Electrical properties of MOCVD praseodymium oxide based MOS structures (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Electrical properties of MOCVD praseodymium oxide based MOS structures (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1109/ESSDERC.2003.1256892 (literal)
Alternative label
  • Lo Nigro R., Toro R., Malandrino G., Raineri V., Fragalà I.L. (2003)
    Electrical properties of MOCVD praseodymium oxide based MOS structures
    in PROCEEDINGS OF THE 33RD EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE; IEEE, 345 E 47TH ST, NY 10017, NEW YORK (Stati Uniti d'America)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Lo Nigro R., Toro R., Malandrino G., Raineri V., Fragalà I.L. (literal)
Pagina inizio
  • 375 (literal)
Pagina fine
  • 378 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 3 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • IMM-CNR sezione Catania Dipartimento Scienze Chimiche Università di Catania (literal)
Titolo
  • Electrical properties of MOCVD praseodymium oxide based MOS structures (literal)
Abstract
  • Prascodymium oxide-based high k dielectric thin films grown by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) at 750degreesC on p-type Si (100) substrate have been proposed. It has been revealed by energy-filtered TEM analyses that depositions in 10(-3) torr oxygen partial pressure produced Pr2O3 and a (PrnO2n-2SiO2)-Si-. bottom layer. The electrical properties of both Pr2O3/(PrnO2n-2SiO2)-Si-. structures and (PrnO2n-2SiO2)-Si-. thin layer have been investigated and compared. (literal)
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