SiC(1 1 1) growth by C60 decomposition on Si(1 1 1) studied by electron spectroscopies (Articolo in rivista)

Type
Label
  • SiC(1 1 1) growth by C60 decomposition on Si(1 1 1) studied by electron spectroscopies (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/S0039-6028(01)00743-9 (literal)
Alternative label
  • Pesci A. 1, Cepek C. 2, Sancrotti M. 3, Ferrari L. 1, Capozi M. 1, Perfetti P. 1 and Pedio M. 1 (2001)
    SiC(1 1 1) growth by C60 decomposition on Si(1 1 1) studied by electron spectroscopies
    in Surface science
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Pesci A. 1, Cepek C. 2, Sancrotti M. 3, Ferrari L. 1, Capozi M. 1, Perfetti P. 1 and Pedio M. 1 (literal)
Pagina inizio
  • 829 (literal)
Pagina fine
  • 835 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 482 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • In questo lavoro si dimostra la possibilità di ricoprire una superficie di silicio con un film di carburo di silicio partendo da fullerene. Il SiC è utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici per alte potenze. Un film di carburo di silicio ordinato: SiC(111) è stato ottenuto evaporando molecole di fullerene, C60, su un substrato di silicio orientato (111) mantenuto a una temperatura di 1200 K durante la crescita in condizioni di ultra-alto-vuoto. Il film è stato caratterizzato mediante la tecnica LEED (low energy electron diffraction) ed è stato studiato per mezzo della spettroscopia di fotoemissione inversa (IPES). Gli spettri IPES rivelano la presenza di uno stato al minimo della banda di conduzione, attribuito al legame carbonio-silicio, la cui intensità è correlata alla morfologia del film di SiC. Ex situ sono stati studiati sullo stesso film, dopo una procedura di sputtering-annealing,i livelli di core 2p del silicio e la banda di valenza, utilizzando la spettroscopia di fotoemissione con luce di sincrotrone. Dopo la procedura di pulizia il LEED mostra chiaramente il restabilirsi di una simmetria (1x1) e gli spettri della banda di valenza mostrano l’attesa forma di riga del SiC(111)(2x1). (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1 CNR 2 UNI Trieste 3 Università Cattolica del Sacro Cuore, Brescia (literal)
Titolo
  • SiC(1 1 1) growth by C60 decomposition on Si(1 1 1) studied by electron spectroscopies (literal)
Abstract
  • We have grown an ordered SiC(1 1 1) film, characterized by a (1x1) low energy electron diffraction (LEED) pattern, by evaporating C60 molecules on a Si(1 1 1) substrate kept at 1200 K in ultrahigh vacuum conditions. In situ inverse photoemission spectra show the presence of a state at the conduction band minimum attributed to C–Si bond, whose intensity has been found to be related to the morphology of the grown film. We studied ex situ LEED, Si 2p and valence band photoemission spectra of the same SiC(1 1 1) sample as introduced in the vacuum chamber and after a sputtering/annealing treatment. After the cleaning procedure LEED shows clearly the recovering of the (1x1) pattern and the valence band spectra show the expected line shape for the SiC(1 1 1)-(1x1) sample. Evolution of the electronic configuration of the samples after Si evaporation will be discussed. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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