Microphotoluminescence characterization of alloy fluctuations in InGaAsN/GaAs quantum wells emitting at 1.3 mu m (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Microphotoluminescence characterization of alloy fluctuations in InGaAsN/GaAs quantum wells emitting at 1.3 mu m (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Frassanito, MC; De Giorgi, M; Rinaldi, R; Cingolani, R; Rubini, S; Piccin, M; Cristofoli, A; Bais, G; Martelli, F; Carlino, E; Franciosi, A (2006)
  Microphotoluminescence characterization of alloy fluctuations in InGaAsN/GaAs quantum wells emitting at 1.3 mu m
  in Semiconductor science and technology (Print)
  (literal)

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• Frassanito, MC; De Giorgi, M; Rinaldi, R; Cingolani, R; Rubini, S; Piccin, M; Cristofoli, A; Bais, G; Martelli, F; Carlino, E; Franciosi, A (literal)

Pagina inizio

• 1207 (literal)

Pagina fine

• 1211 (literal)

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• 21 (literal)

Rivista

• Semiconductor science and technology (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR, INFM, Natl Nanotechnol Lab, I-73100 Lecce, Italy; INFM, Lab Nazl TASC, I-34012 Trieste, Italy; Univ Trieste, Ctr Excellence Nanostructured Mat, I-34127 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Microphotoluminescence characterization of alloy fluctuations in InGaAsN/GaAs quantum wells emitting at 1.3 mu m (literal)

Abstract

• Microphotoluminescence studies of annealed In( x) Ga( 1 - x) N( y) As( 1 - y)/ GaAs quantum wells fabricated by molecular beam epitaxy for optical emission in the 1.3 mu m spectral range revealed several sharp peaks about 2 - 7 meV wide in the emission spectra. The intensity of the discrete lines decreased strongly with increasing lattice temperature and was absent in as-grown ( unannealed) quantum wells. Such quantum dot-like emission lines are attributed to the recombination of excitons strongly localized at alloy fluctuations composed of In-N-rich clusters. (literal)

Prodotto di

• Nanotecnologie della materia soffice (MD.P06.008.002) (Modulo)
• Transizioni di fase e proprietà magnetiche in ossidi fortemente correlati, interfacce metallo-semiconduttore, metalli anomali e superconduttori (MD.P04.006.001) (Modulo)
• Nanotecnologie molecolari (MD.P06.007.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
• Nanocompositi (MD.P06.015.001) (Modulo)

Autore CNR

• ROSARIA RINALDI (Unità di personale esterno)
• MILENA DE GIORGI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Microphotoluminescence characterization of alloy fluctuations in InGaAsN/GaAs quantum wells emitting at 1.3 mu m" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROSARIA RINALDI (Unità di personale esterno)
• MILENA DE GIORGI (Persona)

Prodotto

• Transizioni di fase e proprietà magnetiche in ossidi fortemente correlati, interfacce metallo-semiconduttore, metalli anomali e superconduttori (MD.P04.006.001) (Modulo)
• Nanocompositi (MD.P06.015.001) (Modulo)
• Nanotecnologie molecolari (MD.P06.007.001) (Modulo)
• Nanotecnologie della materia soffice (MD.P06.008.002) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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• Semiconductor science and technology (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Microphotoluminescence characterization of alloy fluctuations in InGaAsN/GaAs quantum wells emitting at 1.3 mu m" (Insieme di parole chiave)