Hydrogen-nitrogen complexes in dilute nitride alloys: Origin of the compressive lattice strain (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Hydrogen-nitrogen complexes in dilute nitride alloys: Origin of the compressive lattice strain (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Bisognin, G; De Salvador, D; Drigo, AV; Napolitani, E; Sambo, A; Berti, M; Polimeni, A; Felici, M; Capizzi, M; Gungerich, M; Klar, PJ; Bais, G; Jabeen, F; Piccin, M; Rubini, S; Martelli, F; Franciosi, A (2006)
  Hydrogen-nitrogen complexes in dilute nitride alloys: Origin of the compressive lattice strain
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bisognin, G; De Salvador, D; Drigo, AV; Napolitani, E; Sambo, A; Berti, M; Polimeni, A; Felici, M; Capizzi, M; Gungerich, M; Klar, PJ; Bais, G; Jabeen, F; Piccin, M; Rubini, S; Martelli, F; Franciosi, A (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 89 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Univ Padua, CNRS, INFM, MATIS, I-35131 Padua, Italy; Univ Padua, Dipartimento Fis G Galilei, I-35131 Padua, Italy; Univ Roma La Sapienza, CNISM, I-00185 Rome, Italy; Univ Roma La Sapienza, Dipartimento Fis, I-00185 Rome, Italy; Univ Marburg, Dept Phys, D-35032 Marburg, Germany; Univ Marburg, Ctr Mat Sci, D-35032 Marburg, Germany; INFM, CNR, Lab Nazl TASC, I-34012 Trieste, Italy; Univ Trieste, Ctr Excellence Nanostruct Mat, I-34127 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Hydrogen-nitrogen complexes in dilute nitride alloys: Origin of the compressive lattice strain (literal)

Abstract

• Hydrogenation of GaAs1-xNx and GaP1-xNx epilayers grown on GaAs(001) and GaP(001) surfaces, respectively, is known to passivate the electronic activity of nitrogen through the formation of specific nitrogen-hydrogen complexes. The same epilayers also undergo a strain reversal from tensile (as grown) to compressive (fully hydrogenated). The authors show that the extent of strain reversal is determined exclusively by the nitrogen concentration. By performing in situ high resolution x-ray diffraction measurements during annealing and photoluminescence studies, the authors demonstrate that the lattice properties of fully hydrogenated GaAs1-xNx are ruled by a H complex, which is different and less stable than that responsible for electronic passivation of nitrogen in GaAs1-xNx. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

Autore CNR

• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• DAVIDE DE SALVADOR (Unità di personale esterno)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• ALFONSO FRANCIOSI (Unità di personale esterno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• DAVIDE DE SALVADOR (Unità di personale esterno)
• ALFONSO FRANCIOSI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)