LUCA LAMAGNA
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- LUCA LAMAGNA (literal)
- LUCA LAMAGNA (literal)
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di LUCA LAMAGNA (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Combining HRTEM-EELS nano-analysis with capacitance-voltage measurements to evaluate high-kappa thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stack engineering of TANOS charge-trap flash memory cell using high-kappa ZrO(2) grown by ALD as charge trapping layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of Er-doped HfO(2) and of its interface with Ge (001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic layer deposition of rare-earth-based binary and ternary oxides for microelectronic applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Reconstruction dependent reactivity of As-decapped In0.53Ga0.47As(001) surfaces and its influence on the electrical quality of the interface with Al2O3 grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
- ALESSIO LAMPERTI (Persona)
- GABRIELE CONGEDO (Unità di personale esterno)
- SABINA SPIGA (Unità di personale interno)
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale interno)
- CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
- Nome
- LUCA (literal)
- Cognome
- LAMAGNA (literal)
- Afferisce a
Incoming links:
- Coautore
- SABINA SPIGA (Unità di personale interno)
- CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- ALESSANDRO MOLLE (Unità di personale interno)
- MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- GABRIELE CONGEDO (Unità di personale esterno)
- ALESSIO LAMPERTI (Persona)
- Ha afferente
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di LUCA LAMAGNA (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of Er-doped HfO(2) and of its interface with Ge (001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stack engineering of TANOS charge-trap flash memory cell using high-kappa ZrO(2) grown by ALD as charge trapping layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Combining HRTEM-EELS nano-analysis with capacitance-voltage measurements to evaluate high-kappa thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reconstruction dependent reactivity of As-decapped In0.53Ga0.47As(001) surfaces and its influence on the electrical quality of the interface with Al2O3 grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic layer deposition of rare-earth-based binary and ternary oxides for microelectronic applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
