Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • S. Toffanin, R. Capelli, M. Muccini, T.Y. HWU, K.T. Kong, T. Plotzing, M. Forst (2010)
    Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix
    in The journal of physical chemistry. B
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • S. Toffanin, R. Capelli, M. Muccini, T.Y. HWU, K.T. Kong, T. Plotzing, M. Forst (literal)
Pagina inizio
  • 120 (literal)
Pagina fine
  • 127 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 114 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), Via P. Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy; Department of Chemistry, National Taiwan UniVersity, Taipei 106, Taiwan; RWTH Aachen UniVersity, Institut fu¨r Halbleitertechnik, Sommerfeldstrasse 24, 52074 Aachen, Germany (literal)
Titolo
  • Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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Prodotto
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