Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.504 (literal)

Alternative label

• Nipoti R, Mancarella F, Moscatelli F, Rizzoli R, Zampolli S (2011)
  Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC
  in ECSCRM 2010 - 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oslo (Norway), AUG 29-SEP 02, 2010
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Nipoti R, Mancarella F, Moscatelli F, Rizzoli R, Zampolli S (literal)

Pagina inizio

• 504 (literal)

Pagina fine

• 507 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.679-680.504 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 679-680 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 0255-5476 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR - IMM Institute, via Gobetti 101, Bologna (Italy) (literal)

Titolo

• Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Monakhov, EV; Hornos, T; Svensson, BG (literal)

Abstract

• In this study a pyrolyzed photoresist film that has been used for protecting the implanted surface of a 4H-SiC wafer during post implantation annealing at 1800-1950 degrees C has preserved on the wafer surface and used for the fabrication of ohmic contact pads on P(+) implanted areas. The carbon film has been patterned by using a RIE O(2)-based plasma. A specific contact resistance of 9 x 10(-5) Omega cm(2) has been obtained on P(+) 1 x 10(20) cm(-3) implanted 4H-SiC. Micro-Raman characterizations show that the carbon cap is formed of a nano-crystalline graphitic phase. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Sintesi e caratterizzazione di materiali nanostrutturati a base di C e Si per applicazioni in sensoristica e nanoelettronica (MD.P05.017.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)
• RITA RIZZOLI (Persona)
• STEFANO ZAMPOLLI (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Carbon-cap for ohmic contacts on n-type ion implanted 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• RITA RIZZOLI (Persona)
• STEFANO ZAMPOLLI (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Sintesi e caratterizzazione di materiali nanostrutturati a base di C e Si per applicazioni in sensoristica e nanoelettronica (MD.P05.017.001) (Modulo)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Insieme di parole chiave di

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