Infrared and transport properties of LuFe(2)O(4) under electric fields (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Infrared and transport properties of LuFe(2)O(4) under electric fields (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.84.153105 (literal)

Alternative label

• Vitucci, FM 1; Nucara, A 1; Mirri, C 1; Nicoletti, D 1; Ortolani, M 2; Schade, U 3; Calvani, P 1 (2011)
  Infrared and transport properties of LuFe(2)O(4) under electric fields
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Vitucci, FM 1; Nucara, A 1; Mirri, C 1; Nicoletti, D 1; Ortolani, M 2; Schade, U 3; Calvani, P 1 (literal)

Pagina inizio

• 153105 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 84 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1CNR-SPIN and Dipartimento di Fisica, Universit`a di Roma \"La Sapienza,\" Rome, Italy 2CNR-IFN, Via del Cineto Romano, Roma, Italy 3Berliner Elektronenspeicherring-Gesellshaft f¨ur Synchrotronstrahlung m.b.H (literal)

Titolo

• Infrared and transport properties of LuFe(2)O(4) under electric fields (literal)

Abstract

• Multiferroic LuFe2O4 (LFO) exhibits three-dimensional (3D) charge order below TCO ~ 350 K and strong electroresistance (ER) above a static threshold field Eth. By measuring simultaneously, in LFO single crystals, the dc current and the far-infrared reflectivity along different axes, we do not detect any insulator-to-metal transition above Eth. Combined current-temperature measurements confirm that the ER is due to self-heating of LFO, as recently reported. The data can be fit by the standard activation law for an intrinsic semiconductor, with a gap value ? = 0.57 eV. This value is consistent with that of the optical gap reported for LFO in the literature. (literal)

Prodotto di

• Proprietà strutturali, elettroniche e vibrazionali di sistemi a forte correlazione elettronica (MD.P04.025.003) (Modulo)

Autore CNR

• PAOLO CALVANI (Unità di personale esterno)
• ALESSANDRO NUCARA (Persona)
• MICHELE ORTOLANI (Unità di personale esterno)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO NUCARA (Persona)
• PAOLO CALVANI (Unità di personale esterno)
• MICHELE ORTOLANI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Proprietà strutturali, elettroniche e vibrazionali di sistemi a forte correlazione elettronica (MD.P04.025.003) (Modulo)

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• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)