnetic Resonance of Donors and Interfacial Defects in Silicon Nanowires (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Phase Change Ge1Sb2Te4 nanowires (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic layer deposition of rare-earth-based binary and ternary oxides for microelectronic applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition of MO2 (M= Zr, Hf) Gate Dielectrics on In0.53Ga0.47As(001) Substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electron spin resonance of substitutional nitrogen in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Electric Dipoles on Fermi Level Positioning at the Interface between Ultrathin Al2O3 Films and Differently Reconstructed In0.53Ga0.47As(001) Surfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ab initio study of the magnetic interaction of Co and Ni doped ZnO with intrinsic vacancies (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Switching quantum transport in a three donors silicon fin-field effect transistor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Pulse electron spin resonance investigation of bismuth-doped silicon: Relaxation and electron spin (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of Er-doped HfO(2) and of its interface with Ge (001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High permittivity materials for oxide gate stack in Ge-based metal oxide semiconductor capacitors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Germanium diffusion during HfO2 growth on Ge by molecular beam epitaxy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interstitial Fe in MgO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Local structure of Sn implanted in thin SiO2 films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Phase Stabilization of Al:HfO2 Grown on In(x)Gal(1-x)As Substrates (x=0, 0.15, 0.53) via Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Vibrational properties of epitaxial silicene layers on (1 1 1) Ag (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical aspects of graphene-like group IV semiconductors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ultrafast dynamics in epitaxial silicene on Ag(111) (Abstract/Comunicazione in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Silicene field-effect transistors operating at room temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- ToF-SIMS study of phosphorus diffusion in low-dimensional silicon structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic layer deposition of NiO films on Si(100) using cyclopentadienyl-type compounds and ozone as precursors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fe3-?O4/MgO/Co magnetic tunnel junctions synthesized by full in situ atomic layer and chemical vapour deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- O-3-based atomic layer deposition of hexagonal La2O3 films on Si(100) and Ge(100) substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Interface quality of atomic layer deposited La-doped ZrO2 films on gepassivated In0.15Ga0.85As substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ultraviolet optical near-fields of micro spheres imprinted in phase change films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electron Spin Echo Relaxation and Envelope Modulation of Phosphorus Shallow Donors in Silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Synthesis of multiferroic Er-Fe-O thin films by atomic layer and chemical vapor deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- MATTEO BELLI (Persona)
- ANTONIO VELLEI (Persona)
- CLAUDIA WIEMER (Persona)
- SANDRO FERRARI (Persona)
- SILVIA VANGELISTA (Persona)
- GABRIELE SEGUINI (Persona)
- SILVIA BALDOVINO (Unità di personale esterno)
- LUCA PELLEGRINO (Persona)
- LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
- ALBERTO DEBERNARDI (Persona)
- GIOVANNA SCAREL (Persona)
- MATTEO BELLI (Persona)
- SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
- ALESSANDRO PONTI (Persona)
- Filippo Guagliardo (Persona)
- GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
- GIULIO NICOLA CERULLO (Persona)
- GABRIELE CONGEDO (Unità di personale esterno)
- ROBERTO FALLICA (Persona)
- MICHELE PEREGO (Persona)
- ROBERTO MANTOVAN (Persona)
- ANNA MARIA FERRETTI (Unità di personale interno)
- LUCA LAMAGNA (Persona)
- CATERINA VOZZI (Persona)
- ENRICO PRATI (Unità di personale interno)
- MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)
- ENZO ROTUNNO (Unità di personale esterno)
- Giorgio Ferrari (Persona)
- ALESSANDRO MOLLE (Persona)
- MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
- HONG LIANG LU (Persona)
- ELENA CIANCI (Unità di personale interno)
- SABINA SPIGA (Persona)
- FRANCESCO D'ACAPITO (Unità di personale interno)
- ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)
- Nome
- MARCO (literal)
- Cognome
- FANCIULLI (literal)
- Afferisce a
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- Autore CNR
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- The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Germanium diffusion during HfO2 growth on Ge by molecular beam epitaxy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Ultraviolet optical near-fields of micro spheres imprinted in phase change films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Reconstruction dependent reactivity of As-decapped In0.53Ga0.47As(001) surfaces and its influence on the electrical quality of the interface with Al2O3 grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Ab initio study of the magnetic interaction of Co and Ni doped ZnO with intrinsic vacancies (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Electronic properties of pristine and Se doped [001] silicon nanowires: an ab initio study (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Interstitial Fe in MgO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Phase Stabilization of Al:HfO2 Grown on In(x)Gal(1-x)As Substrates (x=0, 0.15, 0.53) via Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- The effect of a ferromagnetic Gd marker on the effective work function of Fe in contact with Al 2O 3/Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Vibrational properties of epitaxial silicene layers on (1 1 1) Ag (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicene field-effect transistors operating at room temperature (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- ToF-SIMS study of phosphorus diffusion in low-dimensional silicon structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Interface quality of atomic layer deposited La-doped ZrO2 films on gepassivated In0.15Ga0.85As substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis of the hyperfine structure in chalcogen-doped silicon and germanium nanowires (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Trimethylaluminum-Based Atomic Layer Deposition of MO2 (M= Zr, Hf) Gate Dielectrics on In0.53Ga0.47As(001) Substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Coautore
- SABINA SPIGA (Persona)
- MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
- CLAUDIA WIEMER (Persona)
- SANDRO FERRARI (Persona)
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- MATTEO BELLI (Persona)
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- Giorgio Ferrari (Persona)
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- LUCA LAMAGNA (Persona)
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- Ha afferente
- Http://www.w3.org/2002/07/owl#sameAs
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- Partecipazione a Commessa "Materiali e Dispositivi a Dimensionalità Ridotta" (MD.P06.036) di MARCO FANCIULLI nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)
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- Rapporto con CNR di MARCO FANCIULLI (Rapporto con CNR)