Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Eriksson J, Roccaforte F, Weng M-H, Leone S, Lorenzzi J, Giannazzo F, Bongiorno C, Di Franco S, Raineri V (2010)
  Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Eriksson J, Roccaforte F, Weng M-H, Leone S, Lorenzzi J, Giannazzo F, Bongiorno C, Di Franco S, Raineri V (literal)

Titolo

• Elecrical activity and device limitations of defects in 3C-SiC (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• MING HUNG WENG (Unità di personale esterno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• MING HUNG WENG (Unità di personale esterno)
• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)