MING HUNG WENG
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- MING HUNG WENG (literal)
- MING HUNG WENG (literal)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MING HUNG WENG nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MING HUNG WENG nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di MING HUNG WENG (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical and structural properties of AIGaN/GaN heterostructures grown onto 8° -off-axis 4H-SiC epilayers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical behaviour of detective AlGaN/GaN heterostructures grown on misoriented (8°-off-axis) 4H-SiC substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Unità di personale interno)
- SALVATORE DI FRANCO (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
- Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Persona)
- GIUSEPPE GRECO (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- Nome
- MING HUNG (literal)
- Cognome
- WENG (literal)
- Afferisce a
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- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Unità di personale interno)
- VITO RAINERI (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
- SALVATORE DI FRANCO (Persona)
- PATRICK FIORENZA (Unità di personale esterno)
- GIUSEPPE GRECO (Persona)
- GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Persona)
- Ha afferente
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MING HUNG WENG nell'anno 2009 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MING HUNG WENG nell'anno 2008 (Partecipazione a commessa)
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di MING HUNG WENG (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
- Surface and interface issues in wide band gap semiconductor electronics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Demonstration of defect-induced limitations on the properties of Au/3CSiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reliability of thin thermally grown SiO2 on 3C-SiC studied by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nanoscale probing of dielectric breakdown at SiO2/3C-SiC interfaces (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural defects and device electrical behaviour in AlGaN/GaN heterostructures grown on 8A degrees off-axis 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of Morphology, Electrical Activation and Contact formation of Ion Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- On the viability of Au/3C-SiC Schottky barrier diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Dopant Concentrations and Annealing Conditions on the Electrically Active Profiles and Lattice Damage in Al Implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical behaviour of detective AlGaN/GaN heterostructures grown on misoriented (8°-off-axis) 4H-SiC substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical and structural properties of AIGaN/GaN heterostructures grown onto 8° -off-axis 4H-SiC epilayers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical activity of structural defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
