Silicon Carbide thin films deposited with PVD techniques with a stoichiometry Si:C close to 1:1 (Contributo in atti di convegno)

Type
Label
  • Silicon Carbide thin films deposited with PVD techniques with a stoichiometry Si:C close to 1:1 (Contributo in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • G. Monaco, M. Suman, M.G. Pelizzo, P. Nicolosi (2009)
    Silicon Carbide thin films deposited with PVD techniques with a stoichiometry Si:C close to 1:1
    in DGaO
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • G. Monaco, M. Suman, M.G. Pelizzo, P. Nicolosi (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Universita' di Padova, CNR-IFN (literal)
Titolo
  • Silicon Carbide thin films deposited with PVD techniques with a stoichiometry Si:C close to 1:1 (literal)
Prodotto di
Autore CNR

Incoming links:


Prodotto
Autore CNR di
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi
data.CNR.it