Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• La Via F, Galvagno G, Firrincieli A, Di Franco S, Severino A, Leone S, Mauceri M, Pistone G, Abbondanza G, Portuese F, Calcagno L, Foti G (2006)
  Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes
  in MRS-Spring Meeting San Francisco 2006, San Francisco, 2006
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• La Via F, Galvagno G, Firrincieli A, Di Franco S, Severino A, Leone S, Mauceri M, Pistone G, Abbondanza G, Portuese F, Calcagno L, Foti G (literal)

Pagina inizio

• 443 (literal)

Pagina fine

• 448 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 911 (literal)

Rivista

• Materials Research Society symposia proceedings (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, ETC, Dipartimento di Fisica Università di Catania (literal)

Titolo

• Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 1-55899-867-5 (literal)

Abstract

• Practical design of high-voltage SiC Schottky rectifiers requires the understanding of the influence of the epitaxial dopant concentration on the reverse and forward characteristics. This work analyzes the correlation between the dopant concentration and the I-V characteristics of Schottky diodes for a critical concentration range where the leakage current variations are more evident. The details of how high temperatures affect the properties of junctions have been carefully described to obtain further improvement in the future by proper device optimization. Dopant concentration of about 1.2 x 10 16 cm-3 gives the best results in reverse characteristics without great losses in forward current. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials Research Society symposia proceedings (Rivista)