Fluorine incorporation during Si solid phase epitaxy (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Fluorine incorporation during Si solid phase epitaxy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.nimb.2005.08.146 (literal)

Alternative label

• Impellizzeri, G; Mirabella, S; Romano, L; Napolitani, E; Carnera, A; Grimaldi, MG; Priolo, F (2006)
  Fluorine incorporation during Si solid phase epitaxy
  in Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Impellizzeri, G; Mirabella, S; Romano, L; Napolitani, E; Carnera, A; Grimaldi, MG; Priolo, F (literal)

Pagina inizio

• 614 (literal)

Pagina fine

• 616 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 242 (literal)

Rivista

• Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Catania, MATIS, INFM, I-95123 Catania, Italy; Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy; Univ Padua, MATIS, INFM, I-35131 Padua, Italy; Univ Padua, Dipartimento Fis, I-35131 Padua, Italy (literal)

Titolo

• Fluorine incorporation during Si solid phase epitaxy (literal)

Abstract

• We have investigated the F incorporation and segregation in preamorphized Si during solid phase epitaxy (SPE) at different temperatures and for several implanted-F energies and fluences. The Si samples were amorphized to a depth of 550 nm by implanting Si at liquid nitrogen temperature and then enriched with F at different energies (65-150 keV) and fluences (0.07-5 x 10(14) F/cm(2)). Subsequently, the samples were regrown by SPE at different temperatures: 580, 700 and 800 degrees C. We have found that the amount of F incorporated after SPE strongly depends on the SPE temperature and on the energy and fluence of the implanted-F, opening the possibility to tailor the F profile during SPE. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• LUCIA ROMANO (Persona)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Fluorine incorporation during Si solid phase epitaxy" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• LUCIA ROMANO (Persona)

Prodotto

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

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• Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Fluorine incorporation during Si solid phase epitaxy" (Insieme di parole chiave)