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Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
S. Toffanin, R. Capelli, M. Muccini, T.Y. HWU, K.T. Kong, T. Plotzing, M. Forst (2010)
Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix
in The journal of physical chemistry. B
(literal)
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- S. Toffanin, R. Capelli, M. Muccini, T.Y. HWU, K.T. Kong, T. Plotzing, M. Forst (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Rivista
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
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- Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), Via P. Gobetti
101, I-40129 Bologna, Italy; Department of Chemistry, National Taiwan UniVersity, Taipei 106, Taiwan; RWTH
Aachen UniVersity, Institut fu¨r Halbleitertechnik, Sommerfeldstrasse 24, 52074 Aachen, Germany (literal)
- Titolo
- Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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