Correlation between morphology and field-effect-transistor mobility in tetracene thin films (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Correlation between morphology and field-effect-transistor mobility in tetracene thin films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/adfm.200400278 (literal)

Alternative label

• F. Cicoira, C. Santato1, F. Dinelli1, M. Murgia1, M. A. Loi1, F. Biscarini1, R. Zamboni1, P. Heremans2,3, M. Muccini (2005)
  Correlation between morphology and field-effect-transistor mobility in tetracene thin films
  in Advanced functional materials (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• F. Cicoira, C. Santato1, F. Dinelli1, M. Murgia1, M. A. Loi1, F. Biscarini1, R. Zamboni1, P. Heremans2,3, M. Muccini (literal)

Pagina inizio

• 375 (literal)

Pagina fine

• 380 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 15 (literal)

Rivista

• Advanced functional materials (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. CNR, ISMN, Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy 2. IMEC, B-3001 Louvain, Belgium 3. Katholieke Univ Leuven, Dept Elect Engn, B-3001 Louvain, Belgium (literal)

Titolo

• Correlation between morphology and field-effect-transistor mobility in tetracene thin films (literal)

Abstract

• The growth of vacuum-sublimed tetracene thin films on silicon dioxide has been investigated from the early stages of the process. The effects of deposition flux and substrate silanization on film morphology and electrical properties have been explored. Tetracene shows an island growth, resulting in films with a granular structure. Both an increase in the deposition flux and the substrate silanization determine a decrease of the grain size and an improvement of the connectivity of the film in direct contact with the substrate. The hole mobility in field-effect transistors based on tetracene thin films, which also generate electroluminescence, increases with the deposition flux and values as high as 0.15 cm(2) V(-1) s(-1) are obtained. (literal)

Prodotto di

• Nanotecnologie di materiali multifunzionali e sistemi biologici (PM.P05.010.001) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MICHELE MUCCINI (Unità di personale interno)
• ROBERTO ZAMBONI (Persona)
• FABIO BISCARINI (Unità di personale interno)
• MAURO MURGIA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Correlation between morphology and field-effect-transistor mobility in tetracene thin films" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROBERTO ZAMBONI (Persona)
• MICHELE MUCCINI (Unità di personale interno)
• MAURO MURGIA (Persona)
• FABIO BISCARINI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)
• Nanotecnologie di materiali multifunzionali e sistemi biologici (PM.P05.010.001) (Modulo)

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• Advanced functional materials (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Correlation between morphology and field-effect-transistor mobility in tetracene thin films" (Insieme di parole chiave)