Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts (Contributo in atti di convegno)

Type
Label
  • Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts (Contributo in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • G. Scappucci, L. Di Gaspare, E. Giovine, A. Notargiacomo, R. Leoni, F. Evangelisti (2007)
    Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts
    in Proceedings of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, JUL 24-28, 2006
    (literal)
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  • G. Scappucci, L. Di Gaspare, E. Giovine, A. Notargiacomo, R. Leoni, F. Evangelisti (literal)
Pagina inizio
  • 749 (literal)
Pagina fine
  • 750 (literal)
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  • Physics of Semiconductors (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 893 (literal)
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  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
  • Vienna, Austria, 24-28 July, 2006 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Univ Roma TRE, Dipartimento Fis E Amaldi, V Vasca Navale 84, I-00146 Rome, Italy (literal)
Titolo
  • Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn
  • 978-0-7354-0397-0 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume
  • Jantsch, W; Schaffler, (literal)
Abstract
  • We report on the fabrication and electronic transport characterisation of Schottky-gated strongly confined Si/SiGe quantum point contacts (QPC). At zero magnetic field and T=450mK the QPC conductance as a function of gate voltage shows a quantization in units of e(2)/h, indicative of transport through 1D modes which appear to lack both spin and valley degeneracy. (literal)
Editore
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