Manganese-induced growth of GaAs nanowires (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Manganese-induced growth of GaAs nanowires (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Martelli, F; Rubini, S; Piccin, M; Bais, G; Jabeen, F; De Franceschi, S; Grillo, V; Carlino, E; D'Acapito, F; Boscherini, F; Cabrini, S; Lazzarino, M; Businaro, L; Romanato, F; Franciosi, A (2006)
  Manganese-induced growth of GaAs nanowires
  in Nano letters (Print)
  (literal)

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• Martelli, F; Rubini, S; Piccin, M; Bais, G; Jabeen, F; De Franceschi, S; Grillo, V; Carlino, E; D'Acapito, F; Boscherini, F; Cabrini, S; Lazzarino, M; Businaro, L; Romanato, F; Franciosi, A (literal)

Pagina inizio

• 2130 (literal)

Pagina fine

• 2134 (literal)

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• 6 (literal)

Rivista

• Nano letters (Rivista)

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• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR, INFM, TASC, Lab Nazl,Area Sci Pk, I-34012 Trieste, Italy; Univ Trieste, Ctr Excellence Nanostructured Mat, I-34127 Trieste, Italy; European Synchrotron Radiat Facil, GILDA, CRG, CNR INFM OGG, F-38043 Grenoble, France; Univ Bologna, Dept Phys, I-40127 Bologna, Italy; Univ Bologna, CNISM, I-40127 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Manganese-induced growth of GaAs nanowires (literal)

Abstract

• GaAs nanowires have been grown on SiO2 and GaAs by molecular beam epitaxy using manganese as growth catalyst. Transmission electron microscopy shows that the wires have a wurtzite-type lattice and that r-Mn particles are found at the free end of the wires. X-ray absorption fine structure measurements reveal the presence of a significant fraction of Mn-As bonds, suggesting Mn diffusion and incorporation during wire growth. Transport measurements indicate that the wires are p-type, as expected from doping of GaAs with Mn. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)
• Nanofabbricazione (MD.P06.017.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
• Transizioni di fase e proprietà magnetiche in ossidi fortemente correlati, interfacce metallo-semiconduttore, metalli anomali e superconduttori (MD.P04.006.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO LAZZARINO (Persona)
• LUCA BUSINARO (Persona)
• ALFONSO FRANCIOSI (Unità di personale esterno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• FEDERICO BOSCHERINI (Unità di personale esterno)
• ELVIO CARLINO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)
• VINCENZO GRILLO (Persona)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Manganese-induced growth of GaAs nanowires" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VINCENZO GRILLO (Persona)
• MARCO LAZZARINO (Persona)
• LUCA BUSINARO (Persona)
• ELVIO CARLINO (Unità di personale interno)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)
• FEDERICO BOSCHERINI (Unità di personale esterno)
• ALFONSO FRANCIOSI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Transizioni di fase e proprietà magnetiche in ossidi fortemente correlati, interfacce metallo-semiconduttore, metalli anomali e superconduttori (MD.P04.006.001) (Modulo)
• Nanofabbricazione (MD.P06.017.001) (Modulo)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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• Nano letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Manganese-induced growth of GaAs nanowires" (Insieme di parole chiave)