Conductive-filament switching analysis and self-accelerated thermal dissolution model for reset in NiO-based RRAM (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Conductive-filament switching analysis and self-accelerated thermal dissolution model for reset in NiO-based RRAM (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/IEDM.2007.4419062 (literal)

Alternative label

• U. Russo [1] D. Ielmini [1], C. Cagli [1], A. L. Lacaita [1], S. Spiga (2), C. Wiemer(2), M. Perego(2), M. Fanciulli (2) (2007)
  Conductive-filament switching analysis and self-accelerated thermal dissolution model for reset in NiO-based RRAM
  in IEEE International Electron Devices Meeting, Washington, DC, USA.
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• U. Russo [1] D. Ielmini [1], C. Cagli [1], A. L. Lacaita [1], S. Spiga (2), C. Wiemer(2), M. Perego(2), M. Fanciulli (2) (literal)

Pagina inizio

• 775 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• International Electron Devices Meeting (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 1 e 2 (literal)

Rivista

• Technical digest (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• (1) Dipartimento di Elettronica e Informazione, Politecnico di Milano, Milano, Italy and IU.NET (2) Laboratorio Nazionale MDM, CNR-INFM, Agrate Brianza, Italy (literal)

Titolo

• Conductive-filament switching analysis and self-accelerated thermal dissolution model for reset in NiO-based RRAM (literal)

Abstract

• This work presents detailed characterization and modeling of the reset operation in resistive-switching memories based on metal oxides. Our experimental results confirm previous observations that reset is controlled by Joule heating, providing an insight on the electrical and thermal parameters of the conductive filament (CF) in the low resistance state. The characterization of such parameters allows to model the CF rupture responsible for reset switching. Our model explains the switching by self-accelerated dissolution of the CF, and can quantitatively account for reset and data-retention experiments. The scaling of programming current is finally investigated by means of reduction of CF cross-section. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MICHELE PEREGO (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• SABINA SPIGA (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• SABINA SPIGA (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MICHELE PEREGO (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Technical digest (Rivista)