High-modal gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs quantum-dot lasers (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• High-modal gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs quantum-dot lasers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Salhi, A; Martiradonna, L; Visimberga, G; Tasco, V; Fortunato, L; Todaro, MT; Cingolani, R; Passaseo, A; De Vittorio, M (2006)
  High-modal gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs quantum-dot lasers
  in IEEE photonics technology letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Salhi, A; Martiradonna, L; Visimberga, G; Tasco, V; Fortunato, L; Todaro, MT; Cingolani, R; Passaseo, A; De Vittorio, M (literal)

Pagina inizio

• 1735 (literal)

Pagina fine

• 1737 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 18 (literal)

Rivista

• IEEE photonics technology letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, INFM, Natl Nanotechnol Lab, I-73100 Lecce, Italy; Univ Montpellier 2, CNRS, UMR 5507, Ctr Elect & Microoptoelect Montpellier, F-34095 Montpellier, France (literal)

Titolo

• High-modal gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs quantum-dot lasers (literal)

Abstract

• A semiconductor laser containing seven InAs-In-GaAs stacked quantum-dot (QD) layers was grown by molecular beam epitaxy. Shallow mesa ridge-waveguide lasers with stripe width of 120 mu m were fabricated and tested. A high modal gain of 41 cm(-1) was obtained at room temperature corresponding to a modal gain of similar to 6 cm(-1) per QD layer, which is very promising to enable the realization of 1.3-mu m ultrashort cavity devices such as vertical-cavity surface-emitting lasers. Ground state laser action was achieved for a 360-mu m-cavity length with as-cleaved facets. The transparency current density per QD layer and internal quantum efficiency were 13 A/cm(2) and 67%, respectively. (literal)

Prodotto di

• Nanotecnologie molecolari (MD.P06.007.001) (Modulo)
• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.001) (Modulo)
• Nanotecnologie della materia soffice (MD.P06.008.002) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTO CINGOLANI (Persona)
• ABDELMAJID SALHI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "High-modal gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs quantum-dot lasers" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• ABDELMAJID SALHI (Unità di personale interno)
• ROBERTO CINGOLANI (Persona)

Prodotto

• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.001) (Modulo)
• Nanotecnologie molecolari (MD.P06.007.001) (Modulo)
• Nanotecnologie della materia soffice (MD.P06.008.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• IEEE photonics technology letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "High-modal gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs quantum-dot lasers" (Insieme di parole chiave)