MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Massimo Longo 1; Claudia Wiemer 1; Olivier Salicio O; Marco Fanciulli 1,2; Enrico Varesi 3; Paolo Targa 3 (2010)
  MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process
  in MRS Spring Meeting: Symposium H: Phase-Change Materials for Memory and Reconfigurable Electronics Applications, San Francisco, California, USA
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Massimo Longo 1; Claudia Wiemer 1; Olivier Salicio O; Marco Fanciulli 1,2; Enrico Varesi 3; Paolo Targa 3 (literal)

Pagina inizio

• 124 (literal)

Pagina fine

• 124 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• 2010 MRS Spring Meeting Symposia (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Laboratorio Nazionale MDM, CNR-IMM, Agrate Brianza, Milano, Italy; 2. Dipartimento di Scienza dei Materiali, University of Milano Bicocca, Milano, Italy; 3. Numonyx, Agrate Brianza, Milano, Italy. (literal)

Titolo

• MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process (literal)

Prodotto di

• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• OLIVIER YANNICK SALICIO (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Autore CNR di

• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• OLIVIER YANNICK SALICIO (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)