Admittance Spectroscopy of GaAs/InGaP MQW Structures (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Admittance Spectroscopy of GaAs/InGaP MQW Structures (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• E. Gombia1, C. Ghezzi2, A. Parisini2, L. Tarricone2, M. Longo3 (2007)
  Admittance Spectroscopy of GaAs/InGaP MQW Structures
  in E-MRS Spring Meeting 2007, Strasburgo, Francia.
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• E. Gombia1, C. Ghezzi2, A. Parisini2, L. Tarricone2, M. Longo3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 CNR-IMEM Parco Area delle Scienze 37/A – 43010, Loc. Fontanini-Parma, Italy, 2 Dipartimento di Fisica, Università di Parma, CNISM, Viale G.P. Usberti, 7/A, 43100, Parma, Italy, 3 CNR-INFM, Dipartimento di Fisica Università di Parma, Viale G.P. Usberti, 7/A, 43100, Parma, Italy (literal)

Titolo

• Admittance Spectroscopy of GaAs/InGaP MQW Structures (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)