How much room for BiGa heteroantisites in GaAs1-xBix? (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• How much room for BiGa heteroantisites in GaAs1-xBix? (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Ciatto G., Alippi P., Amore Bonapasta A., Tiedje T. (2011)
  How much room for BiGa heteroantisites in GaAs1-xBix?
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Ciatto G., Alippi P., Amore Bonapasta A., Tiedje T. (literal)

Pagina inizio

• 141912 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 99 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• http://dx.doi.org/10.1063/1.3647635 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, Saint-Aubin, BP48, Gif-sur-Yvette Cedex 91192, France CNR-Istituto di Struttura della Materia, Via Salaria km. 29, Monterotondo Stazione300 I-00016, Italy Department of Electrical and Computer Engineering, University of Victoria, Victoria, British Columbia V8W 3P6, Canada (literal)

Titolo

• How much room for BiGa heteroantisites in GaAs1-xBix? (literal)

Abstract

• We addressed the issue of bismuth heteroantisite defects (BiGa) in GaAs1-xBix/GaAs epilayers by coupling x-ray absorption spectroscopy at the bismuth edge with density functional theory calculations of the defect structure. Calculations predict a large relaxation of the Bi-As interatomic distances when Bi atoms substitute Ga, however we found no experimental evidence of it. Quantitative analysis of the x-ray absorption spectra allows us to establish a maximum concentration limit for BiGa, which corresponds to about 5% of the total Bi atoms. BiGa do not account for the modifications in the spectra previously attributed to short range ordering. (literal)

Prodotto di

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• MODELING COMPUTAZIONALE DI PROPRIETA’ STRUTTURALI, ELETTRONICHE E MAGNETICHE DI DIFETTI E COMPLESSI MOLECOLARI IN SEMICONDUTTORI E SISTEMI IBRIDI ORGANICO-INORGANICO. (MD.P06.035.001) (Modulo)

Autore CNR

• ALDO AMORE BONAPASTA (Persona)
• PAOLA ALIPPI (Persona)

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Autore CNR di

• ALDO AMORE BONAPASTA (Persona)
• PAOLA ALIPPI (Persona)

Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• MODELING COMPUTAZIONALE DI PROPRIETA’ STRUTTURALI, ELETTRONICHE E MAGNETICHE DI DIFETTI E COMPLESSI MOLECOLARI IN SEMICONDUTTORI E SISTEMI IBRIDI ORGANICO-INORGANICO. (MD.P06.035.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)