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Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts (Contributo in atti di convegno)
- Type
- Label
- Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts (Contributo in atti di convegno) (literal)
- Anno
- 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
G. Scappucci, L. Di Gaspare, E. Giovine, A. Notargiacomo, R. Leoni, F. Evangelisti (2007)
Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts
in Proceedings of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, JUL 24-28, 2006
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- G. Scappucci, L. Di Gaspare, E. Giovine, A. Notargiacomo, R. Leoni, F. Evangelisti (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume
- Physics of Semiconductors (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana
- AIP CONFERENCE PROCEEDINGS (literal)
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
- Vienna, Austria, 24-28 July, 2006 (literal)
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- Univ Roma TRE, Dipartimento Fis E Amaldi, V Vasca Navale 84, I-00146 Rome, Italy (literal)
- Titolo
- Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn
- 978-0-7354-0397-0 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume
- Jantsch, W; Schaffler, (literal)
- Abstract
- We report on the fabrication and electronic transport characterisation of Schottky-gated strongly confined Si/SiGe quantum point contacts (QPC). At zero magnetic field and T=450mK the QPC conductance as a function of gate voltage shows a quantization in units of e(2)/h, indicative of transport through 1D modes which appear to lack both spin and valley degeneracy. (literal)
- Editore
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