LaHfOx Films Analyses for NVM Applications (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• LaHfOx Films Analyses for NVM Applications (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Del Vitto A, Piagge R, Ravizza E, Spadoni S, Sebastiani A, Scozzari C, Wiemer C, Ghidini G, Alessandri M, Fanciulli M, Maes JW, Verghese M, (2010)
  LaHfOx Films Analyses for NVM Applications
  in 218th ECS Meeting: E5 - High Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics and Photonics, Las Vegas, USA
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Del Vitto A, Piagge R, Ravizza E, Spadoni S, Sebastiani A, Scozzari C, Wiemer C, Ghidini G, Alessandri M, Fanciulli M, Maes JW, Verghese M, (literal)

Rivista

• ECS transactions (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• The continuous scaling down of Flash Memory devices requires the implementation of new architectures together with the integration of innovative materials. In particular, high dielectric constant (high-k) materials are very interesting for non-volatile memories since they can be used as inter poly dielectric in substitution of standard Oxide-Nitride-Oxide stack, or alternatively as blocking oxide in charge trap based memory cells (TANOS structures). For the blocking oxide, different requirements must be fulfilled at the 32-22 nm technology node: the equivalent oxide thickness (EOT) of this layer should be between 4 and 6 nm, the leakage currents should present a value around 1E-14 A/cm2 at low fields. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Numonyx Italy S.r.l., Via C. Olivetti, 2, 20041 Agrate Brianza, Italy 2. Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti, 2, 20041 Agrate Brianza, Italy 3. Dip. di Scienza dei Materiali, Univ. degli Studi Milano-Bicocca, Via R. Cozzi, 53, 20125 Milano, Italy 4. ASM Belgium, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium 5. ASM America, 3440 East University drive, Phoenix, Arizona, USA (literal)

Titolo

• LaHfOx Films Analyses for NVM Applications (literal)

Prodotto di

• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• CLAUDIA WIEMER (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• CLAUDIA WIEMER (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• ECS transactions (Rivista)