ALESSANDRA BONFIGLIETTI
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- ALESSANDRA BONFIGLIETTI (literal)
- ALESSANDRA BONFIGLIETTI (literal)
- Partecipa a commessa
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di ALESSANDRA BONFIGLIETTI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Grain boundary evaluation in sequentially laterally solidified polycrystalline-silicon devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A novel fabrication process for polysilicon Thin Film Transistors with source/drain contacts formed by deposition and lift-off of highly doped layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
- ALESSANDRO PECORA (Persona)
- LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
- MASSIMO CUSCUNA' (Persona)
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
- ROBERTO CARLUCCIO (Persona)
- Matteo RAPISARDA (Persona)
- Nome
- ALESSANDRA (literal)
- Cognome
- BONFIGLIETTI (literal)
- Afferisce a
- Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
Incoming links:
- Coautore
- ALESSANDRO PECORA (Persona)
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
- ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
- LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
- MASSIMO CUSCUNA' (Persona)
- Matteo RAPISARDA (Persona)
- ROBERTO CARLUCCIO (Persona)
- Ha afferente
- Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
- Partecipazione di
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di ALESSANDRA BONFIGLIETTI (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
- A novel fabrication process for polysilicon Thin Film Transistors with source/drain contacts formed by deposition and lift-off of highly doped layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Grain boundary evaluation in sequentially laterally solidified polycrystalline-silicon devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
