Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Moscatelli F, Poggi A,Solmi S, Nipoti R, Armigliato A, Belsito L (2010)
  Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Moscatelli F, Poggi A,Solmi S, Nipoti R, Armigliato A, Belsito L (literal)

Pagina inizio

• 491 (literal)

Pagina fine

• 494 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 645 (literal)

Titolo

• Nitridation of the SiO2/SiC Interface by N+ implantation: Hall versus field effect mobility in n-channel planar 4H-SiC MOSFETs (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici (MD.P05.011.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ALDO ARMIGLIATO (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici (MD.P05.011.001) (Modulo)

Autore CNR di

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• ALDO ARMIGLIATO (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)