MASSIMO CUSCUNA'
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- MASSIMO CUSCUNA' (literal)
- MASSIMO CUSCUNA' (literal)
- Partecipa a commessa
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of MASSIMO CUSCUNA' (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Silicon dioxide deposite d by ECR-PECVD for low-temperature Si devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved electrical stability in asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A novel fabrication process for polysilicon Thin Film Transistors with source/drain contacts formed by deposition and lift-off of highly doped layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Coautore
- ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
- LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
- ALESSANDRA BONFIGLIETTI (Persona)
- ALESSANDRO PECORA (Persona)
- ROBERTO CARLUCCIO (Persona)
- LUCA MAIOLO (Persona)
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
- Nome
- MASSIMO (literal)
- Cognome
- CUSCUNA' (literal)
- Afferisce a
- Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
Incoming links:
- Coautore
- ALESSANDRO PECORA (Persona)
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
- LUCA MAIOLO (Persona)
- ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
- LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
- ALESSANDRA BONFIGLIETTI (Persona)
- ROBERTO CARLUCCIO (Persona)
- Ha afferente
- Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
- Http://www.w3.org/2002/07/owl#sameAs
- Partecipazione di
- Rapporto con persona
- Employment relationship with CNR of MASSIMO CUSCUNA' (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
- A novel fabrication process for polysilicon Thin Film Transistors with source/drain contacts formed by deposition and lift-off of highly doped layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Silicon dioxide deposite d by ECR-PECVD for low-temperature Si devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved electrical stability in asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)