High-mobility ambipolar transport in organic light-emitting transistors (Articolo in rivista)

Type
Label
  • High-mobility ambipolar transport in organic light-emitting transistors (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1002/adma.200502164 (literal)
Alternative label
  • F. Dinelli, R. Capelli, M.A. Loi, M. Murgia, A. Facchetti, T. Marks, M. Muccini (2006)
    High-mobility ambipolar transport in organic light-emitting transistors
    in Advanced materials (Weinh., Print)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • F. Dinelli, R. Capelli, M.A. Loi, M. Murgia, A. Facchetti, T. Marks, M. Muccini (literal)
Pagina inizio
  • 1416 (literal)
Pagina fine
  • 1420 (literal)
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  • Articolo pubblicato (literal)
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  • http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.200502164/abstract (literal)
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  • 18 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 5 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • Dr. F. Dinelli, Dr. R. Capelli, Dr. M. A. Loi, Dr. M. Murgia,Dr. M. Muccini Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR) Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN) via P. Gobetti 101, 40129 Bologna (Italy) Dr. A. Facchetti, Prof. T. J. Marks Department of Chemistry and the Materials Research Center Northwestern University 2145 Sheridan Road, Evanston, IL 60208 (USA) (literal)
Titolo
  • High-mobility ambipolar transport in organic light-emitting transistors (literal)
Abstract
  • Organic light-emitting transistors based on bilayered structures (see figure) exhibit balanced ambipolar transport and mobility values as large as 3 x 10(-2) cm(2) V-1 s(-1). The best performances are realized by sequentially depositing alpha,omega-dihexyl-quaterthiophene (DH4T) as p-type and N,N'-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide (P13) as n-type materials. Laser-scanning confocal microscopy allows selective imaging of the layers. (literal)
Prodotto di
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