Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates (Articolo in rivista)
- Type
- Prodotto della ricerca (Classe)
- Articolo in rivista (Classe)
- Label
- Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
- Anzalone R, Locke C, Carballo J, Piluso N, Severino A, D'Arrigo G, Volinsky AA, La Via F, Saddow SE (2010)(literal)
Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Anzalone R, Locke C, Carballo J, Piluso N, Severino A, D'Arrigo G, Volinsky AA, La Via F, Saddow SE (literal)
- Titolo
- Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates (literal)
- Prodotto di
- Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
- Litografia elettronica, nano-patterning, MEMS e NEMS su 3C-SiC (MD.P05.009.002) (Modulo)
- Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
- Autore CNR
- Andrea Severino (Persona)
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
- STEPHEN EDWARD SADDOW (Unità di personale esterno)
- FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
- RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
Incoming links:
- Autore CNR di
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
- FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
- Andrea Severino (Persona)
- RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
- STEPHEN EDWARD SADDOW (Unità di personale esterno)
- Prodotto
- Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
- Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
- Litografia elettronica, nano-patterning, MEMS e NEMS su 3C-SiC (MD.P05.009.002) (Modulo)
