Organic light-emitting transistors with an efficiency that outperforms the equivalent light-emitting diodes (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Organic light-emitting transistors with an efficiency that outperforms the equivalent light-emitting diodes (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1038/NMAT2751 (literal)

Alternative label

• R. Capelli; S. Toffanin; G. Generali; H. Usta; A. Facchetti; M. Muccini (2010)
  Organic light-emitting transistors with an efficiency that outperforms the equivalent light-emitting diodes
  in Nature materials (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Capelli; S. Toffanin; G. Generali; H. Usta; A. Facchetti; M. Muccini (literal)

Pagina inizio

• 496 (literal)

Pagina fine

• 503 (literal)

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• http://www.nature.com/nmat/ (literal)

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• 9 (literal)

Rivista

• Nature materials (Rivista)

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• 8 (literal)

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• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. ISMN, CNR, I-40129 Bologna, Italy 2. Polyera Corp, Skokie, IL 60077 USA 3. ETC Srl, I-40129 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Organic light-emitting transistors with an efficiency that outperforms the equivalent light-emitting diodes (literal)

Abstract

• The potential of organic semiconductor-based devices for light generation is demonstrated by the commercialization of display technologies based on organic light-emitting diodes (OLEDs). Nonetheless, exciton quenching and photon loss processes still limit OLED efficiency and brightness. Organic light-emitting transistors (OLETs) are alternative light sources combining, in the same architecture, the switching mechanism of a thin-film transistor and an electroluminescent device. Thus, OLETs could open a new era in organic optoelectronics and serve as testbeds to address general fundamental optoelectronic and photonic issues. Here, we introduce the concept of using a p-channel/emitter/n-channel trilayer semiconducting heterostructure in OLETs, providing a new approach to markedly improve OLET performance and address these open questions. In this architecture, exciton-charge annihilation and electrode photon losses are prevented. Our devices are >100 times more efficient than the equivalent OLED, >2× more efficient than the optimized OLED with the same emitting layer and >10 times more efficient than any other reported OLETs. (literal)

Prodotto di

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MICHELE MUCCINI (Unità di personale interno)
• GIANLUCA GENERALI (Unità di personale esterno)
• RAFFAELLA CAPELLI (Persona)
• STEFANO TOFFANIN (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• STEFANO TOFFANIN (Persona)
• MICHELE MUCCINI (Unità di personale interno)
• RAFFAELLA CAPELLI (Persona)
• GIANLUCA GENERALI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)

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• Nature materials (Rivista)